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公开(公告)号：CN101172184B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710046885.9
申请日：2007-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种三维柔性神经微电极及其制作方法，该微电极利用柔性聚合物作为基底材料，通过金属种子层的环状图案设计，进行递进式电镀，形成具有圆滑三维凸起特征的电极位点结构，该结构既可保证电极位点与神经细胞的良好接触，同时又可避免现有三维神经微电极中凸起电极位点的锐利棱角对神经组织的损伤。另外，在电镀过程中通过复合电镀工艺，即电镀液中添加纳米级分散剂，使电极表面形成亚微米级的微孔结构，增加电极位点的表面积，从而增强电极的电流输出能力，保证神经微电极在生物安全性条件限制下的有效刺激。本发明提供的三维柔性神经微电极可广泛应用于神经疾病治疗、神经康复、神经生物学基础研究等领域。
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公开(公告)号：CN100563748C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710040830.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中形成金属连接结构，实现位于隔离绝缘层上下电极刺激位点或记录位点与其连接导线的连接；其中电镀工艺后，采用化学抛光的方法对上层表面进行抛光，保证电镀金属柱与上层溅射金属层良好的电连接。本发明提供的制作方法可以在单位面积上制作比常规单层布线设计更高密度的阵列微电极，实现植入式阵列微电极更高选择性刺激或记录。
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公开(公告)号：CN101306794A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810033265.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种纳米微电极以及制作方法，其首先在铝片的一表面形成具有用于制作纳米电极的位点窗口的第一绝缘层，然后采用电化学方法在所述位点窗口处形成氧化铝纳米孔，接着在所述氧化铝纳米孔中填充导电材料以形成纳米电极，再通过Lift－off方法或图形化腐蚀方法在第一绝缘层表面沉积金属层，并进而形成包含所述纳米电极的金属连接线和金属焊接位点的图形化金属层，然后在所述图形化金属层形成具有焊点窗口的第二绝缘层，并使所述焊点窗口处于所述金属焊接位点处，最后通过化学腐蚀或电化学腐蚀法腐蚀所述铝片以形成由绝缘材料、金属、及绝缘材料组成的三层结构的纳米微电极，如此可降低制作成本，提高纳米微电极的有效面积。
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公开(公告)号：CN101172185B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710046237.3
申请日：2007-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离(Lift-off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片，实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电极高一倍的刺激或记录分辨率。
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公开(公告)号：CN101073687A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710040830.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中形成金属连接结构，实现位于隔离绝缘层上下电极刺激位点或记录位点与其连接导线的连接；其中电镀工艺后，采用化学抛光的方法对上层表面进行抛光，保证电镀金属柱与上层溅射金属层良好的电连接。本发明提供的制作方法可以在单位面积上制作比常规单层布线设计更高密度的阵列微电极，实现植入式阵列微电极更高选择性刺激或记录。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100466381C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710045109.7
申请日：2007-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种与植入式器件柔性互连的方法，首先在具有牺牲层的基片上制作一聚合物基底层，并根据待连接的植入式器件的需要在所述聚合物基底层相应位置制作通孔，接着在所述聚合物基底层上制作一金属层，并使金属层不覆盖通孔，接着在金属层上形成一隔离绝缘层，并在隔离绝缘层相应位置形成开口，以暴露所述通孔，接着采用腐蚀法腐蚀牺牲层以将夹心式柔性互连膜从基片上释放下来，接着将待连接的植入式器件的焊盘点金属层贴合柔性互连膜的表面并对准所述通孔，再在通孔中通过电镀生长导通金属柱，如此可实现与待连接的植入式器件的柔性连接，有效避免现有技术中互连易出现虚焊的缺点，同时由于柔性互连膜体积小、重量轻、易于集成，可大大减小植入损伤。
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公开(公告)号：CN100431487C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710036837.1
申请日：2007-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法，特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料，并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中，一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂，并在断面处形成尖端；另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS)，利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分；然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割，通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法，可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。
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公开(公告)号：CN101172184A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710046885.9
申请日：2007-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种三维柔性神经微电极及其制作方法，该微电极利用柔性聚合物作为基底材料，通过金属种子层的环状图案设计，进行递进式电镀，形成具有圆滑三维凸起特征的电极位点结构，该结构既可保证电极位点与神经细胞的良好接触，同时又可避免现有三维神经微电极中凸起电极位点的锐利棱角对神经组织的损伤。另外，在电镀过程中通过复合电镀工艺，即电镀液中添加纳米级分散剂，使电极表面形成亚微米级的微孔结构，增加电极位点的表面积，从而增强电极的电流输出能力，保证神经微电极在生物安全性条件限制下的有效刺激。本发明提供的三维柔性神经微电极可广泛应用于神经疾病治疗、神经康复、神经生物学基础研究等领域。
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公开(公告)号：CN101154770A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710045109.7
申请日：2007-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种与植入式器件柔性互连的方法，首先在具有牺牲层的基片上制作一聚合物基底层，并根据待连接的植入式器件的需要在所述聚合物基底层相应位置制作通孔，接着在所述聚合物基底层上制作一金属层，并使金属层不覆盖通孔，接着在金属层上形成一隔离绝缘层，并在隔离绝缘层相应位置形成开口，以暴露所述通孔，接着采用腐蚀法腐蚀牺牲层以将夹心式柔性互连膜从基片上释放下来，接着将待连接的植入式器件的焊盘点金属层贴合柔性互连膜的表面并对准所述通孔，再在通孔中通过电镀生长导通金属柱，如此可实现与待连接的植入式器件的柔性连接，有效避免现有技术中互连易出现虚焊的缺点，同时由于柔性互连膜体积小、重量轻、易于集成，可大大减小植入损伤。
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公开(公告)号：CN101006920A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710036837.1
申请日：2007-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法，特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料，并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中，一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂，并在断面处形成尖端；另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS)，利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分；然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割，通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法，可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。
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