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公开(公告)号：CN111370276A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811601805.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种真空沟道型光电阴极及其制备方法。所述真空沟道型观点阴极包括衬底和形成在衬底上的阴极发射层，阴极发射层包括周期性交替排列的第一半导体材料层和第二半导体材料层，以及形成在阴极发射层中的沟道，其中所述沟道靠近衬底一侧的面积小于阴极发射层表面的面积。本发明提供的光电阴极可产生较大的发射电流密度，同时有效地缩短阴极的响应时间，使其具有发射太赫兹频率电子脉冲的能力，可应用于光调制真空微波器件、自由电子激光器和光源等。
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公开(公告)号：CN110767519A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911001414.5
申请日：2019-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种光增强场发射电子源结构及其形成方法、包括其的电子源、微波管，所述电子源结构包括支撑衬底；形成在衬底上的光电阴极层；形成在光电阴极层的一部分上的源极；覆盖所述源极和光电阴极层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极；以及贯穿所述栅极及所述绝缘层且暴露所述光电阴极层的真空沟道。本发明提供的光增强场发射电子源结构与基于冷阴极的电子源结构相比，具有较低的工作电压，可有效降低了强电场作用下电子源器件因击穿导致短路的概率；相比于传统光电阴极组件的电子源结构，本发明的光增强场发射电子源结构拥有更大的发射电流密度和更强的抗离子轰击能力，可满足高频率行波管对大电流密度电子源结构的要求。
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公开(公告)号：CN109979791A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811577504.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极热子组件，所述阴极热子组件包括以钨粉为原料，采用选择性激光熔融技术一体化成型的多孔发射体、覆盖所述多孔发射体的致密层、位于所述致密层上方的热子发热体以及位于所述热子发热体上方的热子电位引出结构。该阴极热子组件具有一体化的稳定结构，易于制备获得。本发明还公开了该阴极热子组件的制作方法。
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公开(公告)号：CN109859998A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811534674.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种太阳能能量转换器件，该光电转换器件包括：至少一个光透射窗、阴极引出电极和阳极引出电极、以及多个绝缘环，共同提供具有真空腔的结构，设置在真空腔内的阴极组件、阳极组件及其间的绝缘子，所述阴极引出电极电接触阴极组件，所述阳极引出电极电接触阳极组件；以及提供在能量转换器件中的激活原子，其中所述阴极组件中形成有多个贯穿其中的阴极通道，且所述阴极组件与所述真空腔内壁之间存在空隙。本发明提供的太阳能能量转换器件可有效地改善激活原子的运动路径，促进激活原子在阴极表面动态吸附，有效地提高了太阳能能量转换效率。与其它真空型太阳能能量转换器件相比，该太阳能能量转换器件中新型结构可以有效地提高阴极表面激活原子的吸附效率，具有更高的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN102522297B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110441920.3
申请日：2011-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 一种可控孔度阴极及其制备方法，属于微波真空电子器件领域，包括一个含有活性物质的阴极基体，该阴极基体上顶面溅射沉积一层厚度为3～5μm的锇膜，下底面支撑在一个热丝加热屏蔽筒上。该制备方法流程为：a.制备阴极基体；b.阴极基体与屏蔽筒装配；c.装阴极热丝组合件；d.用等离子体溅射沉积锇贵金属膜；用该方法所制阴极具有发射均匀性好、耐离子轰击能力强、寿命长、发射电流密度和蒸发速率完全可控等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110767519B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911001414.5
申请日：2019-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种光增强场发射电子源结构及其形成方法、包括其的电子源、微波管，所述电子源结构包括支撑衬底；形成在衬底上的光电阴极层；形成在光电阴极层的一部分上的源极；覆盖所述源极和光电阴极层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极；以及贯穿所述栅极及所述绝缘层且暴露所述光电阴极层的真空沟道。本发明提供的光增强场发射电子源结构与基于冷阴极的电子源结构相比，具有较低的工作电压，可有效降低了强电场作用下电子源器件因击穿导致短路的概率；相比于传统光电阴极组件的电子源结构，本发明的光增强场发射电子源结构拥有更大的发射电流密度和更强的抗离子轰击能力，可满足高频率行波管对大电流密度电子源结构的要求。
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公开(公告)号：CN109935505B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910221739.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: H01J9/04
Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。
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公开(公告)号：CN117253763A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311164762.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种大电流密度微型阴极的制备方法及该制备方法制备得到的大电流密度微型阴极。该制备方法包括如下步骤：提供具有开口的阴极罩，所述开口对应阴极的阴极发射区；将钨与氧化钪的混合粉与乙二醇的乙醇溶液混匀，得混合物；将所述混合物填满所述开口，再向阴极罩内加入钨与氧化钪的混合粉，经压制成型，得到钪钨基半成品；将所述钪钨基半成品进行烧结，得到多孔的氧化钪掺杂钨海绵体；在该多孔的氧化钪掺杂钨海绵体中浸渍活性物质，得到所述大电流密度微型阴极。该方法简单，且能制备得到结构稳定、性能优异的大电流密度微型阴极，满足平面化行波管对大电流密度带状电子注微型阴极热子组件的需求。
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公开(公告)号：CN115332026A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210830350.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种可快速启动的阴极组件，该阴极组件中包含：阴极主体，包含含孔的钨基体，且所述钨基体的表面和孔道中结合有含钪铝酸盐；与该阴极主体相结合的热子组件，包含热丝以及共熔瓷。该阴极组件可以解决现有技术中针对大功率快启行波管对高电流密度、3秒启动以及高可靠性的需求并不能得到满足的问题。本发明还公开了该可快速启动的阴极组件的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN109979791B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811577504.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极热子组件，所述阴极热子组件包括以钨粉为原料，采用选择性激光熔融技术一体化成型的多孔发射体、覆盖所述多孔发射体的致密层、位于所述致密层上方的热子发热体以及位于所述热子发热体上方的热子电位引出结构。该阴极热子组件具有一体化的稳定结构，易于制备获得。本发明还公开了该阴极热子组件的制作方法。
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