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公开(公告)号:CN103457553B
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201310365736.4
申请日:2013-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种增益和摆率增强型放大器,采用电流镜型跨导放大器(OTA)实现,由一个差分输入级单元和一个双端转单端单元构成。本发明的放大器采用增加电流控制可变电阻的方式,优化电流镜结构,使电路在相同静态功耗情况下可以得到更高的电压增益和带宽,在大信号输入时,可以得到更高的摆率。本发明电路仅需要增加4个电流控制可变电阻,即可使放大器在保持相同功耗的前提下,电路的摆率从0.88V/μs提高到4.8V/μs,带宽从2.54MHz提高到4.3MHz。本发明电路可广泛应用于可用于开关电容电路、数据转换器、混合信号片上系统等电路领域。
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公开(公告)号:CN106209099A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610488447.7
申请日:2016-06-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
CPC classification number: H03M1/0641 , H03M1/403
Abstract: 本发明提供一种基于真随机数序列的流水线模数转换器动态补偿装置,该装置包括子模数转换器、子数模转换器、真随机数产生电路和编码电路,其中真随机数产生电路用于产生真随机数序列,并将真随机数序列提供给子模数转换器,以对子模数转换器中比较器基准电压输入端对应开关的开合进行控制;子模数转换器用于将输出的数字信号提供给编码电路,编码电路用于根据数字信号生成编码信号并将编码信号提供给子数模转换器,以对子数模转换器中开关的开合进行控制。通过本发明,可以解决子模数转换器中比较器失调以及子数模转换器中电容失配的问题。
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公开(公告)号:CN105932971A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610232203.2
申请日:2016-04-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
CPC classification number: H03F1/14 , H03F3/45632 , H03F2203/45051
Abstract: 本发明涉及一种驱动宽范围容性负载的三级运算放大器,包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和频率补偿单元,所述第一级放大电路包括第一放大单元和第二放大单元,所述频率补偿单元包括第一补偿单元和第二补偿单元,所述第一补偿单元并联于第三级放大电路的输出端与第二级放大电路的输入端之间,所述第二补偿单元并联于第三级放大电路的输出端与第一放大单元的输出端之间。频率补偿单元在第一级放大电路和第三级放大电路之间插入了第二补偿电容Cm2,能驱动更大的容性负载,同时当容性负载较小时,本发明的运算放大器仍能保持稳定,即能驱动宽范围的容性负载。
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公开(公告)号:CN105655333A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201610194179.8
申请日:2016-03-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明涉及一种高维持电压的双向SCR保护结构,包括P型衬底、衬底P+掺杂区、N型深阱、衬底P+区、第一至第三N型阱、第一至第二P型阱、第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第一至第二触发P+掺杂区、第三N+掺杂区和第三P+掺杂区,所述第一N+掺杂区、第一P+掺杂区和第一N型阱形成NPN晶体管Q1,所述第三N+掺杂区、第三P+掺杂区和第一N阱形成NPN晶体管Q2,所述第一P型阱、第一N型阱和第二P型阱形成PNP晶体管Q3;还包括与第一N+掺杂区形成电流泄放通道的第一电流泄放结构和与第三N+掺杂区形成电流泄放通道的第二电流泄放结构。本发明在双向SCR的主通路上并联寄生的泄流晶体管,提高SCR维持电压的同时,不影响器件的失效电流,保持与传统结构相同保护能力。
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公开(公告)号:CN100488033C
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200710092407.1
申请日:2007-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种单片高增益低噪声放大器,它包括:第一级放大电路、第二级放大电路、一个电阻反馈网络、一个输入匹配网络、一个输出匹配网络。本发明的低噪声放大器工作在10MHz~550MHz频带内,无须外部输入输出匹配,电路简单,体积小,有效地克服了单片两级放大结构中噪声系数与带宽、输入匹配间矛盾、工作带宽窄,输入阻抗匹配困难等缺点和混合低噪声放大器工作温度范围窄、一致性差的缺点。具有较好的电路性能,便于大批量生产,在航空电子、无线通信领域中有非常广泛的应用。
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公开(公告)号:CN110391814B
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN201910688891.7
申请日:2019-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种用于芯片内数模转换器的积分非线性数字校正方法,该方法包括:获取芯片内数模转换器的积分非线性曲线;根据积分非线性曲线的特点选择适应方式进行分段拟合得到曲线拟合算法;利用曲线拟合算法的拟合系数计算数模转换器输入数据处的积分非线性曲线误差;按照积分非线性曲线误差修正数模转换器输入数据,将校正后的所述输入数据输入到数模转换器进行输出电压控制。本发明基于分段拟合使用多项式计算得到该曲线拟合,根据曲线拟合的拟合系数计算数模转换器输入数据处的积分非线性曲线误差,按照积分非线性曲线误差修正数模转换器输入数据,从而使得数模转换器满足低积分非线性的设计要求,提升了芯片内数模转换器的线性度指标。
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公开(公告)号:CN110389746B
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN201910688892.1
申请日:2019-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种硬件加速电路、微控制芯片及系统,适用于降低数模转换器因校正所产生的延迟时间,该电路包括:定点整数转浮点数单元,用于将数模转换器初始输入的定点整数转换为浮点数;多个首尾依次相连的浮点乘加器,用于根据校正算法选择相应个数的浮点乘加运算单元进行计算得到数模转换器的校正浮点数;浮点数转定点整数单元,用于将数模转换器的校正浮点数转换为校正定点整数。本发明根据校正算法选择相应数目的浮点乘加器参与运算,多次采用浮点乘加器实现多项式计算根据数模转换器的初始输入浮点数得到数模转换器的校正浮点数,将该浮点数转为数模转换器的校正定点整数;利用浮点乘加器有效降低了计算延迟,从而提高了数模转换器的转换速度。
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公开(公告)号:CN110389746A
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201910688892.1
申请日:2019-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种硬件加速电路、微控制芯片及系统,适用于降低数模转换器因校正所产生的延迟时间,该电路包括:定点整数转浮点数单元,用于将数模转换器初始输入的定点整数转换为浮点数;多个首尾依次相连的浮点乘加器,用于根据校正算法选择相应个数的浮点乘加运算单元进行计算得到数模转换器的校正浮点数;浮点数转定点整数单元,用于将数模转换器的校正浮点数转换为校正定点整数。本发明根据校正算法选择相应数目的浮点乘加器参与运算,多次采用浮点乘加器实现多项式计算根据数模转换器的初始输入浮点数得到数模转换器的校正浮点数,将该浮点数转为数模转换器的校正定点整数;利用浮点乘加器有效降低了计算延迟,从而提高了数模转换器的转换速度。
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公开(公告)号:CN109375699A
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201811345542.7
申请日:2018-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种具有高线性度的电压电流转换电路,包括输入电阻、跨导放大器、第一及第二场效应管、放大器输出电平产生装置。输入电阻的一端与输入电压相连,另一端与跨导放大器的反相输入端及第一场效应管的漏极及栅极相连,跨导放大器的正向输入端接地,第一场效应管的栅极还直接与第二场效应管的栅极相连,第一场效应管的源极与跨导放大器的输出端相连,跨导放大器的输出端还直接与第二场效应管的源极相连,第二场效应管的源极还直接与放大器输出电平产生装置相连,第二场效应管的漏极用于输出电流。本发明采用负反馈电路和线性元件进行电压电流转换,消除场效应管转换的非线性影响,极大提高电压电流转换电路的线性度。
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公开(公告)号:CN107421524A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710657230.9
申请日:2017-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G01C19/5607 , H03B5/38 , H03L5/00
Abstract: 本发明涉及一种石英晶体振荡驱动电路及其单片集成电路,其中,所述石英晶体振荡驱动电路由石英晶体、跨阻放大器、可变增益放大器和幅度检测单元构成。本发明中,跨阻放大器检测石英晶体一端的压电感应电流信号并转换为电压信号,再将该信号通过幅度检测单元来控制可变增益放大器的增益,最终使回路工作在稳幅正弦振荡状态;此外,前述石英晶体振荡驱动电路还可以适于进行单片集成,本发明的优点在于整体电路具有结构简单、体积小、功耗低以及适合标准CMOS工艺单片集成的优势。
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