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公开(公告)号：CN111737934A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010613760.5
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质。功率器件的敏感区域检测方法，用于检测功率器件的单粒子烧毁敏感区域，包括：获取功率器件的器件信息；根据器件信息构建仿真模型；将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁；如果仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。本申请可以有效降低敏感区域的检测成本。
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公开(公告)号：CN111722075A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010611079.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
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公开(公告)号：CN110221143A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910461576.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种被测器件软错误甄别方法、装置和计算机设备，在出现软错误的情况下，所述方法对被测器件进行器件异常恢复操作，并再次进行软错误检测，根据检测结果确定软错误是否来自于被测器件，从而区分被测器件与其他设备中发生的辐射效应，获得被测器件软错误率，方法简便易行。
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公开(公告)号：CN119578194A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411619597.8
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/25 , G06F30/10 , G16C60/00 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F111/08
Abstract: 本申请涉及粒子沉积和半导体抗辐射分析技术领域，公开了一种基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法，依次包括：材料和粒子源设置，能量沉积计分器的使用，单粒子事件的统计，计算软错误率，以及输出和数据分析。采用本申请，大幅地减少实地实验的需求，节省了实验所需的时间和成本。并且，通过仿真方法，设计人员能够更高效地计算α粒子在半导体器件中的能量沉积，并得到α粒子的软错误率，可依据此数据进行半导体器件的抗辐射加固设计，进而提高器件的抗辐射性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119577057A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411619724.4
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F16/31 , G06F16/35 , G06F16/3332 , G06F40/216 , G06F40/284 , G06F16/3329 , G06N3/045 , G06N5/04
Abstract: 本发明公开提供了一种基于AI大模型的辐射效应数据库智能索引方法及系统，通过辐射效应数据库智能索引系统设置对应的标签数据库，提取上传的文本数据的关键词和标签匹配，将文本数据上传到不同的标签数据库内，供用户检索查阅，本发明通过在辐射效应数据库中引入AI大模型，通过提取关键词和标签的手段对大量的文本数据进行归纳分类，辐射效应数据库基于AI大模型强大的学习能力和库内已有的研究数据，准确的给出用户所需的信息，提高数据库的数据处理，归纳整理能力，可以更加智能的回答用户的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118798022A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410771731.X
申请日：2024-06-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/27
Abstract: 本发明公开了基于机器学习模型的大气中子软错误评估方法，涉及大气分析技术领域，该方法公开了如下步骤：步骤S1：获取中子核反应次级离子信息库；步骤S2：目标芯片的单粒子效应器件仿真，获取带单粒子翻转标签的机器学习样本；步骤S3：将带单粒子翻转标签的机器学习样本作为机器学习分类算法的输入，构建中子单粒子翻转评估模型；步骤S4：计算大气中子软错误率，本发明的方法基于机器学习分类算法构建中子单粒子翻转评估模型，实现了大气中子软错误评估，可以突破已有试验评估技术的局限，提供了一种快速且低成本的大气中子软错误率评估方法。
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公开(公告)号：CN113568031B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202110654904.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测试方法，包括获取测试样品；对测试设备的背底噪声进行调试，使得测试设备的α粒子发射率小于设定值；利用完成调试的测试设备对测试样品进行α粒子发射率测试，并对测试到的α粒子进行计数；当α粒子的计数达到目标计数时结束测试，并获取测试数据；对测试数据进行分析和处理。通过在对测试过程前通过背底噪声调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响，在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用上述α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量，提高试验准确度。
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公开(公告)号：CN111709120B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010431029.0
申请日：2020-05-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。
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公开(公告)号：CN111929559B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202010626408.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/265 , G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置。方法包括：获取功率器件在单能粒子源辐照下发生单粒子效应时功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，其中，功率器件偏置在关态，且功率器件的漏端连接漏端偏压，源端和栅端接地；根据功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，获取功率器件在散裂中子源辐照下的不同漏端偏压对应的单粒子效应截面；根据单粒子效应截面和功率器件应用时的环境数据获取功率器件工作在不同漏端偏压下的失效率。采用本方法能够提高评估失效率的准确性。
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公开(公告)号：CN114994483A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210379063.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件总剂量辐射试验装置与方法，包括与控制模块连接的真空试验箱、辐射应力模块与温度应力模块，被试验器件设置于真空试验箱；控制模块根据被试验器件的器件类型获取被试验器件所需的预设总剂量辐射应力与预设温度应力，并根据预设总剂量辐射应力输出辐射试验指令至辐射应力模块，根据预设温度应力输出温度试验指令至温度应力模块；辐射应力模块根据辐射试验指令对被试验器件进行总剂量辐射试验；温度应力模块根据温度试验指令对被试验器件进行高低温试验，为复杂辐射环境下的半导体器件提供更准确的地面模拟评估试验环境，避免过高估计其在复杂辐射环境下的寿命而导致使用时提前进入磨损期，发生性能参数异常与失效。
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