公开(公告)号：CN119438844A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411619652.3

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 叶结锋 ,  张战刚 ,  雷志锋 ,  陈义强 ,  李鸿德 ,  董玉凤

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开提供了一种识别系统级封装器件辐照敏感模块的试验方法，包括以下步骤，S1、对被测SiP器件开展宽能谱中子辐照试验，获得被测SiP器件内部各模块的单粒子翻转截面σi；S2、利用现实地点的大气中子环境通量，计算出各模块的大气中子单粒子效应软错误率Ri；S3、根据各模块的大气中子单粒子效应软错误率和各模块在SiP器件中的重要性，计算出敏感度Pi；S4、根据获得的敏感度数据评估SiP器件的大气中子辐照可靠性。本发明通过敏感度判断SiP器件的大气中子辐照可靠性，该方法可评估器件的大气中子辐照可靠性，节省进行实地实验所需要的时间，帮助设计人员更高效地对器件进行抗辐照加固。

公开(公告)号：CN119578194A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411619597.8

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 董玉凤 ,  张战刚 ,  雷志锋 ,  陈义强 ,  李鸿德 ,  叶结锋

IPC: G06F30/25 ,  G06F30/10 ,  G16C60/00 ,  G06T17/20 ,  G06F111/10 ,  G06F111/08

Abstract: 本申请涉及粒子沉积和半导体抗辐射分析技术领域，公开了一种基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法，依次包括：材料和粒子源设置，能量沉积计分器的使用，单粒子事件的统计，计算软错误率，以及输出和数据分析。采用本申请，大幅地减少实地实验的需求，节省了实验所需的时间和成本。并且，通过仿真方法，设计人员能够更高效地计算α粒子在半导体器件中的能量沉积，并得到α粒子的软错误率，可依据此数据进行半导体器件的抗辐射加固设计，进而提高器件的抗辐射性能和可靠性。

公开(公告)号：CN119577057A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411619724.4

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 李鸿德 ,  张战刚 ,  雷志锋 ,  陈义强 ,  叶结锋 ,  董玉凤

IPC: G06F16/31 ,  G06F16/35 ,  G06F16/3332 ,  G06F40/216 ,  G06F40/284 ,  G06F16/3329 ,  G06N3/045 ,  G06N5/04

Abstract: 本发明公开提供了一种基于AI大模型的辐射效应数据库智能索引方法及系统，通过辐射效应数据库智能索引系统设置对应的标签数据库，提取上传的文本数据的关键词和标签匹配，将文本数据上传到不同的标签数据库内，供用户检索查阅，本发明通过在辐射效应数据库中引入AI大模型，通过提取关键词和标签的手段对大量的文本数据进行归纳分类，辐射效应数据库基于AI大模型强大的学习能力和库内已有的研究数据，准确的给出用户所需的信息，提高数据库的数据处理，归纳整理能力，可以更加智能的回答用户的问题。