公开(公告)号：CN118130994A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410277931.X

申请日：2024-03-12

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张鸿 ,  雷志锋 ,  马腾 ,  彭超 ,  张战刚 ,  何玉娟 ,  肖庆中

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定方法及装置，该方法包括：获取宽能谱中子辐照后的待确定半导体器件的各初级移位原子的动能、原子序数和质量数，以及待确定半导体器件的原子序数和质量数；根据各初级移位原子的动能、各初级移位原子的原子序数、各初级移位原子的质量数、待确定半导体器件的原子序数和待确定半导体器件的质量数，确定各初级移位原子的反冲平均位移能量损失；根据各初级移位原子的反冲平均位移能量损失和动能，确定待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤。通过本申请的方法，能够避免开展半导体器件的高通量中子辐照试验，缩短了半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定时长。

公开(公告)号：CN118688596A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410535002.4

申请日：2024-04-30

Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 ,  中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 杨柳 ,  马腾 ,  周月宾 ,  袁智勇 ,  张鸿 ,  雷志锋 ,  张战刚 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  谭旭

IPC: G01R31/26

Abstract: 本公开提供了一种功率器件的次级粒子辐照分析方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件辐射效应技术领域，包括获取待分析功率器件对应的第一特性参数以及入射中子对应的第二特性参数；根据所述第一特性参数和预设的蒙特卡罗模拟平台，构建所述功率器件对应的功率器件仿真模型；根据所述第二特性参数、所述功率器件仿真模型和所述蒙特卡罗模拟平台，模拟所述入射中子辐照所述功率器件的全生命周期，得到所述入射中子辐照所述功率器件产生的次级粒子的辐照数据。本公开不需要粒子探测器以实验的方式探测次级粒子特征，降低了探测难度，提高了探测效率，不需要特定的粒子探测器，降低了成本。

公开(公告)号：CN117388601A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311237793.4

申请日：2023-09-25

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  雷志锋 ,  彭超 ,  何玉娟 ,  马腾

IPC: G01R31/00

Abstract: 本申请涉及一种错误率确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取被测电子器件在14MeV中子诱发下产生的单粒子效应的第一单粒子效应截面；根据所述被测电子器件的类型和敏感参数，确定所述被测电子器件在所述14MeV中子诱发下产生单粒子效应和在大气中子诱发下产生单粒子效应的目标等效因子；根据所述第一单粒子效应截面和所述目标等效因子，确定所述被测电子器件在所述大气中子诱发下产生的单粒子效应的目标单粒子效应截面；根据所述目标单粒子效应截面，确定所述被测电子器件的错误率。采用本方法能够提高确定被测电子器件在大气中子诱发下产生单粒子效应的错误率的准确性和效率。

公开(公告)号：CN119644083A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411740966.9

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 何玉娟 ,  章晓文 ,  雷志锋 ,  张战刚 ,  彭超 ,  马腾 ,  张鸿 ,  恩云飞 ,  杨银堂

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明公开提供了一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，包括综合效应试验装置，将样品放入综合效应试验装置内，对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度；通过实验计算出样品的寿命时间，本发明在大气中子辐射环境中，对纳米FinFET器件进行经时击穿试验测试，以评估纳米FinFET器件在地面和飞行高度上的综合应力影响，无需单独进行两次试验进行评估，更加方便、快捷。

公开(公告)号：CN117741385A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311793569.3

申请日：2023-12-22

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) ,  南方电网科学研究院有限责任公司

Inventor： 马腾 ,  彭超 ,  雷志锋 ,  张战刚 ,  张鸿 ,  杨柳 ,  周月宾 ,  徐义良

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本申请提供一种IGBT模块大气中子失效率的评估方法、装置、电子设备和存储介质，其中，I GBT模块大气中子失效率的评估方法包括：获取I GBT模块的辐照试验的数据，其中；基于辐照试验过程中发生失效的样品数量r和有效样品总注量TSUM，计算I GBT模块的辐照试验失效率λACC；基于I GBT模块的辐照试验失效率λACC、有效样品总注量TSUM、辐照试验过程中发生失效的样品数量r，计算失效率置信区间；获取目标环境下的平均中子通量Φ；基于目标环境下的平均中子通量Φ、I GBT模块的辐照试验失效率λACC，计算I GBT模块在目标环境下的真实失效率；将I GBT模块在目标环境下的真实失效率和失效率置信区间作为I GBT模块的失效率评估结果。本申请能够实现对I GBT模块大气中子失效率进行评估。

公开(公告)号：CN117214647A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311343806.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 彭超 ,  雷志锋 ,  张战刚 ,  何玉娟 ,  马腾

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种电子器件检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。方法包括：确定待测电子器件；所述待测电子器件的背面包括未被损坏的电极结构以及背面暴露区域，所述背面暴露区域的电极结构已损坏；控制预设加压装置向所述电极结构输入偏置电压后，监测所述待测电子器件对应的实时电流；控制激光装置向所述背面暴露区域发射激光，并监测所述实时电流是否发生变化，获得监测结果；根据所述监测结果确定所述背面暴露区域是否存在辐射效应敏感区域。采用本方法能够有效检测功率器件。