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公开(公告)号：CN114348954A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111500405.8
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片键合机构及MEMS圆片键合的原位解封方法。所述MEMS圆片键合机构包括：盖帽件、MEMS功能零件、支撑件与第一加热组件，所述盖帽件键合在所述支撑件上，且所述盖帽件与所述支撑件配合形成键合部，所述MEMS功能零件键合在所述键合部上，所述第一加热组件装设在所述支撑件上，且所述第一加热组件用于对所述盖帽件与所述支撑件的键合处进行加热处理。相较于传统的原位解封方式，上述MEMS圆片键合机构能够更加有针对性的实现盖帽件与支撑件的原位解封。
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公开(公告)号：CN119269838A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411218369.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测试加速度计交叉轴灵敏度的方法，通过双离心机系统实现，方法包括下述步骤：首先，将待测加速度计固定于从离心机，使从离心机回零并定位于零位，记录待测加速度计的输出U0；接着，设定主离心机的输出加速度为预设值a，启动主离心机，使从离心机角度保持在零度角，记录此时待测加速度计的输出U1；随后，从离心机分别定位至90°、180°、270°，记录各位置待测加速度计的输出U2、U3、U4；利用公式ko＝k1×(U2‑U4)/(U1‑U3)，计算输出轴交叉轴灵敏度ko；最后，重新安装加速度计，重复上述步骤，计算摆轴交叉轴灵敏度kp。本发明的方法可精确测定加速度计的交叉轴灵敏度，提高了测量效率和准确性，适用于各类高精度加速度计测试场景。
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公开(公告)号：CN117647264A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311242286.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01C25/00
Abstract: 本申请涉及一种陀螺仪的标度因数标定方法、装置和计算机设备，具体涉及陀螺仪测试技术领域。所述方法包括：控制步进电机静止，并采集所述步进电机上待测陀螺仪的静态电压；控制所述步进电机旋转，并在所述步进电机旋转的过程中采集所述待测陀螺仪的动态电压；根据采样频率、所采集的动态电压和静态电压，以及所述步进电机的第一转动角度，确定旋转环境下所述步进电机的等效角速度和所述待测陀螺仪的等效输出电压；根据所述等效角速度和所述等效输出电压，对所述待测陀螺仪的标度因数进行标定。采用本方法能够快速准确地对标度因数进行标定，并且降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN117409893A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311221822.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种材料特性评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：在试验样品所处环境温度为第一温度的情况下，确定试验样品中器件的品质因子，得到第一品质因子；确定校准样品中器件的品质因子，得到第三品质因子；在试验样品所处环境温度从第二温度下降到第一温度后，确定试验样品中器件的品质因子，得到第二品质因子；在校准样品中的器件所处腔体的气压恒定为目标气压的情况下，确定校准样品中器件的品质因子，得到第四品质因子；确定试验样品的第一因子变化度和校准样品的第二因子变化度；基于两变化度之间的差值，确定试验样品的封装材料的吸放气特性评估结果。采用本方法能够提高材料特性评估准确度。
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公开(公告)号：CN114623790B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210106344.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B21/08
Abstract: 本申请涉及一种薄膜厚度测量装置、方法、计算机设备和存储介质。所述装置包括：样品固定模块、尺寸测量模块、谐振频率测量模块和处理模块，处理模块分别与尺寸测量模块和谐振频率测量模块连接；样品固定模块用于对预定形状的薄膜样品的所有边进行固定，以使薄膜样品的所有边上的挠度和转角均为0；尺寸测量模块用于测量薄膜样品的平面几何尺寸；谐振频率测量模块用于测量薄膜样品的谐振频率；处理模块用于接收外部输入以获取对应薄膜样品的材料物性参数，并根据薄膜样品的谐振频率、平面几何尺寸和材料物性参数得到薄膜样品的厚度。采用本方法测量薄膜厚度的过程无需破坏薄膜样品，准确度较高，同时对薄膜样品的透光性无要求，适应范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119337558A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411218381.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种考虑多种失效机制的真空封装MEMS器件腔体真空退化模型构建方法及评价方法，模型构建方法包括：(1)真空度表征：利用品质因子对腔体的真空度进行表征；(2)真空退化数理模型建模：a.计算腔体内释放的气体分子数，获取腔体内部释气导致的第一真空退化数理模型；b.计算腔体内由外部泄露进来的气体分子数，获取腔体内由外部泄露导致的第二真空退化数理模型；c.第一、第二真空退化数理模型，基于算腔体内总气体分子数与腔体气压的关系，获取腔体内部真空度退化模型。在构建的真空度退化模型基础上，本发明还提供了真空封装MEMS器件真空退化进行可靠性评价的方法，并可实现对真空封装MEMS器件真空度退化进行可靠性预计。
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公开(公告)号：CN117434213A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311222353.1
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N33/00
Abstract: 本申请涉及一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。所述方法包括：在原试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取原试验样品在各试验温度下的第一品质因子；其中，所述原试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；在开孔试验样品放置于真空腔设备，且真空腔设备中的气压为目标气压的情况下，通过对真空腔设备中的温度进行调节，获取开孔试验样品在各试验温度下的第二品质因子；根据原试验样品在各试验温度下的第一品质因子，以及开孔试验样品在各试验温度下的第二品质因子，确定原试验样品的内部材料的放气特性。采用本方法能够准确获取圆片级真空封装器件内部材料的放气特性。
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公开(公告)号：CN115586348A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211122248.6
申请日：2022-09-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P21/00
Abstract: 本申请涉及一种电容失配检测电路、方法和检测设备。所述电容失配检测电路与加速度计的差分电容结构连接，电容失配检测电路包括输入电路和控制器；输入电路分别与差分电容结构的上极板和差分电容结构的下极板连接，控制器的输出端与输入电路连接，控制器的输入端与差分电容结构的中间极板连接；输入电路，用于获取输入信号，并根据输入信号在差分电容结构的上下极板施加电压；控制器，用于获取差分电容结构的中间极板的输出信号，并在输出信号符合预设条件的情况下，根据输入信号确定差分电容结构的电容失配量化值。采用电容失配检测电路能够实现对电容式MEMS加速度计的本征电容失配值进行检测。
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公开(公告)号：CN109579683B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
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公开(公告)号：CN109579683A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
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