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公开(公告)号：CN102616734A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210110745.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种双掩膜SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于5×1018/cm3。本发明的方法包括：在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；刻蚀结构层下的绝缘层；采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。
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公开(公告)号：CN102616733A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210110744.X
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构，以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同；然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂；最后，去掉结构层下的绝缘层，利用各向异性刻蚀，刻蚀结构层下的硅衬底，释放微结构。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。
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公开(公告)号：CN102005330A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010589512.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种微惯性开关芯片及其制备方法。微惯性开关芯片包括玻璃封帽、硅管芯、硅框架和玻璃基底四部分，硅管芯为“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构。在惯性加速度作用下，方形质量块向玻璃基底运动，当惯性加速度达到闭合阈值时，方形质量块上的金属层与玻璃基底上的两个金属电极同时接触，从而提供开关闭合信号。本发明采用“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构，解决了微惯性开关低频“弹簧-质量”结构的设计问题。采用双埋层SOI硅片和MEMS微制造技术，解决了高性能梁结构的制备问题，实现了微惯性开关的低应力一体化微加工。本发明具有结构精巧、加工精度高、批量制备、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN101817497A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010185118.8
申请日：2010-05-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微结构制造的全干法刻蚀硅溶片制备方法，属于微电子机械系统（MEMS）加工技术领域。本发明的制备方法采用以下加工步骤：(a)玻璃电极制备；(b)硅台阶和微结构制备；(c)玻璃-硅静电键合和硼硅玻璃划槽；(d)硅溶片处理；制得所需的产品。本发明的制备方法使用SOI硅片，利用全干法刻蚀工艺实现微结构制造。本发明具有可动硅结构层较厚、残余应力小、无“液体桥”粘连、环保无毒害等特点，可应用于微惯性器件、光学器件、微波器件、压力传感器件等多种MEMS器件制造。
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公开(公告)号：CN101619954A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910304324.3
申请日：2009-07-14
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种全集成冲击片点火器及其制备方法，属于火工品技术领域。它基于微电子机械系统(MEMS)加工技术，在桥箔、飞片、加速膛和反射片的加工过程中同时完成了装配，有利于提高器件的装配精度，而且具备集成电路并行加工的特点，便于大批量生产和降低制造成本，并有利于提高工艺一致性和可靠性，同时使用金属桥箔，其发火时间更快，能普及应用于多种新型高安全火工品的点火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1749688A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510003246.5
申请日：2005-10-21
Applicant: 贵州久联民爆器材发展股份有限公司 , 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: F42B3/12
Abstract: 本发明公开了一种点火引爆雷管的方法及装置，它采用半导体芯片作为雷管的点火引爆材料，并通过电流脉冲流经半导体芯片使其加热，使半导体芯片的材料汽化蒸发后，产生爆炸形成高温高压等离子冲击体，通过该等离子体产生的热能和射出的等离子作用在雷管内的起爆药粒上，点燃雷管体内的炸药，从而引爆雷管。用本发明作为雷管的点火引爆装置可以大幅度提高雷管的安全性能，此外，本发明还具有抗静电、抗杂散电流、抗电磁辐射能力高、不污染环境、环境适应性强、操作简便、作用时间短和发火一致性好等优点。使用本发明可以起爆多种类型含能材料。
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公开(公告)号：CN103760382B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410017672.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种静电刚度式硅微谐振加速度传感器芯片。传感器芯片包括两个固支振梁、驱动梳齿电容固定极板、检测平行板电容固定极板、一个质量块。质量块位于两个固支振梁之间。固支振梁上的一组平行极板与质量块上的一组平行极板构成平行板电容用于给固支振梁引入静电刚度，固支振梁上的另一组平行极板与检测平行板电容固定极板构成检测平行板电容。在工作时，固支振梁双边驱动并通过检测平行板电容、驱动电路形成闭环谐振，固支振梁与质量块之间的平行板电容极板间施加直流偏置电压后给固支振梁引入一个附加静电刚度。当有加速度作用时，质量块发生位移导致一个固支振梁的静电刚度增加，谐振频率减小，另一个固支振梁静电刚度减小，谐振频率增加，两个固支振梁谐振频率差与加速度大小成正比。传感器输出为两个固支振梁的频率差，具有抗干扰能力强、精度高、使用方便等特点。
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公开(公告)号：CN102649538B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210110746.9
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法，本发明的方法包括：在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在硅片背面进行光刻，对背面硅进行刻蚀直至绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；将硅片跟玻璃进行键合；在硅片正面光刻定义MEMS结构区，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；裂片、封装、测试。本发明提出的硅玻璃键合的SOIMEMS制备方法利用绝缘层作为刻蚀自停止层，结构层厚度均匀性好；且结构层不直接跟玻璃键合，减小了衬底跟玻璃键合引入的应力对MEMS器件性能影响。
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公开(公告)号：CN103558417A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310549735.5
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , G01R27/26
Abstract: 本发明提供了一种电荷平衡式微加速度计表头差分电容检测方法及其装置，电容式微加速度计表头有两个固定电极板和活动电极板，三个电极之间构成差分电容，在两固定电极板分别施加相位互补、幅度具有动态调整特性的交流激励信号，耦合至活动电极板，检测中间电极交流电荷，经解调和比例积分控制后调整交流激励信号幅度，使得两固定电极板耦合至活动电极板电荷自动对消，形成电荷再平衡，比例积分控制输出电压正比于表头差分电容的电容差与电容和的比值。采用该方法形成的检测装置，解决了开环检测电路前向增益精度和前向增益稳定性引起的加速度计刻度稳定性差和零位稳定性差问题，避免了静电力平衡微加速度计中因介质充电效应引起的加速度计零位输出漂移的缺点，具有测量精度高、稳定性好、对不同表头兼容性好等特点。
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公开(公告)号：CN101619954B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910304324.3
申请日：2009-07-14
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种全集成冲击片点火器及其制备方法，属于火工品技术领域。它基于微电子机械系统(MEMS)加工技术，在桥箔、飞片、加速膛和反射片的加工过程中同时完成了装配，有利于提高器件的装配精度，而且具备集成电路并行加工的特点，便于大批量生产和降低制造成本，并有利于提高工艺一致性和可靠性，同时使用金属桥箔，其发火时间更快，能普及应用于多种新型高安全火工品的点火。
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