一种电极间距可调的等离子体反应腔室及电极间距调整装置

    公开(公告)号:CN103956315B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201410217144.2

    申请日:2014-05-22

    Abstract: 本发明涉及一种电极间距可调的等离子体反应腔室,包括腔室衬套、上盖和位于由所述腔室衬套、上盖构成的空腔内的电极,所述电极包括上电极和下电极,其特征在于,还包括电极间距调整机构,所述上电极包括气体分配部件、调整极板、和多晶硅极板,所述调整极板包括金属极板和石英套筒,优选的,所述金属极板为带底圆筒状,从下向上套装在所述气体分配部件上,其内壁与所述气体分配部件的外壁之间留有间隙;所述金属极板的上端与所述电极间距调整机构的下活塞杆固定连接。本发明提供的上下电极间距可调的等离子体反应腔室以及电极间距调整装置,可以精确的调节上下电极之间距离,且结构简单,操作方便,易于加工制造。

    一种配置取放装置和调节工件的位置的半导体刻蚀装置

    公开(公告)号:CN103426807B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201210155520.0

    申请日:2012-05-18

    Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置,包括腔室主体,还包括取放工件装置,所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口,射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构,螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合,且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件,避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损,提高反应腔室的使用寿命,此外取放工件装置包括两级升降机构,实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。

    一种配置取放装置和调节工件的位置的半导体刻蚀装置

    公开(公告)号:CN103426807A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201210155520.0

    申请日:2012-05-18

    Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置,包括腔室主体,还包括取放工件装置,所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口,射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构,螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合,且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件,避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损,提高反应腔室的使用寿命,此外取放工件装置包括两级升降机构,实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。

    一种可快速更换匀气方式的真空腔室

    公开(公告)号:CN103422071A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201210155362.9

    申请日:2012-05-18

    Abstract: 一种可快速更换匀气方式的真空腔室,是一包括腔筒、上盖(20)和下盖的腔体,在上盖(20)上设进气喷嘴(10),进气喷嘴连通一其下方的第一腔体构成第一布气室(160),第一布气室外壁与真空腔体内壁间构成第二布气室(170),在第一布气室腔体壁上设布气孔连通第一布气室和第二布气室;第二布气室腔体壁上设出气口,其上连设真空泵的管路;构成第一布气室的第一腔体与腔体间构成可拆连接结构,腔体上设若干连接结构与不同规格的第一布气室上的连接结构连接,构成可拆连接结构。本发明可检测不同进气方式下腔室内部空间及各气路上的压力参数,研究集成电路制造过程中气流参数对工艺的影响规律,并可显著提高IC装备腔室布气部件优化设计的可信度。

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