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公开(公告)号：CN101831576B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010204405.9
申请日：2010-06-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种Ti-Al-Cr-Mo合金及其板材的制备方法，合金组成按重量百分比为：Ti-(45-49)Al-(0.5-5)Cr-(0.1-0.3)Mo(at％)；其板材的制备方法是：一、HIP制备合金；二、从HIP制备的合金中切取轧制所需的坯料；三、将二得到的坯料置于纯钛板包套中；四、将带有包套的Ti-Al-Cr-Mo合金放入加热炉中预热，；五、对带有包套的Ti-Al-Cr-Mo合金进行小道次低变形速度的多道次轧制后放入电炉中随炉冷却；去除包套即得Ti-Al-Cr-Mo合金板材。本发明解决了Ti-Al-Cr-Mo合金较脆，高温变形较难，难于通过轧制制备Ti-Al-Cr-Mo合金板材的难题。具有工艺方法简单、工艺参数合理，对HIP法制备的合金锭坯采用包套直接轧制、轧制得到的板材变形均匀，轧制后合金组织均匀、细小，无边裂和表面裂纹，表面质量良好，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110444615B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910739894.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底，衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1‑XN紫外光吸收层、电极，所述电极为正常叉指电极的一半，沉积在AlXGa1‑XN紫外光吸收层的表面，衬底另一侧设有区域电极，所述区域电极和叉指电极的材质相同，区域电极为层状，且区域电极、衬底、AlXGa1‑XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面，减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收，在衬底下面制备区域电极，使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集，而不是在侧方向迁移收集，减少了光生载流子迁移时间，从而提高探测器的响应度，降低响应时间，增大探测器响应度，提高了使用性能。
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公开(公告)号：CN109698250B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811603514.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种栅极调控AlGaN基金属‑半导体‑金属紫外探测器及制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底，所述衬底上方由内至外依次设有AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、紫外光吸收层、及与紫外光吸收层接触的金属叉指电极；所述紫外光吸收层的上表面设有栅极绝缘层，栅极绝缘层设置于金属叉指电极之间，栅极绝缘层上设有栅电极，栅电极与金属叉指电极不接触，栅电极和栅极绝缘层形成整体，实现对探测器特性的调控。本发明通过栅极绝缘层及栅电极，利用外加电场，调控器件内电场，提高载流子的迁移速度和收集效率，从而提高探测器的响应度，降低响应时间。
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公开(公告)号：CN109698250A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811603514.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/03048 , H01L31/1085 , H01L31/1848 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种栅极调控AlGaN基金属-半导体-金属紫外探测器及制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底，所述衬底上方由内至外依次设有AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、紫外光吸收层、及与紫外光吸收层接触的金属叉指电极；所述紫外光吸收层的上表面设有栅极绝缘层，栅极绝缘层设置于金属叉指电极之间，栅极绝缘层上设有栅电极，栅电极与金属叉指电极不接触，栅电极和栅极绝缘层形成整体，实现对探测器特性的调控。本发明通过栅极绝缘层及栅电极，利用外加电场，调控器件内电场，提高载流子的迁移速度和收集效率，从而提高探测器的响应度，降低响应时间。
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公开(公告)号：CN105692722B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610195086.7
申请日：2016-03-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种降低金属氯化物喷雾热解制备氧化物过程中氯含量的方法，包括以下步骤：在粉体收集器中安装温度控制装置；将金属氯化物溶液超声雾化后进行热解实验，通过温度控制装置将粉体收集器中的温度分别控制在一系列不同的温度，然后对不同温度下收集到的粉体材料进行物相或成分分析，选择粉体物料中不含有氯或氯含量低于0.8wt％时的温度作为临界温度；把粉体收集器温度控制在所述的临界温度以上，开始进行金属氯化物喷雾热解制备氧化物的生产过程。本发明的方法可以直接得到高纯度氧化物粉体材料，无需后续单独除氯流程，从而避免了水洗、高温灼烧、电渗析等除氯方法对粉体材料物理化学性质所造成的负面影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134576B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710212576.8
申请日：2017-04-01
Applicant: 中南大学
IPC: H01M4/48 , H01M4/52 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种Co2AlO4材料及其制备方法和应用，Co2AlO4材料的制备方法包括如下步骤：将混合均匀的钴元素与铝元素的摩尔比为2:1的前驱体材料，经固相烧结，制备得到所述Co2AlO4负极材料。本发明的方法成本低，是一种合成周期短、合成条件易控制、合成方法简单、易于实现大规模生产的制备方法，采用本发明方法制备的Co2AlO4作为锂离子电池的负极材料具有十分优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN109659398A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811603494.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、AlxGa1-xN紫外光吸收层；(2)对衬底背面进行抛光；(3)在AlxGa1-xN紫外光吸收层上光刻，制作金属叉指电极；(4)在紫外焦平面阵列上制备In柱，与驱动电路，成像电路键合，制成AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统。本发明通过外延材料和器件的设计，相比传统正入式PN紫外焦平面成像系统具有以下优点：避免AlN缓冲层、衬底、金属电极对紫外光的吸收；可获得较薄且高质量的紫外光吸收层，减少载流子的迁移距离，本发明可显著提高紫外FPA探测器焦平面成像系统的性能，包括信噪比，分辨率，和灵敏度。
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公开(公告)号：CN105514421B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201610040226.3
申请日：2016-01-21
Applicant: 中南大学
IPC: H01M4/525 , H01M4/1391 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性氧化镍负极材料，以中空结构氧化镍为基体，在中空结构氧化镍中掺杂金属元素(锂、钠、钾中的一种或几种)。本发明的改性氧化镍负极材料的制备方法为：将金属元素硝酸盐和硝酸镍溶于水中混合均匀形成混合液，然后将所得的混合液通过喷雾热解处理即得到所述改性氧化镍负极材料；其中所述金属元素为锂、钠、钾中的一种或几种，混合液中金属离子与镍离子的摩尔浓度比为(1:100)～(10:100)。本发明的氧化镍负极材料为中空球形形貌，能减小锂离子的扩散路径，并在一定程度上减小循环过程中的体积变化；通过在氧化镍中掺杂锂、钠、钾金属元素可提高材料的导电性能，降低电荷转移阻抗，改善电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN106898751A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710209086.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 中南大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有富钴表层的高镍三元材料及其制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)将氯化钴溶液通过喷雾热解制备得到多孔球形Co3O4；(2)将多孔球形Co3O4与高镍三元氢氧化物前驱体、锂盐混合均匀后烧结得到所述具有富钴表层的镍基三元正极材料。该正极材料表面具有均匀的富钴包覆层，减少界面处Ni4+与电解液之间的反应。同时材料充放电过程中H2‑H3之间的相变得到了抑制，减小因此相变所引起的晶胞体积变化，从而使材料层状结构更稳定，循环性能得到提高。该制备方法中所用的原料简单易得，工艺简单、流程短。
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