一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110581186B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201910881040.4

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法,属于半导体技术领域,所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1‑XN基紫外光吸收层和叉指电极;所述叉指电极与AlXGa1‑XN基紫外光吸收层形成肖特基接触;所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括:首先在衬底的正面外延生长AlXGa1‑XN基紫外光吸收层;然后在AlXGa1‑XN紫外光吸收层上制备叉指电极;再在衬底的背面进行研磨,得到光滑平整背面;最后在光滑平整背面制作微纳结构,得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉,提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。

    一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110581186A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910881040.4

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法,属于半导体技术领域,所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1-XN基紫外光吸收层和叉指电极;所述叉指电极与AlXGa1-XN基紫外光吸收层形成肖特基接触;所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括:首先在衬底的正面外延生长AlXGa1-XN基紫外光吸收层;然后在AlXGa1-XN紫外光吸收层上制备叉指电极;再在衬底的背面进行研磨,得到光滑平整背面;最后在光滑平整背面制作微纳结构,得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉,提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。

    一种Ti-Al-Cr-Mo合金及其板材的制备方法

    公开(公告)号:CN101831576A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010204405.9

    申请日:2010-06-21

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种Ti-Al-Cr-Mo合金及其板材的制备方法,合金组成按重量百分比为:Ti-(45-49)Al-(0.5-5)Cr-(0.1-0.3)Mo(at%);其板材的制备方法是:一、HIP制备合金;二、从HIP制备的合金中切取轧制所需的坯料;三、将二得到的坯料置于纯钛板包套中;四、将带有包套的Ti-Al-Cr-Mo合金放入加热炉中预热;五、对带有包套的Ti-Al-Cr-Mo合金进行小道次低变形速度的多道次轧制后放入电炉中随炉冷却;去除包套即得Ti-Al-Cr-Mo合金板材。本发明解决了Ti-Al-Cr-Mo合金较脆,高温变形较难,难于通过轧制制备Ti-Al-Cr-Mo合金板材的难题。具有工艺方法简单、工艺参数合理,对HIP法制备的合金锭坯采用包套直接轧制、轧制得到的板材变形均匀,轧制后合金组织均匀、细小,无边裂和表面裂纹,表面质量良好,适于工业化生产。

    一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法

    公开(公告)号:CN109659398B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201811603494.7

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 汪炼成 李滔 林蕴

    Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法,属于半导体技术领域,包括以下步骤:(1)在衬底上依次外延生长AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、AlxGa1‑xN紫外光吸收层;(2)对衬底背面进行抛光;(3)在AlxGa1‑xN紫外光吸收层上光刻,制作金属叉指电极;(4)在紫外焦平面阵列上制备In柱,与驱动电路,成像电路键合,制成AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统。本发明通过外延材料和器件的设计,相比传统正入式PN紫外焦平面成像系统具有以下优点:避免AlN缓冲层、衬底、金属电极对紫外光的吸收;可获得较薄且高质量的紫外光吸收层,减少载流子的迁移距离,本发明可显著提高紫外FPA探测器焦平面成像系统的性能,包括信噪比,分辨率,和灵敏度。

    一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110444615A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910739894.9

    申请日:2019-08-12

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法,包括衬底,衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1-XN紫外光吸收层、电极,所述电极为正常叉指电极的一半,沉积在AlXGa1-XN紫外光吸收层的表面,衬底另一侧设有区域电极,所述区域电极和叉指电极的材质相同,区域电极为层状,且区域电极、衬底、AlXGa1-XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面,减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收,在衬底下面制备区域电极,使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集,而不是在侧方向迁移收集,减少了光生载流子迁移时间,从而提高探测器的响应度,降低响应时间,增大探测器响应度,提高了使用性能。

    一种AlGaN基3D倒装焊MSM阵列紫外探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN110047968A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910308276.9

    申请日:2019-04-17

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 汪炼成 李滔 林蕴

    Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基3D倒装焊MSM阵列紫外探测器的制备方法,属于半导体技术领域,包括:(1)在衬底上外延生长AlXGa1-XN紫外光吸收层;(2)在AlXGa1-XN紫外光吸收层上进行光刻,形成沟槽;(3)在AlXGa1-XN紫外光吸收层的沟槽内沉积叉指电极;(4)对衬底背面进行抛光;(5)在基板上采用版图制作基板电路;(6)在基板电路上制作焊接微凸点;(7)把紫外探测器倒转,将叉指电极两端的pad区域与微凸点焊连;本发明制作工艺简单,倒装焊技术成熟,成本低,易于实施,可以大规模推广;本发明通过叉指电极沉积在吸收层内部沟槽中,减少了光生载流子迁移时间,在外加电场作用下,提高载流子的迁移速度和收集效率,从而提高探测器的灵敏度,降低响应时间。

    一种Co<base:Sub>2</base:Sub>AlO<base:Sub>4</base:Sub>材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107134576A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710212576.8

    申请日:2017-04-01

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Co2AlO4材料及其制备方法和应用,Co2AlO4材料的制备方法包括如下步骤:将混合均匀的钴元素与铝元素的摩尔比为2:1的前驱体材料,经固相烧结,制备得到所述Co2AlO4负极材料。本发明的方法成本低,是一种合成周期短、合成条件易控制、合成方法简单、易于实现大规模生产的制备方法,采用本发明方法制备的Co2AlO4作为锂离子电池的负极材料具有十分优异的电化学性能。

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