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公开(公告)号：CN101238095A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029033.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C257/12 , C07C257/14 , C23C16/40 , H01L21/312 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/003 , C23C16/40 , H01L21/3141
Abstract: 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1－6个碳原子的烷基等；R2表示具有1－6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1－4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。
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公开(公告)号：CN1408717A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4－二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2－甲基－1，3－戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
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公开(公告)号：CN101111502B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101111502A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101511772B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780032292.5
申请日：2007-08-20
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C07C209/00 , C01G33/00 , C23C16/18 , C01G35/00 , C07F9/00
CPC classification number: C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2-二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。M1(NR1)X3(L)r+R2OM2→M1(NR1)(OR2)3(2) (3) (1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102686771A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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公开(公告)号：CN101238095B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680029033.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C257/12 , C07C257/14 , C23C16/40 , H01L21/312 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/003 , C23C16/40 , H01L21/3141
Abstract: 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1-6个碳原子的烷基等；R2表示具有1-6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1-4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。
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公开(公告)号：CN100417656C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200410032544.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法，其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R1、R7表示低级烷基，R2、R8、R12及R13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R12的数目，为0～5，n1、n2、n3分别表示取代基R2、R8和R13的个数，为0～4、R3～R6、R9～R11、R14和R15表示氢、低级烷基等(其中排除特定取代基的组合)。
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公开(公告)号：CN101511772A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032292.5
申请日：2007-08-20
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C07C209/00 , C01G33/00 , C23C16/18 , C01G35/00 , C07F9/00
CPC classification number: C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2－二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。
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公开(公告)号：CN1255417C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4-二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2-甲基-1，3-戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
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