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公开(公告)号：CN117438461A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210825586.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；源极区和漏极区，设于掩埋介质层上方；漂移区，设于掩埋介质层上，漂移区在靠近源极区的掺杂浓度小于在靠近漏极区的掺杂浓度；辅助耗尽结构，位于所述源极区和漏极区之间，且从所述漂移区的表面向下延伸，包括竖向导电结构和包围竖向导电结构的侧壁和底部的介电层。本发明漂移区在靠近源极区的区域浓度较淡、在靠近漏极区的区域浓度较浓，配合辅助耗尽结构，能够平均地分布漂移区电场强度，从而提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN117438459A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210817094.6
申请日：2022-07-12
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制备方法，半导体器件包括半导体衬底、绝缘埋层、漂移区以及多个介质隔离结构。绝缘埋层位于半导体衬底上，漂移区位于绝缘埋层上，漂移区的部分上表层设有漏区，多个介质隔离结构，位于漂移区且沿朝向漏区的方向间隔设置，至少一个介质隔离结构凸起于所述绝缘埋层且朝向所述漏区弯折。可大大提高半导体器件的横向耐压能力和纵向耐压能力，也可提高该半导体器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117410310A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210793463.2
申请日：2022-07-07
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型；阳极区，具有第一导电类型；隔离结构，包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构，以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述阳极区的下方延伸的第二结构。本发明通过设置具有第一结构和与第一结构呈一夹角并向阳极区下方延伸的第二结构的隔离结构，从而极大地拉长了阳极区的电流路径，等效于增大了集电区阱到阳极区的电阻值，使得电压折回消失，抑制了Snapback效应。
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公开(公告)号：CN112531026A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910874283.5
申请日：2019-09-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有漂移区的衬底，所述漂移区具有第一导电类型并形成于第二导电类型的所述衬底上；在所述漂移区刻蚀出下陷结构，所述下陷结构包括注入槽和/或注入孔；向所述下陷结构的底部注入第二导电类型离子；热处理使所述第二导电类型离子扩散形成第二导电类型埋层；向所述下陷结构内填充电性能调整材料，所述电性能调整材料与所述漂移区的材料不同。本发明的埋深度不受机台注入能量的限制，埋层上方可以留出足够深度的漂移区作为导电通道使得漂移区第一导电类型杂质的浓度提升，导通电阻得到降低。并且通过注入槽/孔中填充的电性能调整材料能够进一步优化器件的电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110518056A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910712108.6
申请日：2019-08-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，具有第二导电类型；漂移区，设于衬底上，具有第一导电类型；源极区，具有第一导电类型；漏极区，具有第一导电类型；纵向浮空场板结构，设于所述源极区和漏极区之间，包括设于沟槽内表面的介质层、以及填充于所述沟槽内的多晶硅，所述沟槽从所述漂移区的上表面向下贯穿漂移区伸入衬底中，所述纵向浮空场板结构的数量为至少两个，且至少有两个位于导电沟道长度方向的不同位置上。本发明位于导电沟道长度方向的不同位置上的两个纵向浮空场板结构形成平行板电容器，因此可以起到对器件分压的作用，从而改善漂移区内电场，提高器件的耐压。
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公开(公告)号：CN116978946A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210419766.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；漂移区，设于掩埋介质层上；源极区；漏极区；掩埋介质层包括耐压部和散热部，耐压部位于漏极区下方，散热部从耐压部的边缘向源极区的下方延伸，散热部的热导率高于耐压部的热导率，耐压部的介电常数小于散热部的介电常数；栅极；竖向导电结构，从漂移区向下延伸至散热部；底部介电结构，设于竖向导电结构的底部下方的散热部中，底部介电结构的介电常数小于散热部的介电常数；介电层，设于竖向导电结构的侧面。本发明可以在增强器件散热性的同时保证耐压不变差。
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公开(公告)号：CN112531026B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910874283.5
申请日：2019-09-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有漂移区的衬底，所述漂移区具有第一导电类型并形成于第二导电类型的所述衬底上；在所述漂移区刻蚀出下陷结构，所述下陷结构包括注入槽和/或注入孔；向所述下陷结构的底部注入第二导电类型离子；热处理使所述第二导电类型离子扩散形成第二导电类型埋层；向所述下陷结构内填充电性能调整材料，所述电性能调整材料与所述漂移区的材料不同。本发明的埋深度不受机台注入能量的限制，埋层上方可以留出足够深度的漂移区作为导电通道使得漂移区第一导电类型杂质的浓度提升，导通电阻得到降低。并且通过注入槽/孔中填充的电性能调整材料能够进一步优化器件的电性能。
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公开(公告)号：CN113130632A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911418234.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底内；纵向浮空场板阵列，包括若干个呈多行多列间隔排布的纵向浮空场板结构；纵向浮空场板结构包括设于沟槽内表面的介质层及填充于沟槽内的导电层，沟槽从第二导电类型的漂移区贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内；若干个第一导电类型的注入区域，位于第二导电类型的漂移区内，且位于各行相邻两纵向浮空场板结构之间。纵向浮空场板结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内，使得纵向浮空场板结构底部的电势被表面限制，从而提高了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN110350019A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810283968.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一埋层区和第二埋层区；在所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层中分别形成有阱区、源极区和漏极区，所述阱区和源极区均位于所述第一埋层区上方，所述漏极区区位于所述第二埋层区上方；其中，所述第二埋层区从靠近所述源极区的一端到靠近所述漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深。根据本发明提供的半导体器件，通过使半导体衬底内的埋层区从靠近源极区的一端到靠近漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深，漂移区结深逐渐加大，从而得到优化击穿电压和导通电阻关系的半导体器件，并且更够更好地优化半导体器件的表面电场。
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