公开(公告)号：CN103311303A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310199858.0

申请日：2013-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄宇 ,  王永平 ,  张春伟 ,  戴佼容 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。

公开(公告)号：CN103117307A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310025337.3

申请日：2013-01-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张春伟 ,  黄婷婷 ,  黄宇 ,  宋慧滨 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N-阱，在N-阱的内部设有N阱和P阱，在N阱内设有N型体接触区和P型源区，P阱内设有P型漏区，在N-阱、N阱和P阱的表面设有场氧化层，在场氧化层的表面设有多晶硅栅，在N型体接触区、P型源区、多晶硅栅、场氧化层和P型漏区的表面设有钝化层，在P型漏区和部分场氧化层的下方设有P-阱，所述P-阱底端穿过P阱且与埋氧化层相接。这个结构能够有效地抑制kirk效应的影响，降低P型漏区电场，从而提高器件的开态击穿电压和泄放电流的能力。