一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管

    公开(公告)号:CN103311303A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310199858.0

    申请日:2013-05-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管,包括:P型衬底,在P型衬底上设有P型外延层,在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区,在N型漂移区内设有N型漏区,在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层,在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅,其特征在于,在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱,在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区,重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高,使得P型基区相对于一般器件,长度更短,浓度更淡,从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。

    一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管

    公开(公告)号:CN103117307A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201310025337.3

    申请日:2013-01-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管,包括:P型衬底,在P型衬底上设有埋氧化层,在埋氧化层上设有N-阱,在N-阱的内部设有N阱和P阱,在N阱内设有N型体接触区和P型源区,P阱内设有P型漏区,在N-阱、N阱和P阱的表面设有场氧化层,在场氧化层的表面设有多晶硅栅,在N型体接触区、P型源区、多晶硅栅、场氧化层和P型漏区的表面设有钝化层,在P型漏区和部分场氧化层的下方设有P-阱,所述P-阱底端穿过P阱且与埋氧化层相接。这个结构能够有效地抑制kirk效应的影响,降低P型漏区电场,从而提高器件的开态击穿电压和泄放电流的能力。

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