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公开(公告)号：CN113257962A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509332.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管，由下到上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、p‑i‑n型多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管能够提高载流子浓度及注入效率，并可利用掺杂浓度不同的相邻区域中载流子的浓度差形成一个与原有内建电场方向相反的电场，能够削弱p型区与n型区之间原有的内建电场，降低由内建极化电场导致的量子限制斯塔克效应，从而使电子与空穴的辐射复合效率得到提高，增强紫外发光二极管的发光功率。
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公开(公告)号：CN112993102A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110509342.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，由下至上依次包括衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、B(Al,Ga)N电子减速层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN欧姆接触层。由于B(Al,Ga)N/AlGaN异质结相比AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN异质结拥有更大的导带偏移与价带偏移比，所以可以更有效地限制电子从n型区进入有源区的速率。其次，移除传统的p型掺杂电子阻挡层，可增加空穴注入有源区的效率，提高电子空穴在有源区的辐射复合效率。另外，B(Al,Ga)N电子减速层两端能够产生极化电荷，形成与电子迁移方向相同的极化电场，可减缓电子从n型区进入有源区的迁移速率，从而提高量子阱对电子的捕获效率，增加量子阱中的电子与空穴的辐射复合几率，提升UV‑LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN109254337B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811450280.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 东南大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法，该方法选用石墨烯纳米条带阵列作为吸收层，以金属槽阵列作为衬底，并在金属槽内设置相应填充介质，通过石墨烯纳米条带阵列激发石墨烯表面等离激元共振，通过金属槽支持磁共振模式的激发，使两个模式之间强耦合所产生的杂化场集中分布在石墨烯处，最终实现增强石墨烯的宽带吸收效应；其中，使用的石墨烯纳米条带阵列仅与金属梯形槽阵列的一边缘接触，满足了激发强耦合效应要求较高品质因子石墨烯等离激元模的共振条件。本发明增强的吸收带宽覆盖在中红外波段，具有高带通、低波动、高速率等特性，可以在集成全光网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN111624687A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010305577.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 东南大学
IPC: G02B5/00 , H01L31/028 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了基于金属介质椭圆腔增强石墨烯吸收结构及其制备方法；该方法以二氧化硅作为衬底，金属作为椭圆腔体外壳，二氧化硅作为椭圆腔体内的填充物，石墨烯条带作为光吸收层。通过金属介质椭圆腔结构激发腔体模式，通过石墨烯条带阵列激发石墨烯表面等离子体模式，利用二者之间的强耦合效应来实现单层石墨烯在中红外波段中的宽谱光吸收。本发明实现的石墨烯条带的吸收具有宽谱、强吸收等特性，可以应用在中红外波段中的高性能石墨烯光电器件中。
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公开(公告)号：CN111599903A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010578934.9
申请日：2020-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外LED，包括由下至上依次设置的衬底、低温AIN成核层、高温AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Alx1Ga1-x1N/Alx2Ga1-x2N多量子阱有源区、极化掺杂复合极性面电子阻挡层和p型Alx5Ga1-x5N层，所述n型AlGaN层上设置n型欧姆电极，所述p型Alx5Ga1-x5N层上设置p型欧姆电极，所述极化掺杂复合极性面电子阻挡层包括由下至上设置的氮极性面p型Alx3Ga1-x3N电子阻挡层和金属极性面p型Alx4Ga1-x4N电子阻挡层。本发明的极化掺杂复合极性面电子阻挡层具有更高的电子阻挡层空穴浓度，有利于p型Alx5Ga1-x5N层的空穴注入；减小了有源区与电子阻挡层的晶格失配，提高了外延层晶体质量；增加了有源区电子空穴的辐射复合效率，提高了紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN111599902A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010578531.4
申请日：2020-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下向上依次设置的衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱有源区、空穴注入结构电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层，还包括设置在所述n型氮化物层上的n型电极，以及设置在所述透明导电层上的p型电极。本发明空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管实现有源区与电子阻挡层之间的应力匹配，有效抑制电子的泄露，同时降低Mg扩散进入有源区的概率，进而提升LED的发光效率；提高空穴的纵向迁移能力，从而显著提升空穴注入效率；异质结界面处的极化电场在空穴注入层一侧形成的二维空穴气，改善电流的拥堵效应。
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公开(公告)号：CN110274892A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910566962.6
申请日：2019-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明公开了一种基于跑道型微环谐振器的Fano折射率传感器，包括一个直线信道波导、两个闭合跑道型波导和一个断口跑道型波导；两个闭合跑道型波导位于直线信道波导同侧，且每个所述闭合跑道型波导均包括第一上直道段和第一下直道段；每个所述闭合跑道型波导的第一上直道段均与直线信道波导耦合；所述断口跑道型波导包括第二上直道段和第二下直道段；每个所述闭合跑道型波导的第一下直道段均与第二上直道段耦合，形成两段下耦合区域；且第二上直道段中位于两段下耦合区域之间的部分设置有断口。本发明使用时，输入的光在传感器中经过不同的路径，最终在输出端干涉从而形成尖锐的Fano线形，实现高灵敏度，高品质因子，低误差的液体折射率检测功能。
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公开(公告)号：CN109444405A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811175579.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N33/533 , G01N33/543 , G01N21/64
Abstract: 本发明涉及免疫检测技术领域，具体涉及基于荧光预猝灭和表面增强荧光效应的免疫检测方法，该方法包括如下步骤：第一步、制备金属纳米粒子-抗体复合物；第二步、制备荧光预猝灭免疫基底；第三步、利用荧光预猝灭免疫基底和金属纳米粒子-抗体复合物进行免疫检测。本发明将荧光预猝灭和表面增强荧光效应相结合，能够实现低检测限的免疫检测，并且具有成本低廉，操作简单的特点。
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公开(公告)号：CN109361136A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811415472.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种高速更新微波任意波形的发生系统，光源、光子集成芯片和光电探测器；光子集成芯片包括若干个集成波形发生单元和一个集成波形选择单元，光源与集成波形发生单元的输入端通过光纤相连，集成波形发生单元的输出端通过光波导与集成波形选择单元的输入端相连，集成波形选择单元的输出端通过光纤与光电探测器的输入端相连。本发明通过光子集成方案实现微波任意波形发生，利用多个集成波形发生单元扩展波形种类，利用集成波形选择单元实现波形的高速更新，解决了现有技术中成本高、尺寸大、功耗高、波形种类较少、波形更新速率较低等问题。
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公开(公告)号：CN109283166A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811295032.3
申请日：2018-11-01
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/64 , G01N33/533 , G01N33/543 , C09K11/02 , C09K11/58
Abstract: 本发明公开一种固相荧光免疫检测的原位增强方法，涉及荧光增强技术领域。包括如下步骤：第一步、制备荧光增强剂；第二步、在常规固相基底上进行荧光免疫检测；第三步、将荧光增强剂自组装到常规固相基底上的蛋白质分子表面，进行荧光原位增强。本发明利用荧光增强剂对固相荧光免疫检测进行原位增强，提高了荧光信号强度，避免了因引入金属纳米基底而带来的应用范围受限、批次间一致性、稳定性及生物活性等问题，并且具有操作简单，成本低廉的特点。
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