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公开(公告)号：CN111599902A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010578531.4
申请日：2020-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下向上依次设置的衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱有源区、空穴注入结构电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层，还包括设置在所述n型氮化物层上的n型电极，以及设置在所述透明导电层上的p型电极。本发明空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管实现有源区与电子阻挡层之间的应力匹配，有效抑制电子的泄露，同时降低Mg扩散进入有源区的概率，进而提升LED的发光效率；提高空穴的纵向迁移能力，从而显著提升空穴注入效率；异质结界面处的极化电场在空穴注入层一侧形成的二维空穴气，改善电流的拥堵效应。
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公开(公告)号：CN111599902B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010578531.4
申请日：2020-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下向上依次设置的衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱有源区、空穴注入结构电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层，还包括设置在所述n型氮化物层上的n型电极，以及设置在所述透明导电层上的p型电极。本发明空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管实现有源区与电子阻挡层之间的应力匹配，有效抑制电子的泄露，同时降低Mg扩散进入有源区的概率，进而提升LED的发光效率；提高空穴的纵向迁移能力，从而显著提升空穴注入效率；异质结界面处的极化电场在空穴注入层一侧形成的二维空穴气，改善电流的拥堵效应。
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