全数字锁相环内建自测试结构

    公开(公告)号:CN103986459A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410168720.9

    申请日:2014-04-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种全数字锁相环内建自测试结构,将参考信号和测试信号之间的时间差转换为数字信号输出,包括信号处理单元、第一双路开关MUX1、第二双路开关MUX2、待测锁相环和计数器,所述待测锁相环为电荷泵锁相环;参考信号和测试信号分别通过第一双路开关MUX1和第二双路开关MUX2连接待测锁相环的输入端,由待测锁相环将两个输入信号的时间差△T转化为频率变化△f,再通过计数器记录脉冲数,将频率变化△f转换为计数值的变化△N。本发明提供的全数字锁相环内建自测试结构,具有全数字、高精度、低成本的特点。

    一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构

    公开(公告)号:CN103326728A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310285965.5

    申请日:2013-07-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构,通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声,将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中,因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形,即在相同积分器个数的情况下,将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上,提出一种噪声抑制增强技术,其所能实现的量化噪声抑制阶数,比调制器中积分器的个数要高;在实现相同性能的情况下,降低了整体功耗,减小了芯片面积,大大提高了经济效益。

    一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路

    公开(公告)号:CN102981545A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210508888.0

    申请日:2012-12-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源,该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器(A1);曲率补偿电路包括第零PMOS管(PM0)、第一PMOS管(PM1),第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2),第零三极管(Q0)、第一三极管(Q1);基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3),用于产生正温度系数电流的第零电阻(R0)和用于产生负温度系数的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)等。本发明能够在很大的温度范围内具有较低的温度系数的基准电压。

    一种低电压高线性度上变频器及上变频信号输出方法

    公开(公告)号:CN104539241B

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201510041273.5

    申请日:2015-01-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种低电压高线性度上变频器及上变频信号输出方法,由跨导电路、本振开关以及负载电路构成,利用负反馈电路构造基于超级源跟随结构的跨导电路,使得流过本振开关的中频电流与输入电压呈现高度线性关系;并利用电流镜将转换电流复制并注入到本振开关,经本振开关的变频作用产生上变频信号以及谐波混频产物,再经负载电路滤除谐波混频产物,输出纯净的上变频信号。本发明可显著提升整个上变频器的线性度。同时本发明的上变频器将电源地之间层叠的晶体管数目控制在三个以内,可有效适应低电源电压的应用场合。

    一种基于扩展汉明码的二维乘积码编码装置及编码方法

    公开(公告)号:CN104601180B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201510073415.6

    申请日:2015-02-11

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H03M13/29

    Abstract: 本发明公开了一种基于扩展汉明码的二维乘积码编码装置及编码方法。该编码装置包括:信息输入缓存模块、编码信息存储电路模块、子码编码逻辑电路模块、编码控制电路模块,子码编码逻辑电路模块包括:可重构行码编码运算电路和可重构列码编码运算电路。该装置通过采用寄存器组进行信息存储,再利用编码运算电路模块进行二维乘积编码,同时通过编码控制电路模块对每个时序进行控制使得行、列编码同步进行以及在编码信息输出的同时进行双重校验位的生成,大大降低了编码延时,提高编码电路的吞吐率。

    一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构

    公开(公告)号:CN103326728B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201310285965.5

    申请日:2013-07-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构,通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声,将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中,因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形,即在相同积分器个数的情况下,将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上,提出一种噪声抑制增强技术,其所能实现的量化噪声抑制阶数,比调制器中积分器的个数要高;在实现相同性能的情况下,降低了整体功耗,减小了芯片面积,大大提高了经济效益。

    一种低失调的预放大锁存比较器

    公开(公告)号:CN103762962B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410001389.1

    申请日:2014-01-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种低失调的预放大锁存比较器,包括基础预放大锁存比较器、失调补偿对管、失调校准开关和失调校准控制电路,所述基础预放大锁存比较器包括第一级的预放大器、第二级的锁存器,所述失调补偿对管包括失调调整管,所述失调调整管并联在预放大器的输出端,通过改变失调调整管的栅压来调整整个比较器的失调电压;所述失调校准控制电路采用数字双向移位器存储失调信息并控制失调补偿电路进行失调校准。本发明提供的低失调的预放大锁存比较器,在现有的预放大锁存比较器的基础上加入了基于数字存储和控制的失调校准控制电路,能够将预放大锁存比较器的失调减小到原来的1/N,经过校准后的比较器大幅度地减小了失调。

    一种基于改进型稠密轨迹的移动边界采样的行为识别方法

    公开(公告)号:CN105160290A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510386962.X

    申请日:2015-07-03

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: G06K9/00335 G06K9/00711 G06K9/6269

    Abstract: 本发明公开了一种基于改进型稠密轨迹的移动边界采样的行为识别方法,研究表明改进型稠密轨迹在行为识别上可以取得最先进的结果,但是它耗内存且计算复杂。因此,在不影响识别率的情况下,用移动边界采样方法来减少轨迹数,能节省内存并提高后期的处理速度。首先基于移动边界采样的改进型稠密轨迹来提取局部底层特征;其次使用Fisher核对局部底层特征进行聚类,形成Fisher向量,以提高特征的紧凑性、有序性;在FV作为分类器的输入之前对它们采用LDA/CA的降维技术来提高存储效率、训练和测试的时间并且进一步提高特征辨别性;最后对于不同的描述器采用后融合技术进行数据的结合或者FV向量之间的融合,从而来提高识别率。

    一种基于扩展汉明码的二维乘积码编码装置及编码方法

    公开(公告)号:CN104601180A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201510073415.6

    申请日:2015-02-11

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H03M13/29

    Abstract: 本发明公开了一种基于扩展汉明码的二维乘积码编码装置及编码方法。该编码装置包括:信息输入缓存模块、编码信息存储电路模块、子码编码逻辑电路模块、编码控制电路模块,子码编码逻辑电路模块包括:可重构行码编码运算电路和可重构列码编码运算电路。该装置通过采用寄存器组进行信息存储,再利用编码运算电路模块进行二维乘积编码,同时通过编码控制电路模块对每个时序进行控制使得行、列编码同步进行以及在编码信息输出的同时进行双重校验位的生成,大大降低了编码延时,提高编码电路的吞吐率。

Patent Agency Ranking