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公开(公告)号：CN119667869A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510123623.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅波导器件的偏振不敏感型2×2马赫‑曾德尔光开关。氮化硅波导层配置包括两个光输入波导、两个2×2弯曲波导型3dB定向耦合器、两个对称马赫‑曾德尔干涉(MZI)臂以及两个光输出波导；两个光输入波导分别与第一2×2 3dB定向耦合器的两个输入端口耦合，通过两路对称MZI臂，其中某一MZI臂直波导附有热电极可进行光信号相位调制，将两路MZI臂输出光输入至第二2×2 3dB定向耦合器，使得两路MZI臂输出光进行合并干涉，并分别引出两路输出波导。本发明基于氮化硅方形波导及2×2弯曲波导型3dB定向耦合器，具有偏振不敏感、大带宽、低插损、高消光比等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118311712A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410569499.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种完全垂直双层变迹光栅耦合器，包括：自上而下依次叠放在一起的氧化物上包层、氮化硅光栅层、底部硅光栅反射层、氧化物下包层以及硅衬底层，所述氧化物上包层与氧化物下包层的材质一致，均为二氧化硅，且折射率应小于光栅耦合器中的材质硅和氮化硅，本发明中光纤以垂直角度入射，不需要研磨光纤端面，无需复杂的对准或测试，可以有效降低芯片封装成本，同时保证了较高的耦合效率，更有利于晶圆级测试与后道工艺里的封装。
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公开(公告)号：CN116165742A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310161920.0
申请日：2023-02-24
Applicant: 东南大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成底部反射层的双层氮化硅光栅耦合器，涉及光通信以及微波光子学领域。其包括自上而下设置的氧化物上包层、第二氮化硅光栅层、氧化物夹层、第一氮化硅光栅层、氧化物下包层、底部反射层以及衬底层，两层光栅都完全包埋在氧化物上下包层中，且在水平和垂直方向都有固定的间距。第一氮化硅光栅层以一定周期和填充占空比均匀排列，第二氮化硅光栅层采用了切趾处理。双层光栅设计能实现很高的指向性，抑制旁瓣。底部反射层采用多层分布式布拉格反射设计，有效防止向下耦合的光场泄露到衬底。
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公开(公告)号：CN114690313A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210440234.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器，包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导，形成一分二功分器或二合一耦合器，适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中，具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。
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公开(公告)号：CN114675373A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210319254.4
申请日：2022-03-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器，包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导，形成一分二功分器或二合一耦合器，适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中，具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。
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