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公开(公告)号：CN109282923A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811366142.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器，其包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源，顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层，顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与电致变色器件的工作电极相连，顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线，电致变色器件的对电极接地；第二开关连接恒定电源的负极与第一开关，且第二开关、恒定电源所在旁路与电致变色器件相并联。另外，本发明提供了一种半导体压力传感器的压力测量方法，该方法无需使用复杂的接口电路，通过眼睛直接观察颜色即可获得当前环境的压力信息。本发明的半导体压力传感器具有功耗低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN110289181A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910495328.8
申请日：2019-06-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种柔性固态超级电容器及其制备方法、柔性可穿戴设备。制备方法包括以下步骤：S110、提供柔性基底；S120、在柔性基底的第一表面形成第一集流体，在柔性基底的第二表面形成第二集流体；S130、在第一集流体表面形成工作电极，在第二集流体表面形成对电极；S140、在柔性基底的容纳孔内填充固态电解质，且固态电解质覆盖工作电极和对电极，以完成柔性固态超级电容器的制备。本发明有效减小厚度和体积、结构紧凑，提高体能量密度和体功率密度，有助于提升器件的功率，并且可避免现有柔性超级电容器在反复弯曲过程中各层之间剥离的问题，具有更优的机械稳定性能。
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公开(公告)号：CN109283224A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811366146.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种MEMS湿度传感器及其操作方法，该湿度传感器包括衬底、位于衬底上方的第一绝缘层，位于第一绝缘层上方且间隔设置的压电传感器单元与电致变色单元，压电传感器单元与电致变色单元的一侧之间通过显示开关单元相连，电致变色单元的另一侧设置有重置开关单元，当显示开关单元闭合且重置开关单元断开时，压电传感器单元吸湿后发生形变并产生压电电压，在压电电压作用下电致变色单元发生反应以通过颜色变化显示湿度信息。上述MEMS湿度传感器无需额外增加复杂的接口电路，通过人眼即可直接快速获得当前环境的湿度信息，具有设计和制备简单、成本低、体积小、功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN108155191A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711249418.6
申请日：2017-12-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开了一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法，该多值阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极和漏极的交叠部分构成的阻变型存储器；其中半导体层上方设置顶栅，下方两侧分别设置有源极和漏极，半导体层位于源极和漏极之间的部分称为沟道，沟道底部与栅氧化层接触，栅氧化层下方设置有底栅。本发明提供的多值阻变型非易失性存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小、存储密度高等优点。基于本发明的多值阻变型存储器的操作方法能够有效地进行多值存储。
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公开(公告)号：CN108091656A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711249419.0
申请日：2017-12-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
Abstract: 本发明公开了一种阻变型非易失性存储器及其操作方法，该阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极或者漏极的交叠部分构成的一阻变型存储器；其中半导体层上方设置顶栅，下方两侧分别设置有源极和漏极，半导体层位于源极和漏极之间的部分称为沟道，沟道底部与栅氧化层接触，栅氧化层下方设置有底栅。本发明提供的半导体阻变型存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小等优点。基于本发明的阻变型存储器的操作方法能够有效地进行存储。
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公开(公告)号：CN109490290A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811366834.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种半导体湿度传感器及其操作方法，其包括：设置在基底上的传感器单元与电致变色单元，传感器单元包括依次设置于基底上的栅极、栅氧化层、半导体层、设置于半导体层上相对两侧的源极与漏极，源极分别与电致变色单元的第一电极和开关的一端相连，漏极与电源线相连，开关的另一端与电源的一端相连，电源的另一端与电致变色单元的第二电极分别与地线相连，传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息。上述半导体湿度传感器通过传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息，从而通过人眼即可直接快速获得当前环境的湿度信息。
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