公开(公告)号：CN103762969A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410020857.X

申请日：2014-01-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张允武 ,  陈健 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03K19/003

Abstract: 一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、RS锁存器和驱动器，高压电平移位电路将输入的两路低压脉冲信号转换为两路高压脉冲信号输出，两路高压脉冲信号分别经处理后进入RS锁存器，RS锁存器的输出至驱动器，驱动器输出驱动信号控制外部功率管的开关。本发明对高压电平移位电路进行了改进，改进后的高压电平移位电路包含两个完全相同的独立部分，每个独立的部分均包括两个LDMOS管，一个延时单元，一个齐纳稳压管，一个电容，一个电阻和一个中压PMOS管。本发明能够消除dV/dt干扰噪声和差模噪声，并能在消除噪声干扰的同时，不影响正常信号的传递，同时还加大了允许的负VS电压。

公开(公告)号：CN100470840C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610041323.0

申请日：2006-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱内设有P型接触孔和N型源，在N型漂移区内设有N型漏，在P型阱和N型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于P型阱与N型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在P型接触孔和N型源上、多晶硅栅上、N型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有的多晶硅场极板与多晶硅栅连接，N型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，沿N型源至N型漏的方向依次排列，掺杂浓度由大到小依次为第四区、第三区、第二区、第一区。

公开(公告)号：CN101232284A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810020736.X

申请日：2008-02-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 李海松 ,  吴虹 ,  孙伟锋 ,  易扬波 ,  时龙兴

IPC: H03K19/0185 ,  H03K17/13 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级(1)、缓冲级(2)、高压输出级(3)，第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)，电平转换级(1)的输出(HV2)和第三控制信号(LV3_1、LV3_2、……LV3_n)接缓冲级(2)，缓冲级(2)的输出(HV3_n)和第四、第五控制信号(LV4、LV5)接高压输出级(3)，高压输出级(3)中包含由高压N型MOS管组成的抗电磁干扰电路模块，上述第五控制信号(LV5)接上述N型MOS管栅极，上述高压输出级的输出接上述N型MOS管漏极，上述N型MOS管源极接地。它能够在不增加版图面积的前提下，用简单电路实现减小电磁干扰功能。

公开(公告)号：CN101149628A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710134482.X

申请日：2007-10-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 夏晓娟 ,  谢亮 ,  孙伟锋 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G05F3/24

Abstract: 本发明公开了对电源电压变化的敏感程度很小的高稳定性的一种基准电压源电路，包括电压源电路，电源预调整电路，电源预调整电路的电压输入端接电源Vdd，其预调整电源端连接电压源电路的输入供电源端，电压源电路的基准电压输出端连接电源预调整电路的电压反馈端，且输出基准输出电压Vref。本发明的带有电源预调整电路的基准电压源电路工作时，不同电源电压输入条件下输出电压非常稳定，对电源电压变化的敏感程度很小；且能够在获得低温度系数基准电压源的同时，减小了基准电压源输出电压对电源电压变化的敏感程度，同时增强了电路的抗电源抖动能力；且其电路结构简单，适应性广，成本低。

公开(公告)号：CN101132002A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710133266.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 李海松 ,  吴虹 ,  孙伟锋 ,  易扬波 ,  时龙兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构及制备方法，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本发明结构及制备方法，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。

公开(公告)号：CN100369265C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510094031.9

申请日：2005-08-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  时龙兴 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  宋慧滨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种用作高压器件的三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有氧化层，在氧化层上设有柱状P型漂移区，在氧化层上且位于P型漂移区两端分别相邻设置P型漏和P沟道，在氧化层上且位于与P沟道相邻的位置设有P型源，在P型漂移区的表面包覆有场氧化层，在P沟道的表面包覆有栅氧层，在场氧化层和栅氧层的表面包覆有多晶硅层；本发明具有结构紧凑且能与标准SOI金属氧化物半导体工艺相兼容，在相同的击穿电压下，导通电阻小于传统的高压横向双扩散金属氧化物半导体管的三分之一，而电流密度增加2倍以上等优点。

公开(公告)号：CN101026190A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710021129.0

申请日：2007-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  吴虹 ,  戈喆 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种沟槽高压N型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的N型漏区，在N型漏区上设有N型外延，在N型外延上设有P型阱，在P型阱上设有N型源区和P型接触孔，在P型阱及N型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与P型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有P型区，在多晶硅栅与P型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及N型源区的上方覆有二氧化硅，在N型源区及P型接触孔上连接有铝引线。其制备是在N型硅片上制备一层N型外延，在其上形成P型区，此后，淀积二氧化硅填满沟槽，再反刻出沟槽，生长栅氧化层，刻蚀出栅区，形成器件源区，再制备衬底接触区，最后刻孔并制备金属铝引线。

公开(公告)号：CN1275388C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410041564.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴 ,  易扬波

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/0948

CPC classification number: H03K19/0013 ,  H03K5/1515 ,  H03K17/162 ,  H03K2217/0036

Abstract: 低功耗CMOS型高压驱动电路涉及一种作为输出驱动之用的高压驱动电路，在电平转换级的输出端和高压输出级的输入端之间设有输出缓冲级，由一个高压PMOS管和一个高压NMOS管组成，高压PMOS管的源与电源连接，其栅电极作为本级输出缓冲单元的输入端与上一级输出缓冲单元的输出端连接；高压NMOS管的源接地，其栅电极作为第3i时序信号接收端，高压PMOS管的漏与高压NMOS管的漏连接并作为本级输出缓冲单元的输出端且与下一级输出缓冲单元的输入端连接，首级输出缓冲单元的输入端作为输出缓冲级的输入端与电平转换级的输出端连接，末级输出缓冲单元的输出端作为输出缓冲级的输出端与高压输出级的另一个输入端连接。

公开(公告)号：CN1221034C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN02138394.4

申请日：2002-09-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在源下方设有P型阱，在P型阱上设有P型阱接触孔，P型阱、漏和场氧设在P型衬底上，源连接有场极板。本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板即与地相接，从而获得低电压，而极板上的电压越低，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。

公开(公告)号：CN1212673C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03112625.1

申请日：2003-01-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  孙伟锋 ,  易扬波 ,  陆生礼

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种内置保护P型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有N型外延接触孔、源、漏、场氧化层和多晶栅，在多晶栅的下方有栅氧化层，在N型外延接触孔、源、漏、场氧化层及多晶栅的上方有氧化层，在漏和场氧化层的下方设有P型漂移区，在N型外延接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在N型外延接触孔、源及P型漂移区与P型衬底之间设有N型杂质区，位于多晶栅的末端下方并在场氧化层的下面设有N型保护阱且该N型保护阱位于P型漂移区内。本发明引入了N型保护阱，N型保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而提高了器件击穿电压。