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公开(公告)号：CN113652744B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110916531.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
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公开(公告)号：CN113417002A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110702453.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN114790576A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210456838.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备B10或B11同位素富集的六方氮化硼单晶的方法，该方法使用低成本的同位素富集的硼酸进行同位素富集六方氮化硼单晶的生长，基于大规模国产化的低成本硼酸作为原料，利用常压高温方法来制备高质量、高丰度六方氮化硼单晶。这种方法的特点是：1.结构简单，成本优势巨大并且生长效果显著，可有效的抵制美国对于原料的控制，可在一定程度上提高国内硼同位素相关产品研发的进度；2.获得的单晶质量比拟于或者优于硼粉方法制备的单晶。
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公开(公告)号：CN111334850B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010217437.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种改善大块六方相氮化硼单晶质量的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法步骤如下：将六方氮化硼粉末或硼粉放入六方氮化硼坩埚中，然后将镍铬合金放至六方氮化硼粉末或者硼粉上方，掺入金单质，最后将六方氮化硼坩埚放入CVD管式炉加热温区；关闭CVD炉管两端进出气口法兰阀门，用真空泵将CVD炉管抽至真空，抽完关闭真空泵，通氮气流至常压，除尽炉管中空气，最后通入氮气流保护；高温加热样品至熔融并保持一段时间，然后缓慢降温，结束加热，自然冷却，取出样品。本发明所述方法步骤简单，效果显著，可以大幅改善毫米级别的大块氮化硼单晶的质量，能够显著降低单晶中沟槽的产生，大大改善所生长单晶的质量。
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公开(公告)号：CN111334850A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010217437.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种改善大块六方相氮化硼单晶质量的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法步骤如下：将六方氮化硼粉末或硼粉放入六方氮化硼坩埚中，然后将镍铬合金放至六方氮化硼粉末或者硼粉上方，掺入金单质，最后将六方氮化硼坩埚放入CVD管式炉加热温区；关闭CVD炉管两端进出气口法兰阀门，用真空泵将CVD炉管抽至真空，抽完关闭真空泵，通氮气流至常压，除尽炉管中空气，最后通入氮气流保护；高温加热样品至熔融并保持一段时间，然后缓慢降温，结束加热，自然冷却，取出样品。本发明所述方法步骤简单，效果显著，可以大幅改善毫米级别的大块氮化硼单晶的质量，能够显著降低单晶中沟槽的产生，大大改善所生长单晶的质量。
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