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公开(公告)号：CN109292723B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811018589.2
申请日：2018-09-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料制备三维结构的方法。该方法先选取洁净的衬底，并在衬底上制备二维材料；利用光刻技术在步骤1中制备的二维材料上刻蚀图形；对衬底上的二维材料进行固定；利用二维材料转移的方法对二维材料进行局部拾取，之后使其部分脱离衬底，并进行拉伸或者压缩；将处理后的二维材料重新固定在衬底上，拾取臂释放处理后的二维材料，即得二维材料的三维结构的半成品；对半成品进行定形处理，最终得到成品。本发明结合现有成熟的材料加工技术，形成各种复杂平面图形，且这些平面图形具有很好的灵活性适合用于制备不同的三维结构，成本低廉，方法简单，可大面积、大通量的制备，便于产业化，尤其适合用于制备微米尺寸的结构。
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公开(公告)号：CN111697091A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010285887.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能二维材料光电探测器及其制备方法。该探测器使用二硫化锡应用在感光层，六方氮化硼应用在栅绝缘层，石墨烯应用在电极，具有吸收光照的范围更广，响应度和探测度更高，而且响应时间比较快。此外，使用机械转移法构建器件的过程比较简单，并可以直接在大气环境完成，器件的质量较高。本发明为新型光电探测器提供了一种新颖、高效的构建方案，为二维材料光电子器件、新型传感器器件的发展提供一条新的发展思路，具有深刻和广泛的研究意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN108502620B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201810214493.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 东南大学
IPC: B65H45/30
Abstract: 本发明公开了一种二维材料的折叠系统及其使用方法。在衬底上放置二维材料；将热释放胶带的黏性面粘在折纸臂上。通过显微镜筒，操控XYZR四轴微调平台和XYZ三轴微调平台，使得热释放胶带的另一面对准二维材料后，向下移动折纸臂，使得热释放胶带与二维材料紧密接触并粘合；抬起折纸臂，使得二维材料部分从衬底剥离；横向移动折纸臂，对二维材料进行形变弯折；向下移动折纸臂并施加一定的压力，对获得的结构进行定型；加热折纸臂上的热释放胶部分，对二维材料进行释放；释放后，向上移动折纸臂，获得经过折叠的二维材料；重复该操作，获得所需折叠结构。本发明系统可操作性强，可获得多种折纸结构。
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公开(公告)号：CN110067027A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910317457.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法，属于功能材料制备技术领域。具体过程如下：以六方氮化硼粉末或者硼粉为原料，掺入一定量的纯碳粉，在氮气流中，将催化合金放在原料粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，令粉末充分溶于合金中，达到饱和后，以极低速度降温，晶体会在金属合金表面析出，生长出高产量高质量的六方氮化硼单晶。目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题是晶体生长困难、产量小、质量低，而本发明所述方法结构简单，原理清晰，效果显著，对于提高六方氮化硼单晶的产量具有很优异的效果，同时对于六方氮化硼的广泛应用以及其他半导体材料或二维材料的研究与发展也具有重大意义。
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公开(公告)号：CN108680702A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810228915.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 东南大学
IPC: G01N33/00
CPC classification number: G01N33/007 , G01N2033/0072
Abstract: 本发明公开了一种测试传感器响应速度的装置及其测试方法。该装置包括至少一组测试腔体、进气机构和排气机构。所述测试腔体内设有参考传感器和样品架，所述样品架的位置和温度可调节，所述样品架上方设有进气机构，其通过供气罐依次与阀门2、阀门1和喷嘴连通，所述导气管方位调节机构位于阀门2和阀门1之间的导气管上，且位于测试腔体内。测试前先利用软件模拟装置确定部件位置以及各阀门开度；确定各重要连接所有测试信号；由进气孔道往测试腔体中通入背景气体，读取传感器件的测试值；调节待测传感器和喷嘴的相对位置，喷入测试目标气体，测试待测传感器的瞬态响应。本发明装置结构简单，方法新颖、高效且不受使用环境限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828375B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201911021313.4
申请日：2019-10-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种快速、无刻蚀的转移二维材料和制备异质结的方法，属于人工微结构制备技术领域。所述方法在显微操作台下利用透明柔性非水溶性聚合物薄膜和水蒸气将第一二维材料从第一目标衬底转移至聚合物薄膜，然后将第一二维材料堆叠到衬底为第N目标衬底的第N二维材料上表面，重复相同步骤，依次将第二二维材料、……、第（N‑1）二维材料堆叠到转移至第N二维材料上表面的第一二维材料上表面，从而制得二层或多层异质结。解决了现有技术存在的操作复杂问题并尽可能避免材料污染，本发明无刻蚀和去除聚合物步骤，简单高效、用时短、成功率高，可以实现一个或多个二维材料的定点、大面积和大通量转移。二维材料转移前后形状保持完整，光学性质保持较好。
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公开(公告)号：CN110067027B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910317457.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法，属于功能材料制备技术领域。具体过程如下：以六方氮化硼粉末或者硼粉为原料，掺入一定量的纯碳粉，在氮气流中，将催化合金放在原料粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，令粉末充分溶于合金中，达到饱和后，以极低速度降温，晶体会在金属合金表面析出，生长出高产量高质量的六方氮化硼单晶。目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题是晶体生长困难、产量小、质量低，而本发明所述方法结构简单，原理清晰，效果显著，对于提高六方氮化硼单晶的产量具有很优异的效果，同时对于六方氮化硼的广泛应用以及其他半导体材料或二维材料的研究与发展也具有重大意义。
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公开(公告)号：CN110828375A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911021313.4
申请日：2019-10-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种快速、无刻蚀的转移二维材料和制备异质结的方法，属于人工微结构制备技术领域。所述方法在显微操作台下利用透明柔性非水溶性聚合物薄膜和水蒸气将第一二维材料从第一目标衬底转移至聚合物薄膜，然后将第一二维材料堆叠到衬底为第N目标衬底的第N二维材料上表面，重复相同步骤，依次将第二二维材料、……、第（N-1）二维材料堆叠到转移至第N二维材料上表面的第一二维材料上表面，从而制得二层或多层异质结。解决了现有技术存在的操作复杂问题并尽可能避免材料污染，本发明无刻蚀和去除聚合物步骤，简单高效、用时短、成功率高，可以实现一个或多个二维材料的定点、大面积和大通量转移。二维材料转移前后形状保持完整，光学性质保持较好。
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公开(公告)号：CN109695053A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201910116052.8
申请日：2019-02-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将钴铬合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使钴铬合金熔融，保持一段时间，令六方氮化硼粉末充分溶于钴铬合金中，达到饱和后，以极低速度降温，晶体会在金属合金表面析出，从而生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题就是晶体生长困难，难度大，而该方法结构简单，原理清晰，效果显著，对于六方氮化硼的广泛应用具有很大意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN107188113B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710413626.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种纳米位移执行器，在衬底(3)的上表面依次设有氧化石墨烯薄膜(2)、薄膜上方承载面(1)构成一个位移传动的承载体，其中薄膜上方承载面作为位移传动的承载面；在所述位移传动的承载体的两端分别设有左密封腔体的密闭墙(4)、右密封腔体的密闭墙(5)，在左密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输出控制管道口(6)，在右密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输入控制管道口(7)，在左密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有左滑动接触装置(8)，在右密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有右滑动接触装置(9)，该微位移执行器提供一种新颖、高效、适合多种应用场合的途径。
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