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公开(公告)号：CN101308393B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810124372.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
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公开(公告)号：CN1324717C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410041076.5
申请日：2004-06-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种涉及高压器件的多电位场极板高压N型金属氧化物半导体管，由N型衬底、P型外延层、源、漏、多晶硅栅、场氧化层和氧化层组成，在场氧化层的上方且位于漏和多晶硅栅之间设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与漏连接。本发明引入了与漏端等电位的多晶硅场极板，这样可以使得在多晶硅场极板下方的漂移区表面处于载流子的积累状态，从而大大降低开启态时漏端与多晶硅场极板之间的峰值电场，从而减少漏端载流子的碰撞电离，大大降低Kirk效应(大电流情况下，漏端电场高度聚集而引起的击穿电压降低的效应)，提高了器件的击穿电压和安全工作区。
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公开(公告)号：CN114239444B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111570389.X
申请日：2021-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/327 , G06F30/3312 , G06F115/02
Abstract: 本发明提出一种基于块的电路延时模型的建立方法，提高先进工艺近阈值工作电压条件下，电路时序行为描述的准确性，以及大规模电路时序行为分析的速度。首先，采用基于块的统计静态时序分析方法，计算单输入单输出、双输入单输出、多输入单输出的延时特征，均值和方差，并通过仿真建立增量Δ模型，提高延时精度。其次，将组合逻辑电路网表转化成有向无环图，计算延时概率，标注有向无环图每条边的权值，采用平均‑最大联合标签最短路径算法，获得电路关键路径，结合Yen's偏离算法获得关键路径集合。
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公开(公告)号：CN111581909B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010293923.6
申请日：2020-04-15
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/398 , G06F17/18 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于改进的自适应重要性采样的存储器电路良率评估方法，该方法可以快速精准地评估SRAM单元静态指标和动态指标的失效率。该方法包括：提取代工厂提供的PDK中MOS管的相关工艺参数，通过超球面采样采N个失效点；利用该N个失效点构造N个联合正态分布，并建立相应的混合正态分布作为扭曲的采样函数；在每次迭代中，从前一次的N个联合正态分布产生N个样本点；计算失效率的无偏估计和样本的权重值；归一化样本的权重值，并根据权重值重新进行采样，用重采样的值更新位置参数；完成一轮迭代后，判断是否进行了方差修正，如果没有，利用EM算法更新协方差矩阵，再重新开始迭代；直到相对偏差小于0.1；否则结束算法，输出最终结果。
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公开(公告)号：CN112926278A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110333130.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于多项式混沌克里金元模型的近阈值电路延时估计方法，考虑近阈值电压下工艺参数波动变大的影响，通过多项式混沌克里金元模型构建从工艺参数到电路延时的模型，进而对电路路径延时进行良率评估，实现一种近阈值电压下精确有效的时序分析方法，为电路设计提供指导。首先通过工具PrimeTime提取出电路的关键路径，通过拉丁超立方对电路进行高效采样，继而在不同的工艺参数条件下通过SPICE仿真获得关键路径的延时，通过广义幂变换以及最大似然估计使非高斯分布的延时数据转换为符合高斯分布的数据，应用多项式混沌克里金元模型构建出低电压下路径延时模型，最终完成对电路的时序良率评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107359876B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710497938.2
申请日：2017-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种适用于双端SAR‑ADC的DAC电容阵列及对应的开关切换方法，该电容阵列包括比较器和电容阵列，比较器的输入端P端和N端分别连接正输入Vip和负输入Vin，从正、负输入分别至P、N端依次设有第一最高位电容C1‑1、第二最高位电容C1‑2和非二进制电容阵列；所有电容的上极板均接到输入电平，第一最高位电容和第二最高位电容的下极板接GND，其余电容的下极板均接参考电平Vref。该电容阵列将最高位电容拆分为两部分，一部分作为新的最高位电容，一部分与原本的二进制电容阵列结合，形成非二进制电容阵列；对应的开关切换方法通过重复动作已经切换的电容，防止比较器的共模持续下降。
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公开(公告)号：CN103280963B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310149510.0
申请日：2013-04-26
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/126
Abstract: 本发明提供了一种降低功率管导通功耗的PFC控制电路，基于Boost升压电路的拓扑结构，包括电压环电路、功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路和逻辑控制与驱动电路，电压环电路用于稳定输出和产生功率管的关断信号，功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路用于检测功率管漏源VDS并与谷底电压进行比较，产生功率管的导通控制信号，逻辑控制与驱动电路用于驱动控制功率管的开通和关断。通过检测VDS的电压，确保在不同的输入电压情况下，功率管都能在其漏源电压VDS处于谷底电压或者零电压时开启，从而降低了功率管导通时的损耗。
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公开(公告)号：CN103367453B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310301709.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。
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公开(公告)号：CN103105571B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310025968.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
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公开(公告)号：CN103312298A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310283456.9
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
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