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公开(公告)号：CN1956618A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610141849.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/32137
Abstract: 从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl2的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。
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公开(公告)号：CN110718441B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201911153850.4
申请日：2017-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负载侧的阻抗的第二平均值，根据从第一高频电源输出的第一高频功率和从第二高频电源输出的第二高频功率，使用两个平均化方法中的任意方法来求得。基于这些第一平均值和第二平均值来进行第一匹配器和第二匹配器的阻抗匹配。由此，能够比较简单地实现等离子体处理装置的第一匹配器和第二匹配器的匹配动作。
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公开(公告)号：CN110718441A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911153850.4
申请日：2017-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负载侧的阻抗的第二平均值，根据从第一高频电源输出的第一高频功率和从第二高频电源输出的第二高频功率，使用两个平均化方法中的任意方法来求得。基于这些第一平均值和第二平均值来进行第一匹配器和第二匹配器的阻抗匹配。由此，能够比较简单地实现等离子体处理装置的第一匹配器和第二匹配器的匹配动作。
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公开(公告)号：CN110379700A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910293114.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种生成等离子体的方法，能够快速抑制高频电力的反射。在一个实施方式的方法中，从高频电源经由匹配器向电极供给高频电力，以在腔室中生成等离子体。在供给高频电力的期间，根据反映腔室内的等离子体的产生的一个以上的参数来判定在腔室内是否生成了等离子体。在判定为没有生成等离子体的情况下，调整由高频电源输出的高频电力的频率，以将高频电源的负载侧电的抗设定为零或者使该负载侧的电抗接近零。
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公开(公告)号：CN102737942B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210091861.6
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32366 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01J37/32724 , H01J2237/327
Abstract: 本发明提供一种能够提高蚀刻的加工控制性的基板处理装置。基板处理装置(10)包括：内部被减压的腔室(11)；配置在该腔室(11)内、载置晶片(W)的基座(12)；对基座(12)施加等离子体生成用高频电压的HF高频电源(18)；对基座(12)施加偏置电压产生用高频电压的LF高频电源(20)；和对基座(12)施加矩形波状的直流电压的直流电压施加单元(23)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258707B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310162785.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN101685772B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN101685772A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN105355532B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510962055.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32366 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01J37/32724 , H01J2237/327
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。
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公开(公告)号：CN107993915A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711012891.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负载侧的阻抗的第二平均值，根据从第一高频电源输出的第一高频功率和从第二高频电源输出的第二高频功率，使用两个平均化方法中的任意方法来求得。基于这些第一平均值和第二平均值来进行第一匹配器和第二匹配器的阻抗匹配。由此，能够比较简单地实现等离子体处理装置的第一匹配器和第二匹配器的匹配动作。
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