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公开(公告)号：CN104451598A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410465415.6
申请日：2014-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/67 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/45523 , C23C16/4584 , H01L21/02219 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种硅氧化膜的制造方法，该硅氧化膜的制造方法使用成膜装置，该成膜装置包括：旋转台；第1气体供给部，其在第1处理区域中朝向旋转台的上表面供给第1气体；以及第2气体供给部，其在第2处理区域中朝向旋转台的上表面供给第2气体。在该制造方法中，自第1气体供给部连续地供给作为第1气体的含硅气体，自第2气体供给部连续地供给作为第2气体的氢气和氧化气体。然后，一边使旋转台旋转，一边在第1处理区域中使第1气体吸附于载置在旋转台上的基板，在第2处理区域中使吸附于基板的表面的第1气体和供给到第2处理区域的第2气体反应。
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公开(公告)号：CN102054663B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010534982.4
申请日：2010-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过分别调整多个排气通路的排气流量，控制真空容器内的处理气体的气流，使朝向基板的气流保持恒定。能够分别从设有第1阀(65a)的第1排气通路(63a)和设有第2阀(65b)的第2排气通路(63b)对真空容器(1)内的气氛进行真空排气，调整第1阀(65a)的开度，使得真空容器(1)内的压力成为处理压力(P)，并且为了将第1排气通路(63a)的排气流量和第2排气通路(63b)的排气流量成为与制程程序相对应的设定值，将蝶阀(67)的开度(V)设定为记载于表(86)中的值，接着，调整第2阀(65b)的开度使得压差计(68)的测量值成为记载于表(86)中的压差(ΔP)。
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公开(公告)号：CN103526180A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310279224.6
申请日：2013-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02263 , C23C16/402 , C23C16/4554 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，向形成有凹部的基板供给含硅气体并使含硅气体吸附于该基板，用氧化气体氧化所吸附的含硅气体，从而在基板上形成氧化硅膜。即使将基板加热至比含硅气体可分解的温度高的温度的情况下，也能利用自用于将含硅气体供给部和氧化气体供给部分开的分离区域供给的非活性气体将被供给含硅气体的基板的上方气氛的气相温度维持得较低，因此含硅气体能够不在气相中分解，而吸附于基板。
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公开(公告)号：CN102787304A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210155103.6
申请日：2012-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体，使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应，在基板上形成反应生成物；向等离子体产生部供给含氢气体，在旋转台的上方生成等离子体，该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。
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