公开(公告)号：CN101231947A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810003524.0

申请日：2008-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 麻生丰 ,  白石雅敏 ,  田中志信

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明涉及回流处理方法以及TFT的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))的单位长度L平均的体积V1相对布线用抗蚀剂掩膜(231)的单位长度L平均的体积V2为1.5～3倍的方式设定线宽W1以及W2，由此，可确保源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))进行变形而得到的变形抗蚀剂(212)的线宽W3为充分覆盖凹部(220)的宽度，并且，将布线用抗蚀剂掩膜(231)变形而得到的变形抗蚀剂(232)的线宽W4抑制得很小。

公开(公告)号：CN101221900A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810002678.8

申请日：2008-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 麻生丰 ,  白石雅敏 ,  田中志信

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/40

Abstract: 在软溶处理单元(REFLW)(50)中，使辊(51)旋转，在X方向上输送基板(G)，基板(G)通过中空筒状的软溶处理器(53)的内部时，将包含溶剂的气体从溶剂供给部(55)的溶剂供给口(69)朝向基板(G)的表面供给，而且，从溶剂吸入部(57)的溶剂吸入口(75)吸入所供给的气体。向软溶处理空间(S)排出的包含溶剂的气体形成朝向溶剂吸入口(75)的单方向的流动，软溶处理空间的气氛中的溶剂被基板(G)表面的抗蚀剂吸收，由此，抗蚀剂软化而流动化，形成变形抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN100341113C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410068461.9

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野幸弘 ,  田中志信 ,  大塚庆崇

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00 ,  B05C13/00 ,  G03F7/16

Abstract: 喷嘴障碍监视器(168)具有：射出激光束LB以便在规定高度位置沿Y方向大致水平地横穿台(132)上载置的衬底(G)上面附近的激光射出部(222)；隔着台(132)上的衬底(G)并配置在沿Y方向与激光射出部(222)对置的位置的受光部(224)。在涂布处理部(136)中施行抗蚀剂涂布处理时，喷嘴障碍监视器(168)的激光束LB也随着扫描部(212)的扫描驱动而和抗蚀剂喷嘴(134)一起在其前方沿X方向扫描衬底(G)的上方，检查衬底(G)的上面附近是否有障碍物。所以，能够在被处理衬底上面或接近被处理面的高度位置安全地执行使喷嘴扫描的涂布动作。