公开(公告)号：CN117897711A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280058383.0

申请日：2022-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤友贵哉 ,  片冈勇树

IPC: G06N20/00 ,  G05B13/02 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明提供一种信息处理方法、信息处理装置以及信息处理系统。包含：获取由多个第一学习模型处理的数据的特征量的工序；基于获取到的特征量，进行在输入了由第一学习模型处理的数据的特征量的情况下，输出与推断结果相关的信息的第二学习模型的学习的工序；以及向学习后的第二学习模型输入获取到的数据的特征量，并输出推断结果的工序，其中，该推断结果基于从第二学习模型得到的信息。

公开(公告)号：CN117882170A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058364.8

申请日：2022-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤友贵哉 ,  片冈勇树

IPC: H01L21/02 ,  G05B23/02

Abstract: 提供一种信息处理方法、信息处理装置、以及基板处理系统。包含如下的工序：从设置于基板处理装置的传感器获取时间序列数据的工序；基于获取到的时间序列数据，进行在输入了来自传感器的时间序列数据的情况下，输出与基板处理装置相关的信息的第一学习模型的学习的工序；以及向学习后的第一学习模型输入来自传感器的时间序列数据，输出基于从第一学习模型得到的信息的推断结果的工序。

公开(公告)号：CN116507981A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180073627.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片冈勇树 ,  茂木弘典

IPC: G05B19/418

Abstract: 本公开提供一种模型管理系统、模型管理方法和模型管理程序，用于对应用于基板制造工艺的模型高效地进行管理。该模型管理系统将应用于基板制造工艺的模型分为三层以上的层级进行管理，包括：第一管理单元，用于在规定的层级对模型进行管理；以及一个以上的第二管理单元，用于在所述规定的层级的下一层层级对模型进行管理，其中，所述第一管理单元具有：计算单元，用于在所述第二管理单元所管理的模型的模型参数被更新了的情况下，基于更新了的各模型参数，计算新的模型参数；和控制单元，用于以对由属于所述第一管理单元的最下层的多个管理单元分别管理的模型，设定所述新的模型参数的方式进行控制。

公开(公告)号：CN114141658A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111027548.1

申请日：2021-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片冈勇树 ,  长畑寿

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  G05D23/20

Abstract: 本发明提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。温度推定装置具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据，其中，该生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。

公开(公告)号：CN101260517B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200810092098.2

申请日：2008-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片冈勇树 ,  山口达也 ,  王文凌 ,  竹永裕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31658 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置(1)中设有多个向收容半导体晶片(W)的反应管(2)内供给处理气体的气体供给管(16～20)。流量调整部(21～25)控制气体供给管(16～20)的流量。控制部(50)中存储有表示包括处理气体流量的工艺条件以及处理气体的流量与膜厚关系的膜厚流量关系模型。控制部(50)基于在工艺条件下处理半导体晶片(W)的处理结果和膜厚流量关系模型，计算处理气体的流量、控制流量调整部(21～25)，将处理气体的流量变更为计算出的处理气体的流量，并对半导体晶片(W)进行处理。

公开(公告)号：CN101260517A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810092098.2

申请日：2008-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片冈勇树 ,  山口达也 ,  王文凌 ,  竹永裕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31658 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置(1)中设有多个向收容半导体晶片(W)的反应管(2)内供给处理气体的气体供给管(16～20)。流量调整部(21～25)控制气体供给管(16～20)的流量。控制部(50)中存储有表示包括处理气体流量的工艺条件以及处理气体的流量与膜厚关系的膜厚流量关系模型。控制部(50)基于在工艺条件下处理半导体晶片(W)的处理结果和膜厚流量关系模型，计算处理气体的流量、控制流量调整部(21～25)，将处理气体的流量变更为计算出的处理气体的流量，并对半导体晶片(W)进行处理。