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公开(公告)号：CN1703769A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03820662.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1515024A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03800408.9
申请日：2003-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4412 , C23C16/52 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 由TMP(22)、干式泵(23)构成连接到处理室(13)的排气线路(15)。处理室(13)和TMP(22)通过第一排气管(25)连接，而TMP(22)和干式泵(23)通过第二排气管(28)连接。测定部(24)监视流过第二排气管(28)的排气气体中的TiCl4或NH3的分压。在处理室(13)内，将两种处理气体交替供给规定时间，如果供给的一种处理气体的排气气体中的分压减少至规定值，则控制装置(12)开始另一种处理气体的供给。
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公开(公告)号：CN100520657C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200480022484.4
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0652 , Y10T137/7761 , Y10T137/8741 , Y10T137/87507
Abstract: 本发明防止流量的控制精度在小流量域显著降低，在整个流量控制域进行高精度流量控制，同时通过高精度流量控制可以控制宽广的腔室压力范围。具体地说，由并联连接的多台压力式流量控制装置和控制上述多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，向由真空泵排气的腔室流量控制地供给期望的气体的腔室气体供给装置中，令上述一台压力式流量控制装置为控制向腔室供给的最大流量的至多10%的气体流量域的装置，令剩余的压力式流量控制装置为控制剩余的气体流量域的装置。
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公开(公告)号：CN100364046C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN03820662.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。
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公开(公告)号：CN1826428A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480002181.6
申请日：2004-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 本发明涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。
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公开(公告)号：CN1813342A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018173.0
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下施行的。
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