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公开(公告)号：CN105355532A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510962055.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32366 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01J37/32724 , H01J2237/327 , H01J37/32 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。
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公开(公告)号：CN101826434B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010128803.7
申请日：2010-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 桧森慎司
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。
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公开(公告)号：CN100501965C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710140388.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
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公开(公告)号：CN100495654C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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公开(公告)号：CN101123201A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140388.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101123200A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140387.0
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置，其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性，能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括：兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件；电介体层(22)，以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀；和静电卡盘，层积在电介体层(22)上，以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧，分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。
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公开(公告)号：CN1842244A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073360.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理的面内均匀性高、并且难以产生充电损坏的电容耦合型的等离子体处理装置。该电容耦合型的等离子体处理装置(100)具有：可保持真空气氛的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2、18)；和在第一和第二电极(2、18)之间形成高频电场、生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，第二电极(18)中，至少与第一电极(2)相对的部分被分割成由导体构成、处于浮动状态或被接地的第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)，还具有向第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)之间施加电压的可变直流电源。
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公开(公告)号：CN1518073A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000316.7
申请日：2004-01-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。
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公开(公告)号：CN119173984A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380039310.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源系统。基片支承部包括能够在其上载置基片的中央区域，设置于腔室内。高频电源产生生成源高频电功率。偏置电源系统将第一和第二电偏置能量分别供给到第一电极和第二电极。第一电极至少设置于基片支承部的中央区域。第二电极设置于相对于中央区域的中心在径向上位于外侧的外侧区域。偏置电源系统调节第一电偏置能量和第二电偏置能量，以使得中央区域和外侧区域中的一个区域的上方的电场强度比另一个区域的上方的电场强度先变高。
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公开(公告)号：CN112017937B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010423589.1
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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