公开(公告)号：CN101303997B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810001388.1

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN100388433C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN00818767.3

申请日：2000-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广濑英二 ,  铃木绅吾 ,  岩渕纪之 ,  横内健

IPC: H01L21/3065

Abstract: 利用压力检测范围不同的第一和第二压力传感器132，134检测蚀刻装置100的处理室102内的压力。压力控制器144从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据根据处理室102内的压力选择最佳压力数据。进而，对应处理室102内的压力利用所选择的分辨率分解所选择的压力数据，求出规定的数据密度的压力数据。压力控制器144以使该压力数据跟随设定压力数据的方式控制压力调整阀130。

公开(公告)号：CN1433566A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN00818767.3

申请日：2000-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广濑英仁 ,  铃木绅吾 ,  岩渕纪之 ,  横内健

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

Abstract: 利用压力检测范围不同的第一和第二压力传感器132，134检测蚀刻装置100的处理室102内的压力。压力控制器144从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据根据处理室102内的压力选择最佳压力数据。进而，对应处理室102内的压力利用所选择的分辨率分解所选择的压力数据，求出规定的数据密度的压力数据。压力控制器144以使该压力数据跟随设定压力数据的方式控制压力调整阀130。