公开(公告)号：CN109509698A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811062556.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  岛裕巳 ,  木镰英司 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/11563

Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。

公开(公告)号：CN104810306B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201510036549.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中岛滋 ,  岛裕巳 ,  立野雄亮

IPC: H01L21/67 ,  C30B33/02

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供立式热处理装置和热处理方法。一种立式热处理装置，其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理，其中，该立式热处理装置包括：气体喷嘴，其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述反应管内，用于喷射处理气体；以及流路形成构件，其以包围所述气体喷嘴的方式设于所述反应管内，该流路形成构件形成用于对所述气体喷嘴内的处理气体进行调温的调温流体的流通空间并具有调温流体的供给口和排出口。

公开(公告)号：CN104810306A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510036549.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中岛滋 ,  岛裕巳 ,  立野雄亮

IPC: H01L21/67 ,  C30B33/02

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供立式热处理装置和热处理方法。一种立式热处理装置，其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理，其中，该立式热处理装置包括：气体喷嘴，其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述反应管内，用于喷射处理气体；以及流路形成构件，其以包围所述气体喷嘴的方式设于所述反应管内，该流路形成构件形成用于对所述气体喷嘴内的处理气体进行调温的调温流体的流通空间并具有调温流体的供给口和排出口。

公开(公告)号：CN102776490A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210140275.6

申请日：2012-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋治彦 ,  岛裕巳 ,  立野雄亮

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C30B25/14 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45557 ,  G05D16/00 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67115 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7722

Abstract: 一种气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法，该气体供给装置具有使用载气将原料积存槽内的原料气体向处理容器进行供给的原料气体供给系统，该气体供给装置具备：载气通路，其向原料积存槽内导入载气；原料气体通路，其连结原料积存槽与处理容器，并流通载气与原料气体；压力调整气体通路，其与原料气体通路连接，并供给压力调整气体；以及阀控制部，其按开始第1工序，之后进行第2工序的方式控制开闭阀，其中，在该第1工序中开始向处理容器供给压力调整气体，同时开始利用载气将原料气体从原料积存槽向处理容器内供给，在该第2工序中停止供给压力调整气体。