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公开(公告)号：CN114269965A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058420.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/285
Abstract: 一种原料气体供给系统，其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给，其中，该原料气体供给系统包括：气化装置，其使所述固体原料气化而生成所述原料气体；送出机构，其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液；以及蒸发机构，其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发，分离所述固体原料。
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公开(公告)号：CN1932075B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610153874.6
申请日：2006-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够防止发生成膜不良的基板处理装置。CVD处理装置(10)的PM(11)包括腔室(23)，该腔室(23)具有容器(32)、配置在该容器(32)内的ESC(33)、以及配置在容器(32)内的晶片升降装置(80)，晶片升降装置(80)具有：在容器(32)内，以包围ESC(33)的方式配置的圆环状的销保持器(81)；与销保持器(81)连接的3个升降臂(83)；和与各升降臂(83)游嵌结合并被其载持的3个升降销(42)，各升降销(42)与销保持器(81)的升降联动进行升降。
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公开(公告)号：CN101568375A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780045588.0
申请日：2007-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日立金属株式会社
IPC: B01J4/00 , G01F1/00 , G01F1/68 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: G01F15/005 , G01F1/68 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/8593
Abstract: 一种供应处理气体的方法，其包括其中生成取决于温度而可聚合的处理气体的步骤，和其中将由此生成的处理气体供应给配置成在减压大气下对被处理物体W进行预定处理的处理装置4。将处理气体供应给处理装置4时，处理气体的流速通过使用其中供应压力的适当操作范围设定成低于大气压的具有隔膜80的低差压型质量流速控制装置来控制。因此，诸如取决于温度而可聚合的HF气体的处理气体的供应速度(实际流速)可以通过稳定的方式得到精确控制。
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公开(公告)号：CN114269965B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080058420.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/285
Abstract: 一种原料气体供给系统，其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给，其中，该原料气体供给系统包括：气化装置，其使所述固体原料气化而生成所述原料气体；送出机构，其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液；以及蒸发机构，其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发，分离所述固体原料。
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公开(公告)号：CN110835751B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201910757828.4
申请日：2019-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明提高一种阀装置、处理装置、以及控制方法，缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。阀装置具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体，使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体，隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部，以便将壳体加热成第1温度。另外，控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热，控制供给部，以便向第2流路供给制冷剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111206235A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911139478.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小森荣一
IPC: C23C16/34 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。基片处理装置将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到基片来进行基片处理，基片处理装置包括：在内部能够载置基片的处理容器；原料气体供给源，其用于收纳原料，向处理容器供给原料气体；缓冲罐，其暂时储存从原料气体供给源收入的原料气体；和能够配置供断阀的阀配置部，其中供断阀向处理容器供给和断开储存于缓冲罐中的原料气体，在处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，能够供给减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。
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公开(公告)号：CN104246007A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380017359.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , B01D8/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , B08B9/00 , C23C16/18 , C23C16/4405 , F28B9/08 , H01L21/67017 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 设置于流过从在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置主体(4)排出的排气的排气通路(60)的途中并且通过将排气中所含有的捕集对象气体冷却液化后进行回收的捕集机构(10)，包括：具有气体入口(72A)和气体出口(72B)的壳体(72)；将壳体内划分为多个滞留空间(74A～74C)的划分部件(76)；连通滞留空间彼此的连通路径(78A、78B)；和为了冷却排气而对连通路径进行冷却的冷却套部(80A、80B)。利用该构造，将排气冷却并且使其绝热膨胀，高效地将捕集对象气体冷却并使其液化。
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公开(公告)号：CN101568375B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200780045588.0
申请日：2007-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01J4/00 , G01F1/00 , G01F1/68 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: G01F15/005 , G01F1/68 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/8593
Abstract: 一种供应处理气体的方法，其包括其中生成取决于温度而可聚合的处理气体的步骤，和其中将由此生成的处理气体供应给配置成在减压大气下对被处理物体W进行预定处理的处理装置4。将处理气体供应给处理装置4时，处理气体的流速通过使用其中供应压力的适当操作范围设定成低于大气压的具有隔膜80的低差压型质量流速控制装置来控制。因此，诸如取决于温度而可聚合的HF气体的处理气体的供应速度(实际流速)可以通过稳定的方式得到精确控制。
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公开(公告)号：CN1932075A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610153874.6
申请日：2006-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够防止发生成膜不良的基板处理装置。CVD处理装置(10)的PM(11)包括腔室(23)，该腔室(23)具有容器(32)、配置在该容器(32)内的ESC(33)、以及配置在容器(32)内的晶片升降装置(80)，晶片升降装置(80)具有：在容器(32)内，以包围ESC(33)的方式配置的圆环状的销保持器(81)；与销保持器(81)连接的3个升降臂(83)；和与各升降臂(83)游嵌结合并被其载持的3个升降销(42)，各升降销(42)与销保持器(81)的升降联动进行升降。
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公开(公告)号：CN114391051B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202080063295.0
申请日：2020-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，其中，所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的；和分离机构，其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。
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