气体供给装置和气体供给方法

    公开(公告)号:CN107686985A

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201710655290.7

    申请日:2017-08-03

    Abstract: 本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时,提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括:分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61);与原料气体流路和反应气体流路分别连接的第一载气流路(51)和第二载气流路(71);置换气体流路(45),其经由与设置在第一载气流路和第二载气流路中的载气的供给控制装置不同的另外的供给控制装置,对处理容器内供给置换气体;设置在置换气体流路(45、65)中,储存置换气体的储气部(46、66);在置换气体流路中设置于储气部的下游侧的阀(V2、V6);和控制阀的开闭的控制部(100)。

    气体供给装置和阀装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106661730A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201580039064.5

    申请日:2015-07-06

    Inventor: 大仓成幸

    Abstract: 本发明提供一种在交替多次向基板供给TiCl4气体和NH3气体进行成膜时,能够抑制阀装置(1)的冷却、并且增大N2气体流量,有助于提高处理能力的技术。在交替多次向晶片(W)供给TiCl4气体和NH3气体进行成膜时,在一种处理气体的供给与另一种处理气体的供给之间,将供给至处理容器(10)内的气氛置换用的N2气体预先加热。因此,能够抑制处理容器(10)的内壁或晶片(W)接触气体的部位的冷却、并且增大N2气体的流量,因而能够缩短气氛的置换所需要的时间,有助于处理能力的提高,并且能够抑制因阀装置(1)的冷却而造成的反应生成物的附着等不良情况的发生。

    旋转型切换阀
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101839355B

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201010135748.4

    申请日:2010-03-16

    Abstract: 本发明涉及一种旋转型切换阀,能够防止主流体从间隙部泄漏。旋转型切换阀具有:阀主体(2),形成流动有工艺气体的腔室连通路(24)和将主流体排出的排放连通路(25);以及圆筒阀芯(3),可旋转地保持在阀主体(2)内,内部形成供主流体流动的主流路(31),通过使圆筒阀芯3旋转,能够将主流路(31)在腔室连通路(24)和排放连通路(25)之间切换,其中,具有用于使清洗气体向阀主体(2)和圆筒阀芯(3)之间的间隙部(11)流动的清洗气体流路(22a、22b、22c、22d、22e),通过使清洗气体向间隙部(11)流动,防止主流体从主流路(31)泄漏。

    旋转型切换阀
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101839355A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010135748.4

    申请日:2010-03-16

    Abstract: 本发明涉及一种旋转型切换阀,能够防止主流体从间隙部泄漏。旋转型切换阀具有:阀主体(2),形成流动有工艺气体的腔室连通路(24)和将主流体排出的排放连通路(25);以及圆筒阀芯(3),可旋转地保持在阀主体(2)内,内部形成供主流体流动的主流路(31),通过使圆筒阀芯3旋转,能够将主流路(31)在腔室连通路(24)和排放连通路(25)之间切换,其中,具有用于使清洗气体向阀主体(2)和圆筒阀芯(3)之间的间隙部(11)流动的清洗气体流路(22a、22b、22c、22d、22e),通过使清洗气体向间隙部(11)流动,防止主流体从主流路(31)泄漏。

    原料气体供给系统和原料气体供给方法

    公开(公告)号:CN114391051A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202080063295.0

    申请日:2020-09-09

    Abstract: 本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统,所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的,所述原料气体供给系统包括:将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置;送出机构,其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系,其中,所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的;和分离机构,其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。

    气体供给装置和气体供给方法

    公开(公告)号:CN107686985B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201710655290.7

    申请日:2017-08-03

    Abstract: 本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时,提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括:分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61);与原料气体流路和反应气体流路分别连接的第一载气流路(51)和第二载气流路(71);置换气体流路(45),其经由与设置在第一载气流路和第二载气流路中的载气的供给控制装置不同的另外的供给控制装置,对处理容器内供给置换气体;设置在置换气体流路(45、65)中,储存置换气体的储气部(46、66);在置换气体流路中设置于储气部的下游侧的阀(V2、V6);和控制阀的开闭的控制部(100)。

    气化装置和半导体处理系统

    公开(公告)号:CN101135047B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200710147868.4

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: C23C16/405 C23C16/4481 H01L28/55 Y10S261/65

    Abstract: 本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,该装置包括:气化容器,规定上述气化装置的气化空间;喷射器,安装在上述气化容器中,使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出;和加热器,安装在上述气化容器中,对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括:气体导出路,与上述气化容器连接,使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出;过滤器,配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间,捕捉上述生成气体中的雾;和红外线照射机构,向上述过滤器照射红外线。

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