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公开(公告)号：CN101042990A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089461.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H01J37/32568 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成，并且，使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件，通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动，管内波长发生变化。
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公开(公告)号：CN1849034A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610065521.0
申请日：2006-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 堀口贵弘
IPC: H05H1/46 , H05H1/00 , C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供利用液体的冷却介质冷却电介质的等离子体处理装置、狭缝天线以及等离子体处理方法。微波等离子体处理装置(100)由处理容器(10)、导波管(22)、狭缝天线(23)、电介质(24)、第一冷却部(60)和第二冷却部(80)构成。第一冷却部(60)通过使液体的冷却介质在设在狭缝天线(23)上的流路(61)中流动，冷却电介质(24)。此外，第二冷却部(80)通过使气体从设在导波管(22)上的气体入口流到气体出口，冷却电介质(24)。由此，通过一边冷却电介质(24)，一边利用经由导波管(22)、狭缝天线(23)而透过电介质(24)的微波使处理气体等离子体化，由此基板(W)被等离子体处理。结果，在等离子体处理中可以防止电介质(24)上产生裂纹。
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公开(公告)号：CN101632329A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880007837.1
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/511 , B05C13/00 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种可以尽可能地减少电介质体的使用量的等离子体处理装置。本发明是如下的等离子体处理装置，即，具备收纳进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)、向处理容器(4)内供给为了激发等离子体(P)而必需的电磁波的电磁波源(34)，在处理容器(4)的盖体(3)下面具备1个或2个以上的电介质体(25)，该电介质体(25)的一部分在处理容器(4)的内部露出，用于使由电磁波源(34)供给的电磁波透过到达处理容器4的内部，并且该等离子体处理装置与电介质体(25)相邻地设有表面波传播部(51)，其沿着在处理容器(4)的内部露出的金属面传播电磁波。
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公开(公告)号：CN100530530C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610137549.0
申请日：2006-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 堀口贵弘
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192
Abstract: 本发明提供一种以不阻碍等离子体流向非处理体的方式设置有气体喷射部件的等离子体处理装置。在微波等离子体处理装置(100)的梁(26)上，固定有多个具有喷射孔(A)的侧吹喷气管(27)和具有喷射孔(B)的冰柱喷气管(28)。第一气体供给部将氩气从喷射孔(A)喷射到介电体(31)附近。第二气体供给部将硅烷气体和氢气从喷射孔(B)喷射到气体不被过度分解的位置。由此，被喷射的各气体被透过各介电体元件(31a)的微波等离子体化。因为冰柱喷气管(28)位于不阻碍等离子体流向基板(G)的位置，所以离子、电子不易碰撞到冰柱喷气管(28)上。结果，能够抑制堆积在冰柱喷气管(28)上的反应生成物的量。
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公开(公告)号：CN100514554C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710089461.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H01J37/32568 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成，并且，使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件，通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动，管内波长发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101048029A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091321.7
申请日：2007-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 堀口贵弘
IPC: H05H1/46 , H05H1/30 , H01L21/3205 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01J37/32 , C23C16/511 , C23C16/517
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32522
Abstract: 本发明提供在处理容器内使与等离子体接触的面平坦化的微波等离子体处理装置(100)：具备处理室(U)、在处理室(U)内透过微波的多个电介质零件(31)、支撑电介质零件(31)的梁(27)、从处理室(U)的外部将梁(27)固定在处理容器上的固定单元。固定单元具有从处理室(U)的外部贯通设置在处理室(U)上的多个贯通孔(21b)与梁(27)螺合的多个阳螺栓(56)。通过多个螺栓(56)从处理室(U)的外部将梁(27)固定在处理室(U)上，使与等离子体接触的梁(27)的面(S)平坦化。因此能够避免电场能量集中在面(S)的凸部、在面(S)凹部发生异常放电。不会使气体过度离解，能够通过均匀等离子体在基板(G)上形成质量好的膜。
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公开(公告)号：CN1685484A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822748.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转，由此使被处理基板的温度分布均匀，抑制被处理基板的翘曲。处理容器的内壁由利用不透明石英形成的石英衬套覆盖，保护其不受来自紫外线光源照射的紫外线的影响并利用隔热效果抑制因来自加热器部的热造成的温度上升。由此，延长处理容器的寿命。
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公开(公告)号：CN101632329B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200880007837.1
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/511 , B05C13/00 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种可以尽可能地减少电介质体的使用量的等离子体处理装置。本发明是如下的等离子体处理装置，即，具备收纳进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)、向处理容器(4)内供给为了激发等离子体(P)而必需的电磁波的电磁波源(34)，在处理容器(4)的盖体(3)下面具备1个或2个以上的电介质体(25)，该电介质体(25)的一部分在处理容器(4)的内部露出，用于使由电磁波源(34)供给的电磁波透过到达处理容器4的内部，并且该等离子体处理装置与电介质体(25)相邻地设有表面波传播部(51)，其沿着在处理容器(4)的内部露出的金属面传播电磁波。
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公开(公告)号：CN100536634C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610072117.6
申请日：2006-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/30 , H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。
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公开(公告)号：CN100530532C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
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