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公开(公告)号:CN107591345A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201710543742.2
申请日:2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤:向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13);在供给处理液的步骤(S12、S13)之后,向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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公开(公告)号:CN103515220B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310230866.7
申请日:2013-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中,基板处理装置(1)用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板(3)供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除,包括:基板处理室(16),用于处理基板;基板保持部件(12),设于基板处理室内,用于保持基板;混合液供给部件(13),用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液;OH基供给部件(14),用于向基板供给含有OH基的流体,OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。
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公开(公告)号:CN107591345B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201710543742.2
申请日:2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤:向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13);在供给处理液的步骤(S12、S13)之后,向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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