公开(公告)号：CN101805892A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010141206.8

申请日：2010-04-02

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 刘延辉 ,  周细应 ,  言智 ,  马春伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌薄膜的制备方法，具体步骤如下：衬底材料在丙酮和无水乙醇中用超声波振荡清洗1-3次；将靶材和衬底材料放入真空磁控溅射仪中，空磁控溅射仪的真空度为1.0×10-3～1.0×10-4Pa，充入惰性气体；工作气压为3.0Pa～0.1Pa，溅射间隙为40mm-120mm，溅射功率为20-60W；溅射获得金属锌薄膜与衬底材料一起转移到电阻炉中，热氧化气氛中氧分压约1KPa～30KPa，氧化温度为400℃-1200℃，热氧化时间10sec-1h，获得产物。本发明技术方案，具有工艺简单、速度快、适合连续化工业生产。能够制备大面积，厚度均匀，晶粒均匀、致密的氧化锌薄膜。

公开(公告)号：CN101499784A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910046390.5

申请日：2009-02-20

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 言智 ,  邓沛然 ,  刘延辉 ,  周细应 ,  于治水

IPC: H03H3/02 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明涉及微电子工艺及其器件技术领域，具体地是一种新型压电薄膜谐振器的制备方法，其特征在于采用SOI晶片，在其顶层硅上刻蚀出腐蚀槽或腐蚀孔，然后用氢氟酸腐蚀掉槽或孔间所围范围的绝缘层，在晶片顶层上形成一个悬空的硅层；接着在这个悬空的顶层硅上先后沉积底电极材料，压电薄膜材料，顶电极材料，构成一个压电薄膜谐振器；本发明有益效果：采用SOI晶片制作空腔型压电薄膜谐振器，其中利用两层硅之间的氧化层作牺牲层，省去了沉积牺牲层的步骤，简化了工艺，并可用其与硅工艺相兼容，这可将谐振器阵列和外电路集成在一起，使电路具有高速、低压、低功耗、灵敏度高，响应速度快并且多通道的优点，同时使器件微型化、集成化程度更高。

公开(公告)号：CN101403099A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810200801.7

申请日：2008-10-06

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 言智 ,  张恩霞 ,  周细应 ,  何佳 ,  于治水

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体地是一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下衬底清洗后放入磁控溅射装置室中，其反应室抽取成高洁净度真空；采用高纯度金属条为掺杂物及高纯度Zn为原料，将金属条按若干比例固定于Zn靶上；以纯Ar气和纯氧气为溅射气体和反应气体，经流量计控制输入真空反应溅射室，进行溅射生长；生长后在真空环境下退火处理；本发明有益效果：实现了对金属掺杂量的控制，反应中采用射频溅射的模式能有效降低金属靶在反应溅射中受氧化的影响，使得溅射保持持续稳定，最后接合相应的真空退火工艺，优化了MZO薄膜的光学和电学性能。该方法简化了工艺过程，减少了整体研发工序，缩短了周期，节约了成本。

公开(公告)号：CN201210180Y

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200820058014.9

申请日：2008-05-05

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 张恩霞 ,  言智 ,  于治水 ,  曹阳根 ,  何佳 ,  黄晨

IPC: G01R31/00

Abstract: 本实用新型涉及半导体领域制造测试领域，具体地是一种用于新型绝缘体上半导体薄膜电学表征的测试系统，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上；本实用新型的有益效果是：该测试台在样品不接受外界光电干预的条件下便可以对样品施加相应的电流、电压，从而对半导体薄膜样品进行电学性能测试，测试的数据非常精确，而且测试周期短。

公开(公告)号：CN202717030U

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201220363839.8

申请日：2012-07-25

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 李明 ,  宓一鸣 ,  言智 ,  宋诗高 ,  姜自旺 ,  颜峰 ,  李伟飞 ,  叶勇 ,  江强 ,  房加强

IPC: B64C27/08

Abstract: 本实用新型涉及一种八轴旋翼飞行器，包括飞行控制器、设于飞行控制器上的支撑架以及八个旋翼，所述八个旋翼设于所述支撑架上，并均匀分布于所述飞行控制器10周围。本实用新型稳定性以及灵活性高，并且可以折叠，方便携带和运输。

公开(公告)号：CN202656814U

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201220274275.0

申请日：2012-06-11

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 李明 ,  宓一鸣 ,  言智 ,  季鑫 ,  宋诗高

IPC: B60F5/00

Abstract: 本实用新型涉及机械技术领域，提供了一种水陆空三用车，其特征在于，包含：一种水陆空三用车，包括驱动马达、外壳、前右轮、前左轮、后右轮、后左轮、仪表显示仪、方向手柄、车底盘、车座椅、油箱，其特征在于，还包括：设置于前端的进气口；雷达天线，连接该仪表显示仪；控制装置，连接该仪表显示仪；车尾喷气式驱动器，连接该进气口和该控制装置；底部的4个喷气式驱动器，连接该控制装置、进气口，并通过离合装置分别连接该前右轮、前左轮、后右轮、后左轮。本实用新型可广泛应用于交通运输。

公开(公告)号：CN201360245Y

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200920067906.X

申请日：2009-02-20

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 言智 ,  邓沛然 ,  刘延辉 ,  周细应 ,  于治水

IPC: H03H9/15

Abstract: 本实用新型涉及微电子器件，具体地是一种改进型压电薄膜谐振器，其特征在于：在SOI晶片的顶层硅上光刻刻出腐蚀槽或者腐蚀孔，顶层硅下面的SiO2层为一空腔结构，使顶层硅形成一悬空的顶层硅，在悬空的顶层硅上依次沉积底电极层、压电薄膜和顶电极层；本实用新型有益效果：可用其与硅工艺相兼容，这可将谐振器阵列和外电路集成在一起，使电路具有高速、低压、低功耗、灵敏度高，响应速度快并且多通道的优点，同时使器件微型化、集成化程度更高，比及其他的空腔型压电薄膜谐振结构，基于SOI晶片的空腔结构可以获得更大、更稳定的谐振区域，其悬空硅层的机械性能较其他的空腔型谐振支撑结构更加牢固，不易断裂。