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公开(公告)号：CN114180818A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111452119.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种熔铸法制备复杂形状石英玻璃制品的方法，包括设备和原料准备、洗气、熔制石英玻璃、石英玻璃成型、在线热处理、脱模后处理步骤。本发明方法利用熔融石英的可塑性，通过对熔铸温度、升降温速率、压力以及退火温度等工艺参数的控制，一次成型制备出性能稳定、质量可靠的复杂形状石英玻璃制品，解决石英玻璃熔铸过程粘度大、成型难的问题，较传统工艺提高了制备效率，同时降低损耗率、减少原材料浪费，为复杂形状石英玻璃制品批量化、低成本、高效率的生产奠定基础。
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公开(公告)号：CN103956489B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410162008.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于液相混料的两次加碳工艺制备磷酸铁锂电极材料的方法。该方法首先将锂源、铁源、磷源和碳源材料混合制成液态的单一相混合物，获得固体产物后与溶有可溶性有机化合物的易挥发溶剂混合，再对所得混合物进行机械法研磨，使有机物与固体颗粒充分混合并减小固体物的粒径。通过两次加碳的工艺，处于不同空间位置的碳源材料分别并同时起到了还原三价铁和在磷酸铁锂表面包覆碳的作用，实现了仅需一次高温加热过程就可制备具有完整碳包覆结构磷酸铁锂材料的目的，碳热反应的完全性和材料的电导性都较好。该方法具有成本低，耗能少，周期短，批次稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN102491743A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363666.X
申请日：2011-11-17
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN100447084C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510111919.9
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15%加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10-300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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公开(公告)号：CN100345224C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510028238.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为0.03～0.1赫兹，强度为1～100T(特斯拉)的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1794365A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111916.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导块材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导块材。本发明方法制得的MgB2超导块材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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公开(公告)号：CN1794364A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111915.0
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导带材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导带材。本发明方法制得的MgB2超导带材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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公开(公告)号：CN1731537A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510028238.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为0.03～0.1赫兹，强度为1～100T(特斯拉)的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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公开(公告)号：CN103956489A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410162008.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种基于液相混料的两次加碳工艺制备磷酸铁锂电极材料的方法。该方法首先将锂源、铁源、磷源和碳源材料混合制成液态的单一相混合物，获得固体产物后与溶有可溶性有机化合物的易挥发溶剂混合，再对所得混合物进行机械法研磨，使有机物与固体颗粒充分混合并减小固体物的粒径。通过两次加碳的工艺，处于不同空间位置的碳源材料分别并同时起到了还原三价铁和在磷酸铁锂表面包覆碳的作用，实现了仅需一次高温加热过程就可制备具有完整碳包覆结构磷酸铁锂材料的目的，碳热反应的完全性和材料的电导性都较好。该方法具有成本低，耗能少，周期短，批次稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN102502851A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110359608.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜材料的方法。其特征在于以金属钛作为生长基片，直接在其上水热生长二氧化锰薄膜；通过改变合成条件，可以得到晶体结构和组织结构不同的产物，晶型由δ型向α型转变，组织结构由纳米片向纳米棒转变；所制得的二氧化锰薄膜材料具有良好的电化学性能。本发明所述的二氧化锰薄膜是以高锰酸钾、去离子水和pH值调节剂（如盐酸、硫酸、硝酸等）为原料，采用水热法合成的。该法工艺简单、成本低、易于工业化；同时所得产物的电化学性能良好，具有作为超级电容器电极材料的应用潜力。
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