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公开(公告)号：CN100578209C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200710041149.4
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧离子-电子混合导体材料离子电导率的测量方法。混合导体为一种同时具有氧离子和电子导电能力的陶瓷材料。本发明测量方法的特点是，利用电子阻塞后待测混合导体试样几何形状发生的变化引起的电阻的变化来计算而得到其离子电导率；由于混合导体和阻塞电极的接触情况前后没有发生任何变化，计算中可以不考虑界面电阻、阻塞电极电阻以及Pt电极电阻，避免了由此造成的误差。混合导体的离子电导率σi的计算公式为：σi＝(L1-L2)/[S×(R-R')]。本发明的测量方法简单方便，测量电池结构简单，减少了引入误差的因素。
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公开(公告)号：CN116903396B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310905454.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 上海大学
Inventor： 甄强
Abstract: 本发明属于抗氧化涂层技术领域，具体涉及一种抗氧化涂层修补材料、破损抗氧化涂层的修补方法。本发明提供了一种抗氧化涂层修补材料，包括第一涂料、第二涂料和超高温陶瓷片；所述第一涂料包括填料、第一粘结剂和水；所述填料为碳化硅粉和硅粉或碳化硅粉；所述第二涂料包括碳化物、硼化物、氧化物、第二粘结剂和水；所述碳化物为碳化硅、碳化锆和碳化铪中的一种或多种，所述硼化物为硼化锆、硼化铪、硼化钽和硼化钛中的一种或多种，所述氧化物为氧化钇、氧化铝、氧化镧中的一种或多种。利用本发明提供的修补材料能够修补大面积破损的抗氧化涂层，同时保证涂层的抗氧化性。
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公开(公告)号：CN117466645A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311811748.5
申请日：2023-12-27
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，涉及一种碳硅化铝晶须及其制备方法，制备方法包括：将催化剂、溶剂、铝源、硅源和碳源混合，干燥，埋碳烧结，得到碳硅化铝晶须；其中所述催化剂为镍基催化剂、铁基催化剂或钴基催化剂中的一种或几种组合。与现有技术相比，本发明所制备的碳硅化铝晶须粗细均匀、具有更大的比表面积；碳硅化铝晶须特有的二维线状结构对陶瓷材料内部的包裹性更好，不仅可以起到“支架”的桥连作用，在高温氧化时还可以先被氧化；通过改变催化剂的种类，可以制备得到不同尺寸的碳硅化铝晶须，从而实现碳硅化铝晶须尺寸的可控，能够满足不同行业的生产需求。
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公开(公告)号：CN117447207A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311403834.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/81 , C04B35/624 , C04B35/626 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于超高温陶瓷技术领域，具体涉及一种含晶须的钽铪陶瓷纳米粉体及其制备方法。本发明利用HfCl4、TaCl5作为Hf源、Ta源，和有机碳源通过溶胶凝胶法制备含Hf、Ta、C的前驱体，可以使原料间达到原子尺度的混合，有利于后续反应的进行。前驱体再经碳热还原反应得到含晶须的钽铪陶瓷纳米粉体(Ta4HfC5)，制备工艺简单且含晶须特殊结构。本发明提供的制备方法具有原料简单易得，方法简单，易操作，反应条件温和的优点。
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公开(公告)号：CN116903396A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310905454.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 上海大学
Inventor： 甄强
Abstract: 本发明属于抗氧化涂层技术领域，具体涉及一种抗氧化涂层修补材料、破损抗氧化涂层的修补方法。本发明提供了一种抗氧化涂层修补材料，包括第一涂料、第二涂料和超高温陶瓷片；所述第一涂料包括填料、第一粘结剂和水；所述填料为碳化硅粉和硅粉或碳化硅粉；所述第二涂料包括碳化物、硼化物、氧化物、第二粘结剂和水；所述碳化物为碳化硅、碳化锆和碳化铪中的一种或多种，所述硼化物为硼化锆、硼化铪、硼化钽和硼化钛中的一种或多种，所述氧化物为氧化钇、氧化铝、氧化镧中的一种或多种。利用本发明提供的修补材料能够修补大面积破损的抗氧化涂层，同时保证涂层的抗氧化性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115716755B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211444486.9
申请日：2022-11-18
IPC: C04B35/66 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷技术领域，公开了一种超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，该方法包括如下步骤：S1：原料粉球磨混合及稀土金属元素引入，S2：粉体氢气还原，S3：粉体烧结。本发明通过在超高温陶瓷原料粉中加入稀土元素金属粉进行球磨混合，并对混合粉体进行氢气还原，使复合陶瓷的氧含量低于0.1％，显著促进烧结致密化，同时稀土金属粉的引入导致复合陶瓷中产生稀土掺杂相和晶界析出相，阻碍晶粒长大并降低了晶界的元素扩散速率，提高了材料的强韧性；在高温烧蚀过程中稀土元素与SiO2结合形成Re‑Si‑O相，提高玻璃相的稳定性，使得超高温陶瓷基复合材料的抗烧蚀性能得到了提高。
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公开(公告)号：CN115627390A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211418013.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 上海大学
IPC: C22C19/05 , C22C1/02 , B22F9/08 , B22F10/28 , B22F10/32 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , B33Y40/20 , C22F1/10 , C22C1/047
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化物弥散强化镍基高温合金及其制备方法，其中该合金的重量百分比组分为：碳0.01‑0.05％，铬21.0‑35.0％，镍50.0‑55.0％，铝0.3‑1.1％，钛0.6‑2.2％，铌3.5‑5.5％，钴1.0‑3.0％，钼3.0‑5.0％，硅0.1‑0.3％，硼0.002‑0.020％，稀土元素0.01‑1.0％，氧0.01～0.15％，硫≤0.003％，磷≤0.003％，余量为铁和不可避免的杂质。本发明通过稀土元素与O含量的相对比例优化并设计制备工艺，同时解决了镍基高温合金使用温度偏低、强度不高和寿命较低的问题，可应用于制备服役环境苛刻且形状复杂的部件、构件等。
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公开(公告)号：CN113683909B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111025389.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层、制备方法及应用，所述的陶瓷涂层是由如下质量百分比的组分制备的特征涂料的浆料固化而成：纳米氧化铋10～25％；硅烷20～30％；酸2～5％；溶剂45～60％；助剂1～5％；所述特征涂料的浆料固化后形成陶瓷涂层，该陶瓷涂层中氧化铋的含量最高可达到80wt％。本发明还公开了该陶瓷涂层的制备方法，先制得特征涂料，涂覆在管壳基底材料表面，制备特征涂层，固化后得到陶瓷涂层。本发明还公开了该陶瓷涂层的应用，将其用于提升电子元器件基体的抗辐射性能,可有效降低电子元器件基体被γ或X射线等高能辐射的损害。
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公开(公告)号：CN112745146B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110032342.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 上海大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明公开了一种碳/碳复合材料涂层的局部缺陷晶须或片状增强修补方法，包括：清理涂层的局部缺陷部位，烘烤干燥后，用硅粉和聚碳硅烷的混合物涂覆在涂层脱落的表面，烘干固化，经低温等离子处理后制得内涂过渡层；然后，用Na2SiO3·9H2O和硅溶胶的混合溶液作为结合剂，加入SiC、Al2O3亚微米粉和一维结构SiC、ZrB2、Zr0.8Ti0.2B2或二维结构TiB2组成的混合粉体，涂覆在过渡层表面，烘干再经过烘烤固化，形成具备晶须增强复合结构的外层防护层，由内涂过渡层与外层防护层共同完成对碳/碳复合材料涂层局部缺陷的修补。本发明还公开了该方法获得的修补涂层。本发明通过分层修补，改善修补涂层的高温抗氧化和耐烧蚀性能，并提高修补涂层部位与其他部位涂层性能的一致性。
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公开(公告)号：CN113683909A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111025389.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层、制备方法及应用，所述的陶瓷涂层是由如下质量百分比的组分制备的特征涂料的浆料固化而成：纳米氧化铋10～25％；硅烷20～30％；酸2～5％；溶剂45～60％；助剂1～5％；所述特征涂料的浆料固化后形成陶瓷涂层，该陶瓷涂层中氧化铋的含量最高可达到80wt％。本发明还公开了该陶瓷涂层的制备方法，先制得特征涂料，涂覆在管壳基底材料表面，制备特征涂层，固化后得到陶瓷涂层。本发明还公开了该陶瓷涂层的应用，将其用于提升电子元器件基体的抗辐射性能,可有效降低电子元器件基体被γ或X射线等高能辐射的损害。
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