公开(公告)号：CN113683909B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202111025389.1

申请日：2021-09-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 甄强 ,  沈孙毅 ,  布乃敬 ,  陈来 ,  李榕

IPC: C09D1/00 ,  C09D7/63 ,  G21F1/10 ,  G21F1/06 ,  G21F1/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层、制备方法及应用，所述的陶瓷涂层是由如下质量百分比的组分制备的特征涂料的浆料固化而成：纳米氧化铋10～25％；硅烷20～30％；酸2～5％；溶剂45～60％；助剂1～5％；所述特征涂料的浆料固化后形成陶瓷涂层，该陶瓷涂层中氧化铋的含量最高可达到80wt％。本发明还公开了该陶瓷涂层的制备方法，先制得特征涂料，涂覆在管壳基底材料表面，制备特征涂层，固化后得到陶瓷涂层。本发明还公开了该陶瓷涂层的应用，将其用于提升电子元器件基体的抗辐射性能,可有效降低电子元器件基体被γ或X射线等高能辐射的损害。

公开(公告)号：CN113683909A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111025389.1

申请日：2021-09-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 甄强 ,  沈孙毅 ,  布乃敬 ,  陈来 ,  李榕

IPC: C09D1/00 ,  C09D7/63 ,  G21F1/10 ,  G21F1/06 ,  G21F1/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铋抗辐射陶瓷涂层、制备方法及应用，所述的陶瓷涂层是由如下质量百分比的组分制备的特征涂料的浆料固化而成：纳米氧化铋10～25％；硅烷20～30％；酸2～5％；溶剂45～60％；助剂1～5％；所述特征涂料的浆料固化后形成陶瓷涂层，该陶瓷涂层中氧化铋的含量最高可达到80wt％。本发明还公开了该陶瓷涂层的制备方法，先制得特征涂料，涂覆在管壳基底材料表面，制备特征涂层，固化后得到陶瓷涂层。本发明还公开了该陶瓷涂层的应用，将其用于提升电子元器件基体的抗辐射性能,可有效降低电子元器件基体被γ或X射线等高能辐射的损害。