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公开(公告)号：CN101172644A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710047105.2
申请日：2007-10-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种四棱柱形氧化锡纳米线的制备方法，该方法以Na2SnO3·4H2O为锡源，无水乙醇－去离子水混合溶液为反应溶剂，以氢氧化钠为pH值控制剂，在180～300℃下反应24～72小时即可得到四棱柱形氧化锡纳米线。所制备的氧化锡纳米线为四棱柱形单晶结构，产物形貌均一，氧化锡纳米线直径在～80nm，长度～2.5μm，为典型的金红石结构。特点在于以Na2SnO3·4H2O为锡源，不引入其他杂质离子，产物纯度高；产物无须进行热处理，降低了成本，缩短了制备周期，提高了产品的品质。
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公开(公告)号：CN1285512C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510023569.0
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及用溶胶凝胶法制造一种立方晶型In2O3纳米棒的方法，属于化学化工技术领域。本发明方法的具体过程和步骤为：用氯化铟溶液，加入一定量的形貌控制剂壬基酚聚氧乙烯十醚，在50-80℃水浴中加热，用恒温磁力搅拌器搅拌约30-50分钟后，用0.1mol·L-1氨水溶液滴定；控制滴定速度，滴至溶液的pH为7时，停止滴定，在室温下静置数小时；用微孔过滤器洗涤过滤，直至用0.1mol·L-1的AgNO3溶液检验无氯离子为止；将上述滤得的溶胶沉淀物，在真空干燥器中80℃温度下干燥2小时，然后在管式炉中500℃热处理1小时，即可得棒状立方晶体型纳米In2O3。本发明用溶胶凝胶法制备In2O3纳米棒，工艺简单易行，容易操作，制得的立方晶形In2O3纳米棒纯度极高，而且产物分散均匀，可用作半导体气敏元件材料。
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公开(公告)号：CN1624494A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410067536.1
申请日：2004-10-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有良好光致变色性能的有机一无机复合纳米薄膜薄膜材料的制备方法，属特殊材料化学工艺制造技术领域。本发明方法的特征是将模板分子自组装技术与溶胶凝胶过程相结合的制备方法，该方法包括有以下工艺步骤：a.将杂多化合物keggin结构钨硅酸、磷钨酸、磷钼酸溶解于无水乙醇中配制成一定浓度的溶液；b.将一定量的甲基丙烯酰胺溶于甲苯与氯仿的混合溶液中，再加入乙烯基三乙氧基硅烷，在氮气氛下加热至70℃，然后加入过氧化苯甲酰，高速搅拌，使反应完全；c.在反应过程中加入上述杂多化合物溶液；d.所得共聚物再与金属醇盐混合，并恒温水浴搅拌滴入含水乙醇，得到透明溶胶；e.将溶胶涂在基片上干燥24小时，即可得纳米复合薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101398404B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810201976.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明涉及一种检测新型制冷剂HC-600a的气敏元件的制备方法，属金属氧化物半导体气敏元件的制备工艺技术领域。本发明气敏元件的材料以SnO2-Fe2O3二元纳米复合材料为基础，其中Sn/Fe摩尔比为1～15：100；通过浸渍法掺杂质量分数为0.1％～1.0％的贵金属元素Au和Ru，得到掺杂的气敏材料，然后将所述气敏材料经研磨后以适量去离子水及聚乙二醇调成糊状，均匀涂敷在氧化铝陶瓷管表面经500℃退火处理2小时，制得检测HC-600a制冷剂气敏元件。本发明制得的气敏元件具有对HC-600a制冷剂气体灵敏度高，对干扰气体选择性好，响应恢复时间短、稳定性好等优点，可用于新型环保制冷剂HC-600a的检漏及异丁烷相关行业的检测领域。
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公开(公告)号：CN101711881B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910200519.3
申请日：2009-12-22
Applicant: 上海大学
IPC: A61K49/06
Abstract: 本发明涉及一种含钆大分子磁共振血管造影剂及其制备方法。本发明的易降解钆(III)大分子磁共振血管造影剂，是钆配合物与无机双金属氢氧化物的插层复合物，平均粒径17-34nm。该造影剂是将易生物降解的双金属氢氧化物(LDHs)作为主体材料，通过插层反应实现含钆配合物与双金属氢氧化物的纳米复合，并由反相微乳体系控制无机大分子产物粒径在血管内造影剂要求范围内，其纵向弛豫效率r1为7.5mM-1s-1，横向弛豫效率r2为10mM-1s-1，比自由二乙三胺五乙酸钆(Gd-DTPA)分别提高了2倍和3倍，同时因双金属氢氧化物的缘故，该大分子复合物通过简单处理，可以降解成无机离子和小分子钆配合物，从而解决钆(III)大分子磁共振血管造影剂降解慢、钆清除困难的问题。
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公开(公告)号：CN101711881A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910200519.3
申请日：2009-12-22
Applicant: 上海大学
IPC: A61K49/06
Abstract: 本发明涉及一种含钆大分子磁共振血管造影剂及其制备方法。本发明的易降解钆(III)大分子磁共振血管造影剂，是钆配合物与无机双金属氢氧化物的插层复合物，平均粒径17-34nm。该造影剂是将易生物降解的双金属氢氧化物(LDHs)作为主体材料，通过插层反应实现含钆配合物与双金属氢氧化物的纳米复合，并由反相微乳体系控制无机大分子产物粒径在血管内造影剂要求范围内，其纵向弛豫效率r1为7.5mM-1s-1，横向弛豫效率r2为10mM-1s-1，比自由二乙三胺五乙酸钆(Gd-DTPA)分别提高了2倍和3倍，同时因双金属氢氧化物的缘故，该大分子复合物通过简单处理，可以降解成无机离子和小分子钆配合物，从而解决钆(III)大分子磁共振血管造影剂降解慢、钆清除困难的问题。
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公开(公告)号：CN100534908C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710045913.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高长径比In2O3纳米线的制造方法，属纳米材料制备工艺技术领域。本发明的特征为在一定的pH条件下，采用草酸作为配位剂，与可溶的铟盐形成配合物，用水热法在一定温度下处理该配合物得到白色的In(OH)3纳米线前驱体，最后在400℃下煅烧该前驱体即可得到最终的产品——In2O3纳米线。用X-射线粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG-DSC)、透射电子显微镜(TEM)及扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对产品的晶相、形貌以及尺寸等进行分析。分析结果显示用本发明所述的方法可成功制造出立方体心相的In2O3纳米线，其直径为40-60nm，长度为2-10μm。
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公开(公告)号：CN1265211C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200410067536.1
申请日：2004-10-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有良好光致变色性能的有机—无机复合纳米薄膜薄膜材料的制备方法，属特殊材料化学工艺制造技术领域。本发明方法的特征是将模板分子自组装技术与溶胶凝胶过程相结合的制备方法，该方法包括有以下工艺步骤：a.将杂多化合物keggin结构钨硅酸、磷钨酸、磷钼酸溶解于无水乙醇中配制成一定浓度的溶液；b.将一定量的甲基丙烯酰胺溶于甲苯与氯仿的混合溶液中，再加入乙烯基三乙氧基硅烷，在氮气氛下加热至70℃，然后加入过氧化苯甲酰，高速搅拌，使反应完全；c.在反应过程中加入上述杂多化合物溶液；d.所得共聚物再与金属醇盐混合，并恒温水浴搅拌滴入含水乙醇，得到透明溶胶；e.将溶胶涂在基片上干燥24小时，即可得纳米复合薄膜。
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