硅基有机发光微显示器像素驱动电路

    公开(公告)号:CN105976754A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610163263.3

    申请日:2016-03-19

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: G09G3/3208

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光微显示器像素驱动电路。它包括数据存储电路、开关电路和泄放电路。数据存储电路与行驱动信号ROW、列驱动DATA、电源VDD和地GND相连接;在行选通信号ROW有效的情况下,将列驱动信号DATA写进数据存储电路进行保存;输出信号接至第一开关管T1,控制第一开关管T1的开关状态;在数据存储电路输出信号有效时,第一开关晶体管T1导通,使硅基有机发光二极管OLED在VDD和Vcom电压驱动下发光;第二开关晶体管T2:栅极连接偏置信号BIAS,源极连接地GND,漏极连接有机发光二极管的阳极和第一开关晶体管T2的漏极;在OLED不工作时,偏置信号BIAS信号有效时,第二开关晶体管T2导通,使硅基有机发光二极管OLED进入放电状态。

    硅基顶发射有机发光微显示器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102629667A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210122468.9

    申请日:2012-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基顶发射有机发光微显示器及制备方法。本发明将有机发光器件制作于硅基芯片的表面上,硅基芯片中集成了有机发光器件的驱动电路和控制电路。该微显示器的结构为(自底而上):单晶硅基底、驱动电路、顶部通孔层和顶部通孔、像素阳极和共阴电极、有机层、透明阴极层、多层薄膜封装层、色彩过滤层、玻璃封盖。其中,像素阳极采用钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构;有机层至少包含一个空穴传输层、一个多层有机发光层和一个电子传输层。该微显示器的有机发光像素单位面积小于100平方微米,像素分辨率640×480以上。此外,本发明的芯片切割工艺步骤在制作有机发光层和薄膜封装层之前进行,可以利用各种掩膜版制作有机显示器件,避免引入成本较高的激光刻蚀机。

    硅基微型显示器驱动电路

    公开(公告)号:CN102622965A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210122480.X

    申请日:2012-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基微型显示器驱动电路,该驱动电路包含一个m行n列像素驱动电路阵列、一个行驱动器和一个列驱动器,像素驱动电路阵列由若干结构相同的像素驱动电路子阵列组成,每一个子阵列包含有s行t列个像素驱动电路和s个行缓存器,且每一个行方向上包含t个像素驱动电路和1个行缓存器。所述行缓存器在行方向上可位于任两个相邻像素驱动电路中间;所述像素驱动电路子阵列的数量为m/s行和n/t列,m/s的值和n/t的值均为整数;所述行驱动器产生像素驱动电路阵列所需的选通信号,列驱动器产生像素驱动电路阵列所需的数据信号。本驱动电路可设计呈模块化,使设计过程简化,也便于今后优化该电路。

    一种嵌入式待机节能方法及装置

    公开(公告)号:CN101846967A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010126707.9

    申请日:2010-03-17

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种嵌入式待机节能方法及装置。本方法是将一个控制电路,一个电子开关和一个传感器通过配电插座或供电电缆等形式,嵌入到用电设备与市电之间;用控制电路、电子开关和传感器实现对用电设备待机状态的间歇式供电和同步检测。在用电设备的上电启动和正常工作时,所述传感器将检测到的供电电流变换成相应大小的信号电平输入到所述控制电路,此信号电平若大于甄别门限电平,经所述控制电路转换成幅值保持恒定的脉冲信号输出到所述电子开关,所述电子开关才保持接通而对用电设备正常连续供电。本装置是市电经电子开关和一个传感器后连接含开关电源的用电设备,传感器的输出端经一个控制电路连接所述电子开关的控制端。本发明可方便嵌入用电设备和市电之间实现待机节能,具有体积小,重量轻、可靠、价廉、寿命长特点。

    一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路

    公开(公告)号:CN101261810B

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200810036364.X

    申请日:2008-04-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路。它是一个输入电连接行扫描线、列扫描线和数据线而输出电连接一个二极管的像素驱动电路,所述的像素驱动电路由一个二进制锁存器经电平转换电路连接一个恒流源像素驱动电路;所述的二进制锁存器,用于起显示设备行列数据选通作用;所述的恒流源像素驱动电路,用于在像素选通状态下,给有机发光二极管提供幅值大小固定的电流,使之发光,并根据数据线提供的数据的占空比改变其亮度;所述的电平转换电路,用于在二进制锁存器和恒流源像素驱动电路之间起一种高低电平转换作用;所述的像素驱动电路,根据一条行扫描线和一条列扫描线将一条数据线上的数据传输到像素驱动电路上,使得有机发光二极管灰度显示。本发明的整个像素驱动电路全部采用晶体管代替传统的电容充放电,极大地提高了像素电路的开口率;通过静态电流源提供固定大小电流,使得有机发光二级管在工作状态下通过的电流得到精确的控制,不受阈值电压的影响。

    硅基微型显示器驱动电路

    公开(公告)号:CN102622965B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201210122480.X

    申请日:2012-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基微型显示器驱动电路,该驱动电路包含一个m行n列像素驱动电路阵列、一个行驱动器和一个列驱动器,像素驱动电路阵列由若干结构相同的像素驱动电路子阵列组成,每一个子阵列包含有s行t列个像素驱动电路和s个行缓存器,且每一个行方向上包含t个像素驱动电路和1个行缓存器。所述行缓存器在行方向上可位于任两个相邻像素驱动电路中间;所述像素驱动电路子阵列的数量为m/s行和n/t列,m/s的值和n/t的值均为整数;所述行驱动器产生像素驱动电路阵列所需的选通信号,列驱动器产生像素驱动电路阵列所需的数据信号。本驱动电路可设计呈模块化,使设计过程简化,也便于今后优化该电路。

    硅基有机发光二极管微显示器电流脉宽调制驱动电路

    公开(公告)号:CN102956197A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210414879.5

    申请日:2012-10-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光二极管微显示器电流脉宽调制驱动电路。它由像素单元电路连接参考电流产生电路构成。该像素驱动电路包括驱动晶体管、2个开关晶体管、存储电容、有机发光二极管。其中,第一开关晶体管的漏极接列驱动信号,栅极接行驱动信号,源极接第二开关晶体管的栅极,第一开关晶体管在行驱动信号选通情况下,将列驱动信号写入存储电容,第二开关晶体管的漏极接有机发光二极管的阳极,源级接驱动晶体管的漏极,通过存储电容的信息控制第二开关晶体管的导通状态,驱动晶体管的栅极接参考电流产生电路的参考电压,源级接正电源,参考电压为像素驱动单元提供一个稳定精确的外部输入电压。

    硅基微显示器的有机电致发光器件制备方法

    公开(公告)号:CN102629671A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210122476.3

    申请日:2012-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基微显示器的有机电致发光器件制备方法。其工艺步骤如下:1、在平坦化的硅基衬底上制备绝缘层;2、对所述绝缘层进行干法刻蚀,露出像素区,同时刻蚀后的绝缘层截面为倒梯形截面;3、制备具有光反射特性的像素电极,所述像素电极的厚度低于绝缘层厚度,从而使得像素与非像素区域被互相隔开;4、依次制备空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电极注入层,其总厚度应高于非发光区的边缘高度,避免OLED器件的电极短路发生;5、制备OLED的透明或半透明阴极共电极。本发明采用全干法刻蚀工艺实现像素电极,可避免返回集成电路半导体工艺时带来的污染问题和精度问题;通过控制绝缘层的厚度来使像素之间互相隔离,使得OLED制备无需增添掩膜板,具有工艺简单、提高良率的优点。

    MOS功率管的栅极保护装置
    19.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2653696Y

    公开(公告)日:2004-11-03

    申请号:CN03209916.9

    申请日:2003-08-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种MOS功率管的栅极保护装置,它制作在MOS功率管的终端区硅单晶衬底上,其特征在于电路结构是:在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间,分别各连接一对取向相反的PN结二极管。本实用新型无论栅—源间或栅—漏间存在或正或反的电压,都能确保栅极抗静电保护能力。

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