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公开(公告)号：CN2653696Y
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN03209916.9
申请日：2003-08-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L23/58 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型涉及一种MOS功率管的栅极保护装置，它制作在MOS功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间，分别各连接一对取向相反的PN结二极管。本实用新型无论栅—源间或栅—漏间存在或正或反的电压，都能确保栅极抗静电保护能力。
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