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公开(公告)号：CN102243991B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110116134.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450℃下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N2)作为保护气体；5、用浓盐酸溶液(浓度为37.5%)来除去表面残留的金属锡，最后制得锡诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为70-200nm。本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102320757A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110147817.8
申请日：2011-06-03
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用氯化铝(AlCl3)升华的物理性质来作为铝源进行铝诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明是通过以下技术方案来实现：1、使用玻璃作为衬底，用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁，烘干后放入等离子增强化学气相沉积反应室；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，薄膜厚度为100nm-200nm；3、将作为铝源的无水氯化铝粉末和制备好的非晶硅薄膜制品一起放入特制的石英舟内，将装载好的石英舟置于石英管式退火炉中，在550℃下热处理4小时以上自然冷却，退火前和期间通入氩气(Ar)，气体流量为200sccm；4、用浓度为20%的盐酸溶液来除去表面残留的铝，最后得到诱导晶化的多晶硅薄膜；本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102243991A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110116134.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450℃下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N2)作为保护气体；5、用浓盐酸溶液(浓度为37.5%)来除去表面残留的金属锡，最后制得锡诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为70-200nm。本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN101557187B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910050329.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 上海大学
IPC: H02P6/08 , H02P6/18 , H02M7/5395
Abstract: 本发明涉及一种基于12拍控制的无刷直流电机无位置传感器控制装置及方法。本装置包括直流电源、三相逆变器、无刷直流电机、三相逆变器功率器件驱动电路、微控制器和转子位置检测电路。直流电源经三相逆变器与无刷直流电机连接；转子位置检测电路连接无刷直流电机进行检测后输出的信号直接连接至微控制器的模数转换输入引脚；微控制器的六路输出经三相逆变器功率器件驱动电路连接至三相逆变器。本方法利用XC866单片机内嵌的模数转换单元，在PWM开通时刻检测两管导通区间内非导通相绕组的端电压，获取反电势过零点来作为12拍换相的依据，从而降低了所采用无刷直流电机无位置传感器控制装置对外围电路的需求，达到既有效抑制电磁转矩脉动，又降低系统成本的目的。
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公开(公告)号：CN110265141B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910391853.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种肝脏肿瘤CT影像计算机辅助诊断方法。该方法通过全卷积网络（FCN）对肝脏及肿瘤进行分割，通过卷积神经网络（CNN）对肝脏肿瘤进行分类。在训练FCN模型时，使用加权的交叉熵损失函数以提高肿瘤分割的准确率。在训练和使用CNN进行分类时，将1通道的CT图像和3通道的FCN分割结果拼接成4通道图像数据作为其输入。最终将训练好的FCN和CNN模型组合构建为一个计算机辅助诊断系统，读取待诊断的CT图像并输入系统后，以得出该CT图像属于健康肝脏、弥漫性肿瘤、结节型肿瘤或巨块型肿瘤的概率。该方法的整体流程无需图像预处理和特征提取的步骤，不仅简化了流程，而且最终诊断准确率不会受到图像噪声、低对比度和特征选择及提取的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103172636B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310079292.8
申请日：2013-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: C07D487/04
Abstract: 本发明涉及一种吡啶并喹唑啉酮类化合物及其制备方法。该化合物的结构式为：其中：R1=-Ome，H；R2=-H，-Me，-Ph，-CO2Et，-Br。本发明涉及的取代的吡啶并喹唑啉酮类化合物是一类重要的药物分子的活性骨架以及有机合成中间体，在药物化学中占有重要的地位。本发明方法的原料易得，反应产率高，底物适用范围广。反应中使用常规溶剂，操作简单、条件温和、反应环保，反应产率最高可达95％，非常适合工业生产。
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公开(公告)号：CN103994952A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410212036.6
申请日：2014-05-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种挤压法同步测量金属润湿角及DSC曲线的装置，属金属凝固技术领域。本发明所述装置主要包括水平加热炉体系统、拍照观察系统、真空及充气系统、DSC系统、数据采集记录系统和挤压滴落系统。本装置不但集合了DSC设备和润湿角测量仪的功能，且挤压滴落系统穿过炉体上的孔洞并和炉体密封，保持垂直且底端正对着DSC样品传感器托盘。实验过程中，金属在刚玉管中熔化，然后被挤压滴落到置于DSC样品传感器托盘上的基底上，滴落过程中有效过滤掉了金属表面的氧化膜，从而更准确地测得其相变点和润湿角的数据。
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公开(公告)号：CN103172636A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310079292.8
申请日：2013-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: C07D487/04
Abstract: 本发明涉及一种吡啶并喹唑啉酮类化合物及其制备方法。该化合物的结构式为：其中: R1=-Ome，H；R2=-H，-Me，-Ph，-CO2Et，-Br。本发明涉及的取代的吡啶并喹唑啉酮类化合物是一类重要的药物分子的活性骨架以及有机合成中间体，在药物化学中占有重要的地位。本发明方法的原料易得，反应产率高，底物适用范围广。反应中使用常规溶剂，操作简单、条件温和、反应环保，反应产率最高可达95％，非常适合工业生产。
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公开(公告)号：CN102952061A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210395613.0
申请日：2012-10-18
Applicant: 上海大学
IPC: C07D209/38
Abstract: 本发明涉及一种N-取代吲哚二酮类化合物及其制备方法。该化合物的结构式为：其中: R1为：OMe或OTs；R2为：、一个碳到十二个碳的烷基、isopropyl、cyclopropyl、benzyl、alkyl、phenethyl、hydroxyethyl、furan-2-ylmethyl或naphthalen-1-yl；R3为：R3为：H、-Me、-OMe、-OEt、-Br、-Cl或-COOEt。该N-取代的吲哚二酮类化合物是一类重要的药物分子的活性骨架以及有机合成中间体，在药物化学中占有重要的地位。本发明方法的原料易得，反应产率高，底物适用范围广。反应中使用常规溶剂，操作简单、条件温和、反应环保，反应产率最高可达85％，非常适合工业生产。
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公开(公告)号：CN105970134B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610284043.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 上海大学
IPC: C22F3/02
Abstract: 本发明公开了一种电流高通量制备金属凝固和热处理试样的装置和方法，该装置包括电源、电极、电阻炉、坩埚、测温元件，坩埚和测温元件位于电阻炉中，用于对金属试样进行控温加热和冷却，电极位于坩埚的上方。本发明可用于快速筛选最优电流施加工艺参数，省去了浇注步骤，省去了多次实验过程中操作不确定性因素，也避免了实验过程中参数的波动不稳定而带来的温度误差；本发明所提供的装置采用统一集中测温，统一外场电流参数处理减少了实验参数的波动，能更准确地测得电流处理金属熔体下温度的研究。
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