-
公开(公告)号：CN101036973A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710038760.1
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高精度辊磨床轧辊圆度及辊形误差在线测量装置及方法。能将轧辊安装偏心、机床主轴误差和机床导轨误差用两点误差分离法分离掉，从而大大提高了轧辊的测量精度。测量轧辊直径时，通过该测量装置可以实现一次标定多次测量。本发明的优点是：提出了具有两点误差分离的测量装置，用该装置测量的数据计算简单，轧辊的测量精度有了较大的提高，轧辊测量效率也有了提高。当在该装置上安装一个涡流探伤传感器22(D)还能实现轧辊表面质量的在线监测。
-
公开(公告)号：CN102491742A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363649.6
申请日：2011-11-17
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
-
公开(公告)号：CN102280623A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110187362.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
-
公开(公告)号：CN102244242A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110146225.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与氧化锌前驱体溶液充分搅拌后混合，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到ZnO颗粒复合的磷酸铁锂粉末。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、无需惰性气氛、物相均匀、粒径小等优点，生成的氧化锌复合磷酸铁锂正极材料具有良好的电化学性能。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280622B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110187303.5
申请日：2011-07-06
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100℃~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
-
公开(公告)号：CN102515275A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110365870.5
申请日：2011-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C01G45/02
Abstract: 本发明公开了一种以高锰酸盐、去离子水和盐酸为原料，采用水热法在金属锰基片上合成多层层状结构MnO2薄膜的方法。其特征在于薄膜的层状结构可控，通过调节合成条件可以得到双层和三层的层状结构MnO2薄膜，膜厚可由几微米变到几十微米；薄膜为多孔疏松结构，各层由尺寸不一的纳米片构成，纳米片垂直于基片排列，由纳米片构成的孔道直径从几十纳米到几百纳米不等；金属锰基片对薄膜生长的导向作用明显，有利于薄膜的生长，也有利于提高膜与基片的结合力。该法工艺简单、成本低、易于工业化，同时得到产物的结构新颖，具有作为超级电容器电极材料应用的潜力。
-
公开(公告)号：CN102502782A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110365869.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
-
公开(公告)号：CN101561250A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910052043.3
申请日：2009-05-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种凸轮非圆磨削智能寻位及在线测量方法。此方法利用视觉传感技术，通过计算机控制图像采集系统在每个采样周期内采集凸轮上激光线的图像，经过预处理后，计算出相应的凸轮轮廓上点的坐标。凸轮旋转一圈后，就能得到在当前安装位置下凸轮轮廓上若干点的坐标，进而得到实际凸轮轮廓曲线。采用“敏感点法”遵循“最小条件”原则进行处理，即可得到最优的凸轮加工零位以及准确的凸轮轮廓误差。本发明避免了径向位移传感器对量程的高要求，使测量装置结构简单，便于凸轮非圆磨削的智能寻位和在线检测，提高了凸轮非圆磨削的加工效率及加工精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.02 seconds)
