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公开(公告)号：CN101779618A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045469.6
申请日：2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法，属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性，采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶；其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光，只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性，可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性，利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭，是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
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公开(公告)号：CN101276868A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037354.8
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体，其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上，其中间有一层过渡层，填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面，p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面，n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上，本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷，从而达到提高出二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101276832A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037355.2
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L27/15 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺，它包括n型金pad、透明电流扩展层、填充体、基板、p型金pad、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触，连接p电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、n型金pad，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触总称发光有源层，基板上制作有一绝缘层、导电层，发光有源层通过倒装技术倒贴在基板上，填充体填充在需要做金pad正下面的发光有源层被刻蚀掉的孔里，单个尺寸芯片有四个刻蚀孔，连接p电极金属导柱内嵌在两个连接这导电层的刻蚀孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术制作在n型电极接触的上表面，n型金pad以及辅助电流扩展层通过蒸镀制作在透明电流扩展层上表面。通过氧化锌在微间距内实现芯片的串联，缩小了多芯片的尺寸，而且通过氧化锌的串联，相比于金丝串联，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN102569122A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210054565.9
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。
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公开(公告)号：CN101958333A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055071.0
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101956233A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN101534589A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810034513.9
申请日：2008-03-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02 , G05F3/02 , F21S8/10 , F21V29/02 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: Y02B20/48
Abstract: 一种控制车用LED照明系统光照强度的方法及装置，属照明领域。其特征是：检测车行速度；将检测到的车行速度与设定值进行比较；根据上述两者之间的差值；输出控制信号；用控制信号控制可调电源的输出功率；进而控制LED照明灯的工作功率；使LED照明灯获得一正比于车速的光照强度。本发明还提供了一种采用上述方法的控制装置。由于合理地利用了车速、需要的光照距离、空气流动速度差和风冷式散热装置的散热能力之间的对应关系，使得整个LED照明装置及其附属装置可根据车速的高低，调节大功率LED照明装置的发光强度或工作功率，控制其发热量，再辅以风冷散热结构，即可合理地解决作为车辆前照灯使用时大功率LED照明装置的散热问题。
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公开(公告)号：CN101509145A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910046585.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11－20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800－950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min；然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－150sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－7.5E－4mole/min；然后再升温到1050－1150℃，在氢气气氛下生长高温U－GaN约1um，TMGa流量为20－200sccm，对应于摩尔流量：8E－5mol/min－1E－3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。
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公开(公告)号：CN101430223A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN101276867A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037353.3
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺，包括：n型金pad、氧化锌透明电极、填充体、基板、粘结层、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触、辅助电流扩展电极结构，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层；其中发光有源层通过粘结层粘结在基板上，填充体填充在发光有源层被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，氧化锌透明电极通过薄膜生长工艺生长在n型电极接触的表面，n型金pad以及辅助电流扩展电极通过蒸镀工艺制作在氧化锌透明电极上表面。氧化锌透明电极提高了透明度、延伸电极减少了对光的遮挡，从而提高了出光效率。
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