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公开(公告)号：CN101833352A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159179.7
申请日：2010-04-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了高阶补偿带隙基准电压源，包括用于输出基准电压的输出支路，其特征在于，还包括用于充当电阻作用的接地电阻结构和高阶补偿电路，所述高阶补偿电路和输出支路并联，且均连接至接地电阻结构的电流输入端，接地电阻结构的电流输出端接地，以及所述高阶补偿电路用于在温度升高导致输出支路中电流减小时向接地电阻的电流输入端输入电流，这种结构无需依赖精确的工艺，适用很多种工艺，应用范围广泛，此外不会大幅度增加电路面积，另外本发明提供的高阶补偿带隙基准电压源的温度系数远远优于现有高阶补偿带隙基准电压源的温度系数。
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公开(公告)号：CN113126687A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911390304.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种新型高精度全周期输出开关电容带隙基准电压产生电路，以满足高精度增量ADC对参考电压精度的要求。本电路结构采用了双转单开关电容运算放大器结构，不仅消除了运放输入失调电压的影响，而且也减小了运放有限增益误差。此外还包括两个同样的开关电容带隙基准产生电路，但是其时钟周期互补，同时在各自的输出端串联一个选通开关，从而实现全周期带隙基准电压输出。
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公开(公告)号：CN109980007A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454894.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN109979897A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452899.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L29/06
Abstract: 一种中间层含有PN结的大埋层结构的SOI高压器件。本发明设计并公开了该种器件的结构。该结构针对目前SOI器件普遍存在的两个问题——低击穿电压以及自加热效应，以现有的传统SOI器件为基础，设计了一种全新的SOI器件。该器件采用与传统SOI器件不同的结构方式，在理论上可以有效地提高器件的击穿电压，对自加热效应也有一定的改善。该专利包括这种新器件结构的组成结构和材料。
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公开(公告)号：CN109975627A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711456524.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107543652A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610470510.4
申请日：2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01L27/00
Abstract: 本发明公开了一种用于压力传感器校准的芯片加热方法，属于压力传感器校准的技术领域。本发明的目的是提供一种用于压力传感器校准的加热方法。本方法是基于PID算法设计芯片加热程序，通过设计传感器芯片加热结构对芯片直接加热，传感器芯片加热结构有测试母板，测试母板上装有芯片测试座，测试座中装有加热电阻片，将待校准芯片装入测试座中且固定，加热电阻片位于待校准芯片底部，通过锁紧装置加热片与待校准芯片紧密接触。加热电阻片直接对待校准芯片加热到预设温度。
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公开(公告)号：CN101871962A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010186716.7
申请日：2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明公开了电流检测方法及电路，以提高检测精度，所述方法包括步骤：获取检测电流；生成基准电流；根据所述检测电流及基准电流，判断检测电流是否达到预定值；该电路包括：检测电流获取模块，用于获取检测电流；基准电流生成模块，用于生成基准电流；检测模块，用于基于检测电流获取模块获取的检测电流及基于基准电流生成模块生成的基准电流，检测出检测电流是否达到预定值。
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公开(公告)号：CN101868087A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010186661.X
申请日：2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了LED驱动芯片及LED电路，以防止现有LED驱动芯片过温会停止工作，导致安全事故等问题。所述LED驱动芯片包括误差放大器，还包括过温识别模块，用于识别出LED驱动芯片过温；电压控制模块，用于在过温识别模块识别出过温的情况下，将所述误差放大器同向输入端连接的原参考电压更换为新参考电压，所述新参考电压的电压值低于原参考电压的电压值。
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公开(公告)号：CN113131932A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911391768.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明提供了一种新型全差分多阶增益ADC失调电压和电荷注入消除技术，以提高增益ADC的分辨精度和减小量化误差。其中所述失调电压和电荷注入消除电路，包括多阶增量ADC开关电容积分电路，此外还包括用于控制积分时序的两相不交叠时钟电路，其输出时钟给开关电容积分电路，控制积分模块的时序；此外还包括逻辑控制模块，用于控制整体电路的工作时序以及产生消除失调电压和电荷注入的特定时序；此外还包括低输入失调的全差分量化器，用于量化积分电压，并控制积分输入电压的选择；此外还包括数字滤波器，对量化器输出进行量化，产生对应的二进制输出；此外还包括模拟地产生电路，用来给全差分运放提供输出共模电位。
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公开(公告)号：CN113125828A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911386660.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种新型的电流检测电路，与传统电流检测电路相比，特征在于在比较器，在分压电阻两端并联了两个电阻。采用这种方法，可以很大范围降低比较器输入端电压。从低压电流检测到低电压电流检测均将适用。此电路结构不仅适用于由分离元件构成的电路中，也适用于芯片中的电流检测。对于低压工艺的芯片，采用该技术可以检测高压电路中的电流。
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