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公开(公告)号:CN1441504A
公开(公告)日:2003-09-10
申请号:CN03116165.0
申请日:2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤:前道化学预处理;半导体PN结制作;电感偶合等离子刻蚀周边;淀积氮化硅薄膜;丝网印刷正、背面电极;正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成,降低了的成本,提高了太阳电池效率。采用此工艺,可获得商业化大面积(103×103mm2)单晶硅太阳电池的效率达15.7%,此工艺也适用于多晶硅太阳电池,多晶硅太阳电池效率可达14.0%以上,(AM1.5,光照强度100mW/cm2,25℃)。
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公开(公告)号:CN1424573A
公开(公告)日:2003-06-18
申请号:CN03114762.3
申请日:2003-01-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法属于半导体材料应用领域。本发明的方法为:测量多晶硅太阳能电池在红外至可见光波段范围内的透射光谱;用理论透射率公式拟合实验结果,得到多晶硅太阳能电池的带尾能量等物理参数;实验测量多晶硅太阳能电池的转换效率η,并将其与不同多晶硅太阳能电池样品带尾能量EU结合,得到两者之间的线性关系式;本发明可以在免去制作测量引线的情况下直接得到多晶硅太阳能电池的转换效率,还可以得到可靠的多晶硅太阳能电池的微观参数用以指导工艺的改进,因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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