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公开(公告)号：CN1162560C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN01126377.6
申请日：2001-07-31
IPC: C22C9/05
Abstract: 本发明涉及一种耐蚀白色铜锰合金及其线材制造方法，其组分(重量百分比)为：9-15%Mn，4-15%Zn，0.5-1.5%Al，0-1.5%Sn，不大于0.2%的稀土，余量为铜，采用非真空熔炼、水平连铸和冷拉、冷轧工艺将该合金制成线材。本发明的合金颜色与锌白铜接近，具有良好的加工性能和耐腐蚀性能，色泽稳定，可以代替含镍的锌白铜，用于制造拉链、手表表链和表壳及装饰工艺品等。
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公开(公告)号：CN1334352A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01126377.6
申请日：2001-07-31
IPC: C22C9/05
Abstract: 本发明涉及一种耐蚀白色铜锰合金及其线材制造方法,其组分(重量百分比)为:9－15%Mn,4－15%Zn,0.5－1.5%Al,0－1.5%Sn,不大于0.2%的稀土,余量为铜,采用非真空熔炼、水平连铸和冷拉、冷轧工艺将该合金制成线材。本发明的合金颜色与锌白铜接近,具有良好的加工性能和耐腐蚀性能,色泽稳定,可以代替含镍的锌白铜,用于制造拉链、手表表链和表壳及装饰工艺品等。
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公开(公告)号：CN1243171A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99113965.8
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 含混合稀土元素高阻溅射靶材,在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素,使靶材成为Si－Cr－Ni－Re(Re为稀土元素)四元合金体系,具体成份为Si(35%－72%)、Cr(25%－50%)、Ni(2%－20%),三元素总和百分比为100%,稀土含量为三元素总重量的0.1%－3.0%,采用特殊真空感应熔炼失蜡熔模精密浇铸。本发明提供的新型靶材具有高精密性、稳定性、可靠性和良好的通用性,可同时适用于制备金属膜和金属氧化膜电阻器,拓展了靶材的适用范围并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101819841A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010174232.0
申请日：2010-05-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种永磁材料技术领域的钕铁硼磁性材料及其制备方法，通过将锭块或速凝薄片进行粗破碎处理并经气流磨制成粉末，并在磁场下取向压制成型，然后将坯体进行冷等静压及高真空烧结，最后经回火处理制成钕铁硼磁性材料，获得氧含量在1500～4400ppm范围内，方形度高达98％～99％的钕铁硼磁体。通过对磁体的显微组织进行观察，结果表明：磁体中dhcp结构的富Nd相氧含量＜9at.％，fcc结构的富Nd相氧含量为10at.％～48at.％。
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公开(公告)号：CN100443626C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610024078.2
申请日：2006-02-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1-xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101187006A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710172584.0
申请日：2007-12-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法。本发明首先将质量分数90％In2O3和质量分数10％SnO2的均匀混合物制成ITO板材，将ITO板材和金属Zr板材加工成符合溅射仪要求的ITO靶和Zr靶，分别将双靶和基底经过清洗后先后装入溅射仪，溅射制备Zr掺杂ITO(ITO:Zr)薄膜，所述的ITO∶Zr薄膜中金属原子个数比为：In∶Sn∶Zr＝9∶1∶0.2。本发明可制备出Zr掺杂ITO薄膜，相对于ITO薄膜来说，Zr掺杂ITO薄膜具有较好的光电性能、较低的表面粗糙度、较好的表面能和良好的热稳定性与化学稳定性，同时这种方法与ITO薄膜的制备工艺相兼容，能够方便地调节掺杂含量，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN101055779A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710037888.6
申请日：2007-03-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土材料技术领域的晶界添加氧化物或氮化物提高钕铁硼永磁材料性能的方法，步骤为：(1)采用铸锭工艺制成钕铁硼铸锭合金或用速凝薄片工艺制成钕铁硼合金速凝薄片；(2)将合金先进行粗破碎，气流磨制成粉末；(3)加入氧化物或氮化物粉末均匀混合；(4)混合粉末在磁场下取向压制成型，取向压制后再将坯件进行冷等静压；(5)将坯件放入高真空烧结炉内，烧结并回火制成磁体。所述钕铁硼永磁材料，化学式为NdaFe100－a－b－cBbMc，原子百分比：12≤a≤24，5.5≤b≤7，0≤c≤7；M为Dy、Tb、Co、Ga、Al、Cu元素中一种或几种。本发明制得的烧结钕铁硼比不添加氧化物或氮化物制得的磁体磁性能和耐蚀性要好。
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公开(公告)号：CN100334686C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410089294.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/3205 , C23C14/34 , C23C14/14
Abstract: 一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点，采用退火使非晶薄膜晶化，非晶态薄膜结晶后，Zr将会分布在晶粒周围，从而降低晶界扩散，提高薄膜的热稳定性；同时，高温下退火，部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上，阻碍薄膜晶粒长大，阻碍结块现象的形成，从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5%Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。
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公开(公告)号：CN1635175A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410084734.9
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种TiNiPd形状记忆合金自由薄膜的制备方法，用于材料制备技术领域。本发明将玻片的薄膜面粘在透明胶带上，用精密砂轮将胶带和薄膜连玻片进行切割，将粘附薄膜的胶带在乙酸异戊酯和三氯甲烷混合溶液中浸泡，用镊子将薄膜和透明胶带分离，并去除附着于薄膜表面的稠厚粘液，再把薄膜浸入乙酸异戊酯溶液中，彻底溶去薄膜表面的残留粘液，最后把薄膜放入丙酮溶液中，漂洗干净即得TiNiPd形状记忆合金自由薄膜。本发明在透明粘胶带保护下，薄膜的操作损坏大大减少，自由薄膜获得率显著增加；薄膜在剥离、加工中受到的损伤以及边界效应大大降低，自由薄膜细条原材质量大大提高；可以制备较薄(＜5μm)的自由薄膜。
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公开(公告)号：CN1617301A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410089294.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/3205 , C23C14/34 , C23C14/14
Abstract: 一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点，采用退火使非晶薄膜晶化，非晶态薄膜结晶后，Zr将会分布在晶粒周围，从而降低晶界扩散，提高薄膜的热稳定性；同时，高温下退火，部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上，阻碍薄膜晶粒长大，阻碍结块现象的形成，从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5％Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。
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