-
公开(公告)号：CN1974870A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610118667.7
申请日：2006-11-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种材料技术的超声波降低电镀铜薄膜内应力的方法。本发明首先配制电镀溶液，将盛有电镀溶液的电镀槽放置于超声浴槽内，控制电镀溶液的温度和电流密度，通过改变电镀时间得到相应厚度的电镀铜薄膜，其中：控制电镀溶液的温度在30－35摄氏度之间，电流密度在4－16A/dm2之间。本发明在不改变原有电镀铜工艺的基础上，将电镀槽放置于超声浴槽内，利用超声作用降低电镀铜薄膜的内应力，利用X射线衍射的方法对不同工艺电镀铜薄膜的内应力进行测量。结果显示，利用超声技术可以有效的降低电镀铜薄膜的内应力。
-
公开(公告)号：CN1243171A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99113965.8
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 含混合稀土元素高阻溅射靶材,在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素,使靶材成为Si－Cr－Ni－Re(Re为稀土元素)四元合金体系,具体成份为Si(35%－72%)、Cr(25%－50%)、Ni(2%－20%),三元素总和百分比为100%,稀土含量为三元素总重量的0.1%－3.0%,采用特殊真空感应熔炼失蜡熔模精密浇铸。本发明提供的新型靶材具有高精密性、稳定性、可靠性和良好的通用性,可同时适用于制备金属膜和金属氧化膜电阻器,拓展了靶材的适用范围并降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN100443626C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610024078.2
申请日：2006-02-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1-xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN1093310C
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN99113963.1
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属膜高阻电阻器及其制造工艺，采用含镧系和锕系稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料，具体成份为Si(35%-72%)、Cr(25%-50%)、Ni(2%-20%)，稀土元素含量为三元素总重量的0.1%-3.0%，采用直流溅射加射频溅射工艺，得到独特的双层膜结构的电阻体，直流溅射气体为氩气，射频溅射气体为氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高，电阻温度系数低，适合精密型电子元器件的要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1121507C
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN99113965.8
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺，在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素，使靶材成为Si-Cr-Ni-Re(Re为稀土元素)四元合金体系，具体成份为Si 35%-72%、Cr 25%-50%、Ni 2%-20%，三元素总和百分比为100%，稀土含量为三元素总重量的0.1%-3.0%，采用特殊真空感应熔炼失蜡熔模精密浇铸。本发明提供的新型靶材具有高精密性、稳定性、可靠性和良好的通用性，可同时适用于制备金属膜和金属氧化膜电阻器，拓展了靶材的适用范围并降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN1099682C
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN99113964.X
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属氧化膜电阻器及其制造工艺，采用含镧系和锕系稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料，具体成份为Si(35%-72%)、Cr(25%-50%)、Ni(2%-20%)，稀土元素含量为三元素总重量的0.1%-3.0%，采用直流溅射辅以离子电源加射频溅射工艺，得到独特的双层膜结构电阻体，直流溅射和射频溅射气体采用不同体积百分比的氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高，适合精密型电子元器件的要求。
-
公开(公告)号：CN1243322A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99113963.1
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属膜高阻电阻器及其制造工艺,采用含镧系和锕系稀土元素的Si－Cr－Ni－Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料,具体成分为Si(35%—72%)、Cr(25%—50%)、Ni(2%—20%),稀土元素含量为三元素总重量的0.1%—3.0%,采用直流溅射加射频溅射工艺,得到独特的双层膜结构的电阻体,直流溅射气体为氩气,射频溅射气体为氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高,电阻温度系数低,适合精密型电子元器件的要求。
-
公开(公告)号：CN1807675A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610024078.2
申请日：2006-02-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1－xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN1243323A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99113964.X
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属氧化膜电阻器及其制造工艺,采用含镧系和锕系稀土元素的Si－Cr－Ni－Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料,具体成分为Si(35%—72%)、Cr(25%—50%)、Ni(2%—20%),稀土元素含量为三元素总重量的0.1%—3.0%,采用直流溅射辅以离子电源加射频溅射工艺,得到独特的双层膜结构电阻体,直流溅射和射频溅射气体采用不同体积百分比的氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高,适合精密型电子元器件的要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.019 seconds)
