公开(公告)号：CN1304630C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410066585.3

申请日：2004-09-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 程凡雄 ,  姜传海 ,  吴建生 ,  董显平 ,  单爱党

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法，用于材料制备技术领域。本发明首先把Co和Si按照CoSi2化学计量比成分配比，通过真空熔炼制备合金，利用线切割制备符合溅射仪要求的合金靶材，充分利用熔炼炉的电磁搅拌作用，使靶材具有均匀的成分，并且具有标准的立方CaF2结构，然后把靶材装入溅射仪中，在清洗过的基底上制备薄膜，薄膜与靶材成分接近，通过调整功率和溅射速度以及后续处理，制备得到CoSi2薄膜。本发明可制备具有各种状态的CoSi2薄膜，薄膜经过处理具有良好的导电性、热稳定性以及低应力水平，同时这种方法生产薄膜能够提高生产效率。

公开(公告)号：CN100334686C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410089294.6

申请日：2004-12-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 程凡雄 ,  姜传海 ,  董显平 ,  吴建生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点，采用退火使非晶薄膜晶化，非晶态薄膜结晶后，Zr将会分布在晶粒周围，从而降低晶界扩散，提高薄膜的热稳定性；同时，高温下退火，部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上，阻碍薄膜晶粒长大，阻碍结块现象的形成，从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5%Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。

公开(公告)号：CN1617301A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410089294.6

申请日：2004-12-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 程凡雄 ,  姜传海 ,  董显平 ,  吴建生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点，采用退火使非晶薄膜晶化，非晶态薄膜结晶后，Zr将会分布在晶粒周围，从而降低晶界扩散，提高薄膜的热稳定性；同时，高温下退火，部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上，阻碍薄膜晶粒长大，阻碍结块现象的形成，从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5％Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。

公开(公告)号：CN1614079A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410066585.3

申请日：2004-09-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 程凡雄 ,  姜传海 ,  吴建生 ,  董显平 ,  单爱党

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法，用于材料制备技术领域。本发明首先把Co和Si按照CoSi2化学计量比成分配比，通过真空熔炼制备合金，利用线切割制备符合溅射仪要求的合金靶材，充分利用熔炼炉的电磁搅拌作用，使靶材具有均匀的成分，并且具有标准的立方CaF2结构，然后把靶材装入溅射仪中，在清洗过的基底上制备薄膜，薄膜与靶材成分接近，通过调整功率和溅射速度以及后续处理，制备得到CoSi2薄膜。本发明可制备具有各种状态的CoSi2薄膜，薄膜经过处理具有良好的导电性、热稳定性以及低应力水平，同时这种方法生产薄膜能够提高生产效率。